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粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响 被引量:8
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作者 张锐 高濂 +1 位作者 虞玲 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1311-1314,共4页
利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样... 利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性. 展开更多
关键词 Cu包覆SiC颗粒 表面包覆 分散均匀性 粒度分布 歧化反应 碳化硅 陶瓷颗粒 复合材料
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