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电脉冲对Al-Cu合金GP Ⅰ 区影响的价电子结构分析 被引量：1
1
作者 林成 曹丽云 曹力生 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期5-9,共5页
基于"固体与分子经验电子理论"(EET),构建了Al-Cu熔体施加脉冲电场与未施加脉冲电场的GP Ⅰ区形成模型,计算了Al-Cu合金熔体及过饱和固溶体的价电子结构参数统计值,在电子结构层次上解释了脉冲电场作用Al-Cu合金熔体后对GP ... 基于"固体与分子经验电子理论"(EET),构建了Al-Cu熔体施加脉冲电场与未施加脉冲电场的GP Ⅰ区形成模型,计算了Al-Cu合金熔体及过饱和固溶体的价电子结构参数统计值,在电子结构层次上解释了脉冲电场作用Al-Cu合金熔体后对GP Ⅰ区形成的影响。 展开更多
关键词 AL-CU合金 GP Ⅰ 区 电子结构参数统计值 EET理论 电脉冲孕育处理
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