期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
镍的电子束熔炼提纯研究 被引量：12
1
作者 尚再艳 张涛 +3 位作者 陈明 朱晓光 刘红宾 何金江 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期116-122,共7页
高纯镍是制造半导体集成电路及微电子行业用电子薄膜材料的原材料。采用电子束熔炼方法制备高纯镍,研究了一次和二次电子束熔炼对高纯镍锭纯度、表面质量和内部铸造缺陷的影响。通过对铸锭宏观形貌的观察和杂质含量的化学分析,发现一次... 高纯镍是制造半导体集成电路及微电子行业用电子薄膜材料的原材料。采用电子束熔炼方法制备高纯镍,研究了一次和二次电子束熔炼对高纯镍锭纯度、表面质量和内部铸造缺陷的影响。通过对铸锭宏观形貌的观察和杂质含量的化学分析,发现一次熔炼可将原材料提纯至99.99%,但铸锭仍存在较多宏观铸造缺陷;而二次熔炼充分去除了杂质和气体元素,如Al,Fe,Cu和C,N,O等,最终使镍锭纯度提高至99.995%以上且内部连续一致无集中缩孔、疏松和气孔等缺陷。通过对镍电子束熔炼过程中杂质元素和基体镍的蒸气压的理论计算对比,和对杂质去除率的理论计算,说明了杂质从镍基体分离的方式并验证了化学成分检测的杂质实际去除率。 展开更多
关键词 电子束 熔炼 高纯镍 提纯
原文传递
砷、锑和铋对铜电沉积及阳极氧化机理的影响 被引量：8
2
作者 肖发新 郑雅杰 +2 位作者 简洪生 龚竹青 许卫 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期575-580,共6页
采用循环伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,Ⅴ),Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)对铜电沉积及阳极氧化机理的影响。研究结果表明:电解底液循环伏安分别在0.06V和-0.25V出现还原峰a和b,在0.10V和0.23V出现氧化峰b′和a′。As(Ⅲ)加速铜的电沉积,As(Ⅴ),Sb(Ⅲ,... 采用循环伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,Ⅴ),Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)对铜电沉积及阳极氧化机理的影响。研究结果表明:电解底液循环伏安分别在0.06V和-0.25V出现还原峰a和b,在0.10V和0.23V出现氧化峰b′和a′。As(Ⅲ)加速铜的电沉积,As(Ⅴ),Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)均改变铜的沉积机理,使两步反应变成一步反应,其中,加入Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)的电解液在?0.13V附近出现杂质Sb和Bi的还原峰;这些杂质均抑制铜的氧化反应,改变阳极氧化机理,使两步氧化变为一步氧化反应;将As(Ⅲ,Ⅴ),Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)单独加入电解液中,电极过程均产生电活性物质吸附,均使电极过程阻抗减小。 展开更多
关键词 砷 锑 铋 铜电沉积 阳极氧化
在线阅读 下载PDF
电子束端面熔炼法制备高纯钨的研究 被引量：7
3
作者 马运柱 刘业 +1 位作者 刘文胜 龙路平 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期30-35,共6页
采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,... 采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975%,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5%和45.8%;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95%、90%、75%和71.4%,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10μg/g. 展开更多
关键词 电子束熔炼 高纯钨 净化提纯 间隙杂质 非间隙杂质
在线阅读 下载PDF
高纯金属电子束熔炼技术、装备及应用进展
4
作者 刘苏宁 朱俊 《绿色矿冶》 2025年第5期66-73,共8页
高纯金属作为制造各类精密溅射靶材不可或缺的关键材料,其内部杂质种类及含量对下游高端产品的性能有着至关重要的影响。电子束熔炼(EBMR)技术作为一种高效且先进的金属提纯手段,备受业界瞩目。本文阐述了该技术的原理、核心装备构成以... 高纯金属作为制造各类精密溅射靶材不可或缺的关键材料,其内部杂质种类及含量对下游高端产品的性能有着至关重要的影响。电子束熔炼(EBMR)技术作为一种高效且先进的金属提纯手段,备受业界瞩目。本文阐述了该技术的原理、核心装备构成以主要工艺参数,并详细介绍了该技术在铜、钽、钛等多种金属提纯中的应用效果,探讨了EBMR技术和相关装备在未来发展趋势与前景。 展开更多
关键词 高纯金属 靶材 电子束熔炼 高纯钛 金属提纯
在线阅读 下载PDF
电子束冷床熔炼参数对熔池表面温度的影响 被引量：10
5
作者 韩明臣 周义刚 +4 位作者 赵铁夫 张英明 周廉 Reiter G. Flinspach J. 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期55-59,共5页
使用M9100图像高温仪精确测定了TC4合金电子束冷床熔炼时坩埚和冷床熔池表面的温度。结果表明,结果表明,熔炼工艺参数如熔化速度、熔炼功率、电子束扫描方式和扫描频率都会对熔池表面温度产生剧烈影响。
关键词 电子束冷床熔炼 钛合金TC4 熔池表面温度 熔炼参数
在线阅读 下载PDF
电子束诱导定向凝固过程中晶体形貌对杂质分布的影响 被引量：2
6
作者 任世强 胡志强 +3 位作者 李鹏廷 赵性川 姜大川 马帅 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2021年第6期90-94,共5页
产业条件下,利用电子束诱导定向凝固技术提纯多晶硅实现晶硅尾料的循环再利用,在硅锭中包括类单晶和柱状晶两种晶体形貌。与多晶区域相比,类单晶区域电阻率和少子寿命等电学性能分布比较均匀,铁杂质的含量分布也较均匀,其质量百分数平... 产业条件下,利用电子束诱导定向凝固技术提纯多晶硅实现晶硅尾料的循环再利用,在硅锭中包括类单晶和柱状晶两种晶体形貌。与多晶区域相比,类单晶区域电阻率和少子寿命等电学性能分布比较均匀,铁杂质的含量分布也较均匀,其质量百分数平均值为0.000031%。电子束诱导定向凝固过程中类单晶的出现,不仅可以保证铸锭提纯区金属杂质成分均匀,而且可以进一步促进杂质向铸锭顶部富集,铸锭顶部的铁杂质含量高达0.101%。因此,利用电子束诱导类单晶生长成为可能,促进金属杂质的去除,为循环硅料的再生提供途径。 展开更多
关键词 硅 电子束诱导 定向凝固 晶体 杂质
在线阅读 下载PDF
电子束熔炼和提纯技术现状
7
作者 邝用庚 《稀有金属快报》 CSCD 1993年第11期24-25,共2页
关键词 有色金属冶炼 电子束熔炼 提纯
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部