为了研究高压静电场(HVEF)对大肠杆菌(E.coli)的损伤效应,采用不同处理条件的HVEF处理E.coli,考察了菌体的存活率、突变率及形态损伤。结果表明:在不同处理条件下,E.coli存活率和突变率均呈振荡型变化,且2者呈负相关,在4 k V/cm×2 ...为了研究高压静电场(HVEF)对大肠杆菌(E.coli)的损伤效应,采用不同处理条件的HVEF处理E.coli,考察了菌体的存活率、突变率及形态损伤。结果表明:在不同处理条件下,E.coli存活率和突变率均呈振荡型变化,且2者呈负相关,在4 k V/cm×2 min的处理条件下存活率最低,仅为(7.77±1.73)%,突变率达最高,为(13.73±1.99)×10-6,说明HVEF对菌体的存活具有抑制和激活的双重作用,在抑制作用下,细胞受到的损伤较大且相应的突变率也较高;通过电镜观察,发现HVEF作用下E.coli细胞膜破损并伴随有细胞内容物的溢出,说明高压静电场可有效破坏细胞的膜结构;通过测量HVEF在同一场强不同处理时间作用下菌液的核酸和蛋白质含量变化,发现上述2个参数在电场作用下也呈振荡型变化,说明适当的电场处理条件可调控菌体细胞膜的通透性,且在适当的电场处理条件下E.coli自身可能具有损伤修复功能。展开更多
文摘为了研究高压静电场(HVEF)对大肠杆菌(E.coli)的损伤效应,采用不同处理条件的HVEF处理E.coli,考察了菌体的存活率、突变率及形态损伤。结果表明:在不同处理条件下,E.coli存活率和突变率均呈振荡型变化,且2者呈负相关,在4 k V/cm×2 min的处理条件下存活率最低,仅为(7.77±1.73)%,突变率达最高,为(13.73±1.99)×10-6,说明HVEF对菌体的存活具有抑制和激活的双重作用,在抑制作用下,细胞受到的损伤较大且相应的突变率也较高;通过电镜观察,发现HVEF作用下E.coli细胞膜破损并伴随有细胞内容物的溢出,说明高压静电场可有效破坏细胞的膜结构;通过测量HVEF在同一场强不同处理时间作用下菌液的核酸和蛋白质含量变化,发现上述2个参数在电场作用下也呈振荡型变化,说明适当的电场处理条件可调控菌体细胞膜的通透性,且在适当的电场处理条件下E.coli自身可能具有损伤修复功能。
