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不同取向单晶金刚石制备及氢化处理研究
1
作者 刘晓晨 姜龙 +6 位作者 张新 葛新岗 李义锋 安晓明 郭辉 孙振路 张利辉 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第11期1907-1915,共9页
金刚石晶体性能与其晶向密切相关,不同晶向的原子排列和化学键分布差异导致物理、化学及电学性能呈现各向异性。本研究通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术生长单晶金刚石,经激光切割获得(100)、(110)、(111)晶面金刚石片,晶面取... 金刚石晶体性能与其晶向密切相关,不同晶向的原子排列和化学键分布差异导致物理、化学及电学性能呈现各向异性。本研究通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术生长单晶金刚石,经激光切割获得(100)、(110)、(111)晶面金刚石片,晶面取向偏差控制在1.2°以内。从材料加工和氢化处理两方面对比分析发现:氢氧等离子体刻蚀中,(100)晶面呈现方形刻蚀坑,(110)晶面形成四面体山丘状形貌,(111)晶面为三角形刻蚀坑。拉曼及光致发光光谱表明,不同晶面样品质量均匀,应力较小。抛光实验表明,材料去除率随载荷增加而升高,在2.0 N/mm^(2)载荷下,(100)晶面抛光去除率分别为(110)晶面的1.1倍和(111)晶面的17.7倍;表面粗糙度随载荷增加呈现先降低后升高的趋势,当载荷为1.5 N/mm^(2)时,(111)晶面粗糙度低至0.118 nm,显著优于(100)面(0.934 nm)和(110)面(0.708 nm)。研究表明:在特定氢化工艺下,降低样品的表面粗糙度有助于改善样品的氢化性能,(100)晶面具有更高的载流子迁移率(103 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)),(111)晶面表现出更高的载流子浓度(1.25×10^(13)cm^(-2))和更低的方阻(4400Ω/sq),(111)晶面可能更有利于制备高性能器件。 展开更多
关键词 金刚石 MPCVD 激光切割 晶面取向 抛光去除率 表面粗糙度 氢化处理
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残余应力及电场对4H-SiC表面压痕硬度的影响
2
作者 朱兴杰 章平 左敦稳 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期560-568,共9页
本文利用研磨加工得到不同表面残余应力状态的4H-SiC样品,采用激光拉曼光谱仪测量样品表面的残余应力,通过显微硬度计测量无电场和有电场时的样品表面压痕硬度。结果发现:与无残余应力相比,在-1.6~0 GPa的残余压应力状态下,样品表面压... 本文利用研磨加工得到不同表面残余应力状态的4H-SiC样品,采用激光拉曼光谱仪测量样品表面的残余应力,通过显微硬度计测量无电场和有电场时的样品表面压痕硬度。结果发现:与无残余应力相比,在-1.6~0 GPa的残余压应力状态下,样品表面压痕硬度最大升高了9.5%;对样品通入一定电流后,无残余应力样品的表面压痕硬度可下降约6%,有残余应力样品的表面压痕硬度可下降约13%。对-1.6~1.6 GPa不同残余应力状态的4H-SiC表面压痕硬度进行了有限元模拟分析,发现在0~1.6 GPa的残余拉应力最多可以使晶片表面压痕硬度下降5.8%。研究获得了4H-SiC表面残余应力、电场等条件与其压痕硬度的映射关系,为通过调控残余应力和施加电场降低工件表面硬度提供了理论依据。 展开更多
关键词 残余应力 电场 压痕硬度 4H-SIC 有限元模拟 拉曼光谱
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抛光垫对碲锌镉晶片双面抛光质量影响机制研究
3
作者 徐乐 李振兴 +2 位作者 王琰璋 刘江高 侯晓敏 《半导体光电》 北大核心 2025年第5期879-883,共5页
碲锌镉作为红外探测器用碲镉汞薄膜的首选衬底材料,其质量直接影响后续工艺的成品率。文章针对碲锌镉晶片双面抛光工艺,探究无纺布和聚酯纤维抛光垫对抛光质量的影响,并分析抛光垫材质特性对晶片表面质量和总厚度偏差(TTV)的影响机制。... 碲锌镉作为红外探测器用碲镉汞薄膜的首选衬底材料,其质量直接影响后续工艺的成品率。文章针对碲锌镉晶片双面抛光工艺,探究无纺布和聚酯纤维抛光垫对抛光质量的影响,并分析抛光垫材质特性对晶片表面质量和总厚度偏差(TTV)的影响机制。结果表明,使用聚酯纤维抛光垫相较于无纺布抛光垫抛光后碲锌镉晶片整体的厚度分布更加均匀,且具有更小的TTV。另外,多次抛光后聚酯纤维抛光垫的磨损和变形程度较小,使用其抛光的碲锌镉晶片具有更稳定的材料去除速率和抛光质量。该研究为碲锌镉晶片的超精密加工提供了新思路,对双面抛光的进一步深入研究具有重要意义。 展开更多
关键词 碲锌镉 抛光垫 双面抛光 总厚度偏差 表面质量
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对单晶金刚石进行高温退火处理的研究进展
4
作者 贾元波 满卫东 +4 位作者 伍正新 梁凯 范冰庆 付萍 赵洪阳 《广州化工》 2025年第2期7-9,19,共4页
单晶金刚石具有良好的物理化学性质,既可以被应用于磨削等传统行业也可适用于半导体、5G等新型领域,而工业制备的单晶金刚石会存在缺陷多、光学性质差和应力大等问题,高温退火是一种转化金刚石内部缺陷的常见方法,对单晶金刚石进行退火... 单晶金刚石具有良好的物理化学性质,既可以被应用于磨削等传统行业也可适用于半导体、5G等新型领域,而工业制备的单晶金刚石会存在缺陷多、光学性质差和应力大等问题,高温退火是一种转化金刚石内部缺陷的常见方法,对单晶金刚石进行退火处理是可以有效转变缺陷、降低单晶内应力和提高光学性质的,根据退火条件可以分为高温低压法和高温高压法,本文综述了高温退火对单晶金刚石性质的影响,并介绍了最近的相关研究进展。 展开更多
关键词 单晶金刚石 缺陷 高温低压退火 高温高压退火
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KDP晶体加工表面的亚表面损伤检测与分析 被引量：31
5
作者 吴东江 曹先锁 +3 位作者 王强国 王奔 高航 康仁科 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1721-1726,共6页
采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损... 采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损伤裂纹形状以"斜线状"为主,裂纹深度最大值为85.59μm;由#600砂轮磨削产生的亚表面损伤深度最大值为8.55μm。在(001)晶面出现了四方形的分布密度较高的位错腐蚀坑;而在三倍频晶面上出现的是密度较低、形状类似梯形的位错腐蚀坑。该研究为KDP晶体亚表面损伤提供了一种检测与分析手段。 展开更多
关键词 KDP晶体 损伤检测 裂纹形状 裂纹深度
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单晶硅反射镜的超精密磨削工艺 被引量：15
6
作者 王紫光 康仁科 +2 位作者 周平 高尚 董志刚 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1087-1095,共9页
为了实现单晶硅反射镜高效低损伤的超精密加工,研究了基于工件旋转法磨削原理的单晶硅反射镜超精密磨削工艺。通过形貌检测和成份测试的方法分析了该工艺采用的超细粒度金刚石砂轮的组织结构特征,并对单晶硅进行了超精密磨削试验,研究... 为了实现单晶硅反射镜高效低损伤的超精密加工,研究了基于工件旋转法磨削原理的单晶硅反射镜超精密磨削工艺。通过形貌检测和成份测试的方法分析了该工艺采用的超细粒度金刚石砂轮的组织结构特征,并对单晶硅进行了超精密磨削试验,研究了超细粒度金刚石砂轮的磨削性能。通过砂轮主轴角度与工件面形之间的数学关系实现对磨削工件面形的控制。最后,采用超细粒度金刚石砂轮对Φ100mm×5mm的单晶硅反射镜进行了超精密磨削试验验证。试验结果表明,超细粒度金刚石砂轮磨削后的单晶硅表面粗糙度Ra值小于10nm,亚表面损伤深度小于100nm,磨削后的单晶硅反射镜面形PV值从初始的8.1μm减小到1.5μm。由此说明采用该工艺磨削单晶硅反射镜能够高效地获得低损伤表面和高精度面形。 展开更多
关键词 单晶硅反射镜 工件旋转法磨削 表面/亚表面损伤 面形控制 超细粒度金刚石砂轮
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固结磨料研磨蓝宝石单晶过程中研磨液的作用 被引量：24
7
作者 王建彬 朱永伟 +2 位作者 谢春祥 徐俊 居志兰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3004-3011,共8页
开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝... 开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝石单晶,研磨液仅为去离子水时,材料去除率(MRR)为149.8nm/min、表面粗糙度(Ra)为76.2nm;而研磨液中加入2%的乙二醇后,相应的MRR为224.1nm/min,Ra为50.7nm。用光电子能谱仪(XPS)分析了工件表面,结果表明含有乙二醇的研磨液能够增加蓝宝石工件表面的活性。得到的结果显示:在溶液中加入乙二醇有利于表面软化层的生成并增加蓝宝石表面的活性,说明研磨液对蓝宝石单晶研磨效率的提升和表面质量的改善具有促进作用。 展开更多
关键词 固结磨料 研磨液 乙二醇 蓝宝石晶片
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蓝宝石晶体的双面研磨加工 被引量：19
8
作者 文东辉 洪滔 +1 位作者 张克华 鲁聪达 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2493-2498,共6页
为了实现对蓝宝石晶体的高效低损伤研磨加工,对蓝宝石晶体的双面研磨加工表面粗糙度、研磨均匀性和亚表面损伤层的深度进行实验研究。采用280#碳化硼磨粒双面研磨(0001)面蓝宝石晶体,考察了研磨时间对材料去除速率、表面粗糙度的作用规... 为了实现对蓝宝石晶体的高效低损伤研磨加工,对蓝宝石晶体的双面研磨加工表面粗糙度、研磨均匀性和亚表面损伤层的深度进行实验研究。采用280#碳化硼磨粒双面研磨(0001)面蓝宝石晶体,考察了研磨时间对材料去除速率、表面粗糙度的作用规律,根据蓝宝石晶体切割表面状态确定了双面研磨的加工余量;通过WYKO粗糙度仪从微观上分析了蓝宝石晶体表面的研磨均匀性;最后,应用纳米压入测试分析了亚表面损伤层的深度。实验结果表明:蓝宝石晶体经过120 min的双面研磨加工后可以获得Ra为0.523μm,Rt<6.0μm的表面;其深度损伤层约为460 nm,亚表面损伤层<1μm。 展开更多
关键词 蓝宝石晶体 双面研磨 均匀性 亚表层损伤
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SiC单晶片的超精密加工 被引量：21
9
作者 李娟 陈秀芳 +8 位作者 马德营 姜守振 李现祥 王丽 董捷 胡小波 徐现刚 王继扬 蒋民华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期70-72,共3页
半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小。
关键词 化学机械抛光 粗糙度 平整度
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微波辐射法快速合成CaMoO_4:Eu^(3+)红色荧光粉及其性质研究 被引量：12
10
作者 翟永清 王莉莉 +2 位作者 陈娟 李蕊 马玉柱 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1216-1220,共5页
以二氧化锰为微波吸收剂,采用微波辐射法成功合成了CaMoO4∶Eu3+红色发光材料。用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计分别对样品的物相结构、形貌和发光性质进行了分析和表征。结果表明:所合成的CaMoO4∶Eu3+晶体结构与Ca... 以二氧化锰为微波吸收剂,采用微波辐射法成功合成了CaMoO4∶Eu3+红色发光材料。用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计分别对样品的物相结构、形貌和发光性质进行了分析和表征。结果表明:所合成的CaMoO4∶Eu3+晶体结构与CaMoO4相似,属四方晶系结构;样品大颗粒呈立方形,尺寸约4～8μm,是由200～300nm的类球形颗粒组装而成。样品的激发光谱由位于200～350 nm的一个宽带和350～500 nm的一系列尖峰组成,最大激发峰位于305 nm处;发射光谱由位于550～750 nm的一系列尖峰组成,最强的发射峰位于617 nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁。当反应时间为40 min,微波功率为中高火,电荷补偿剂Li+的掺杂量为8mol%时,样品的发光强度最大,约为未掺杂电荷补偿剂样品的4倍。 展开更多
关键词 微波辐射法 CaMoO4∶Eu3+ 红色荧光粉 发光
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声表面波器件用Y36°切LiTaO_3晶片表面加工研究 被引量：14
11
作者 夏宗仁 李春忠 崔坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期419-421,共3页
采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2～ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左右 ,采用天然石榴石研磨粉 ,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷 ,并采用化学机械抛光... 采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2～ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左右 ,采用天然石榴石研磨粉 ,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷 ,并采用化学机械抛光法 ,可获得较高加工质量的声表面波器件用Y36°切LiTaO3 展开更多
关键词 LITAO3晶体 损伤层 Beiliby层 声表面波器件 锂酸锂晶片 表面加工 终端机
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A型禽流感病毒NS1蛋白的表达及其诱导细胞凋亡功能的研究 被引量：5
12
作者 孙进华 马波 +2 位作者 于志丹 霍慧 王君伟 《中国兽医科学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期287-292,共6页
利用瞬时表达方法表达禽流感病毒(AIV)NS1蛋白,并初步研究了体外表达的NS1蛋白对宿主细胞凋亡的影响。应用脂质体介导法,将含有不同亚型AIV NS1基因的阳性质粒pcDNA3.1(+)-qNS1(H5N1)、pcDNA3.1(+)-rNS1(H9N2)转染Vero细胞系及MDCK细胞... 利用瞬时表达方法表达禽流感病毒(AIV)NS1蛋白,并初步研究了体外表达的NS1蛋白对宿主细胞凋亡的影响。应用脂质体介导法,将含有不同亚型AIV NS1基因的阳性质粒pcDNA3.1(+)-qNS1(H5N1)、pcDNA3.1(+)-rNS1(H9N2)转染Vero细胞系及MDCK细胞系。经SDS-PAGE及Western-blotting检测,qNS1和rNS1基因在Vero细胞及MDCK细胞中均获得了表达。应用AO/EB荧光染色法、Annexin V-PI法分别对转染后的Vero细胞及MDCK细胞进行细胞凋亡检测,结果显示,转染阳性质粒的MDCK细胞凋亡率增高,而转染空载体pcDNA3.1(+)的MDCK细胞及转染的Vero细胞均无明显变化。表明,qNS1、rNS1蛋白在体外培养的MDCK细胞中表达并能够诱导其发生凋亡,而在Vero细胞中却不能发挥此功能。 展开更多
关键词 禽流感病毒 NS1蛋白 MDCK细胞 VERO细胞 真核表达 细胞凋亡
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工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤分布 被引量：9
13
作者 高尚 康仁科 +1 位作者 董志刚 郭东明 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期88-94,共7页
集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因... 集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因,确定后续工艺的材料去除厚度都具有重要的指导意义。采用角度截面显微观测法研究工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿晶向和径向的变化规律及光磨对磨削硅片的亚表面损伤分布的影响。结果表明,无光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面分布不均匀,亚表面损伤深度沿周向在<110>晶向处大于<100>晶向,沿径向从中心到边缘逐渐增大;光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面几乎是均匀的,且光磨后的硅片亚表面损伤深度明显小于无光磨条件下硅片亚表面损伤深度。 展开更多
关键词 硅片 磨削 亚表面损伤 金刚石砂轮
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三乙醇胺在镁铝尖晶石固结磨料研磨中的作用 被引量：7
14
作者 王占奎 朱永伟 +1 位作者 朱琳 王建彬 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1034-1043,共10页
探索了三乙醇胺在镁铝尖晶石固结磨料研磨中的作用机理并进行了系列实验。首先,通过显微压痕实验测量了三乙醇胺和去离子水作用下镁铝尖晶石样品的硬度。然后,采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了三乙醇胺的化学作用机理,研究了在三乙醇... 探索了三乙醇胺在镁铝尖晶石固结磨料研磨中的作用机理并进行了系列实验。首先,通过显微压痕实验测量了三乙醇胺和去离子水作用下镁铝尖晶石样品的硬度。然后,采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了三乙醇胺的化学作用机理,研究了在三乙醇胺和去离子水作用下工件表面层化学组分随深度的变化,估算了其表面软化层的厚度。最后,通过研磨实验探索了去离子水和不同浓度的三乙醇胺对材料去除率和表面质量的影响。结果表明:三乙醇胺研磨液对工件的化学作用降低了其表面层的显微硬度,形成了软化层;三乙醇胺和去离子水形成软化层的机制是其中的OH-和吸附的CO2与尖晶石基体发生了反应,而三乙醇胺形成的软化层厚度约为2nm,去离子水形成的软化层厚度小于0.65nm;采用三乙醇胺研磨液的材料去除率高于采用去离子水,但表面质量较采用去离子水的差。实验证明,三乙醇胺对工件的化学作用可以显著地提高材料去除效率。 展开更多
关键词 三乙醇胺 尖晶石 固结磨料 研磨 软化层
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铌酸锂晶体的研磨亚表面损伤深度 被引量：11
15
作者 朱楠楠 朱永伟 +2 位作者 李军 郑方志 沈琦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3387-3394,共8页
针对光学材料研磨过程引入的亚表面损伤层（SSD）深度对工件的抛光工序效率和表面质量的影响,探索了光学材料在研磨过程中的亚表面损伤规律。采用角度抛光的方法测量了软脆材料铌酸锂（LN）晶体的损伤层深度,分析了研磨方式、磨粒粒径... 针对光学材料研磨过程引入的亚表面损伤层（SSD）深度对工件的抛光工序效率和表面质量的影响,探索了光学材料在研磨过程中的亚表面损伤规律。采用角度抛光的方法测量了软脆材料铌酸锂（LN）晶体的损伤层深度,分析了研磨方式、磨粒粒径和研磨压力对工件亚表面损伤层的影响规律。结果表明：研磨方式对损伤缺陷的影响最为显著,相同研磨条件下游离磨料研磨后的损伤层深度约为固结磨料研磨的3~4倍,游离磨料研磨后工件亚表面存在多处圆弧形裂纹,固结磨料研磨后主要显现细小裂纹和＂人＂字型裂纹;当磨粒粒径从W28下降到W14后,游离研磨的亚表面损伤层深度下降至原来的45%,而固结研磨的损伤层深度下降至30%;另外,研磨压力的降低有利于减小工件的亚表面损伤。该研究对LN晶体研磨方式及研磨工艺的选择具有指导意义。 展开更多
关键词 软脆晶体 铌酸锂晶体 固结磨料研磨 磨粒粒径 亚表面损伤深度
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SARS冠状病毒结构蛋白在血清学诊断中潜在应用价值的比较 被引量：5
16
作者 王彦斌 常昭瑞 +4 位作者 魏海燕 晁彦公 曲成毅 王健伟 洪涛 《病毒学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期259-263,共5页
为了确定特异的SARS抗体检测抗原,比较了SARS冠状病毒(SARS-CoV)主要结构蛋白与SARS患者血清的反应性。从SARS死亡患者的肺组织提取的总RNA为模板,用RT-PCR技术分别扩增S、N、M和E4种结构蛋白基因,对3种S截短突变体和N、M、E的重组蛋白... 为了确定特异的SARS抗体检测抗原,比较了SARS冠状病毒(SARS-CoV)主要结构蛋白与SARS患者血清的反应性。从SARS死亡患者的肺组织提取的总RNA为模板,用RT-PCR技术分别扩增S、N、M和E4种结构蛋白基因,对3种S截短突变体和N、M、E的重组蛋白在大肠杆菌中进行表达。以表达的蛋白为抗原,应用Westernblot跟踪检测11例SARS患者血清54份。结果显示:SARS-CoV的重组N蛋白和S蛋白有很强的抗原性,S蛋白的3个区段的抗原性强弱存在差异,S3抗原性强于S1和S2;在患病第1周、2周、3周及3周以上,N蛋白和S3蛋白抗体检出率分别为40%、65.2%、100%、100%和40%、61%、76.2%、100%;提示SARS-CoV重组N蛋白和S3蛋白在SARS的血清学诊断中有一定的应用价值。 展开更多
关键词 SARS冠状病毒 结构蛋白 WESTERN BLOT 血清学诊断
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6H-SiC衬底片的表面处理(英文) 被引量：5
17
作者 陈秀芳 徐现刚 +6 位作者 胡小波 杨光 宁丽娜 王英民 李娟 姜守振 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期962-966,共5页
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提... 相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量。经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm。在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜。 展开更多
关键词 6H-SIC 衬底 表面处理 研磨 化学机械抛光
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LBO晶体的超精密加工工艺研究 被引量：4
18
作者 李军 朱永伟 +2 位作者 左敦稳 朱镛 陈创天 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2088-2090,2094,共4页
采用Logitech PM5精密研抛机,通过机械抛光和化学机械抛光方法超精密加工LBO晶体;详细研究了LBO晶体的超精密加工工艺,并观察研磨和抛光等加工过程后的晶体表面形貌;研究抛光液和抛光垫在抛光中对LBO晶体表面微观形貌的影响。使用Wkyo... 采用Logitech PM5精密研抛机,通过机械抛光和化学机械抛光方法超精密加工LBO晶体;详细研究了LBO晶体的超精密加工工艺,并观察研磨和抛光等加工过程后的晶体表面形貌;研究抛光液和抛光垫在抛光中对LBO晶体表面微观形貌的影响。使用Wkyo激光干涉仪测量平面度,光学显微镜观察表面宏观损伤,原子力显微镜测量表面粗糙度和观察微观形貌。通过实验,实现高效率、高精度、高质量的LBO晶体的超精密加工,得到了LBO晶体的超精密加工工艺;超精密加工后晶体的表面粗糙度<0.2nm RMS,表面平面度<λ/10(λ=633nm),微观损伤少。 展开更多
关键词 LBO晶体 超精密加工 化学机械抛光 表面粗糙度 表面平面度
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SiC单晶片线锯切割技术研究进展 被引量：6
19
作者 李伦 李淑娟 +1 位作者 汤奥斐 李言 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期849-856,共8页
单晶碳化硅(Si C)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用。在Si C单晶片的制造过程中,切割是加工Si C单晶片首要关键的工序,其切割成本占整个晶片加工成本的50%以上。参阅了国内外相关文献资料,... 单晶碳化硅(Si C)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用。在Si C单晶片的制造过程中,切割是加工Si C单晶片首要关键的工序,其切割成本占整个晶片加工成本的50%以上。参阅了国内外相关文献资料,研究分析了目前Si C在切割技术尤其是线锯切割Si C技术及线锯切割设备方面的研究现状,对线锯切割Si C技术和设备中存在的问题进行研究分析,提出了Si C单晶片线锯切割技术未来的研究方向。 展开更多
关键词 SiC单晶片 金刚石线锯 线锯切割技术 研究现状
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高温超导薄膜衬底材料LaAlO_3单晶的超光滑表面抛光研究 被引量：5
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作者 张连翰 孙敦陆 +1 位作者 钱小波 杭寅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期121-123,共3页
本文以化学机械抛光为手段 ,以原子力显微镜 (AFM)为工具 ,对高温超导薄膜衬底材料LaAlO3 单晶的超光滑表面抛光进行研究。既观察到了由传统光学表面向超光滑表面过渡的过程 ,又观察到了超光滑表面加工的结果—表面的本征化。
关键词 高温超导薄膜 衬底材料 LaAlO3单晶 超光滑表面抛光 研究 铝酸镧单晶
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