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I-掺杂Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体的生长及其光学性能调控
1
作者 陈思贤 徐乐 +4 位作者 唐远之 孙海滨 郭学 冯玉润 胡强强 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1282-1288,共7页
本文采用溶液降温法成功制备了I-掺杂的Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体(Cs3Bi2IxBr9-x),系统研究了I-掺杂对Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体结构、热稳定性与光学性能的影响。生长得到的Cs3Bi2IxBr9-x晶体尺寸达5 mm,晶体呈现出橙红色,与未掺杂的黄色... 本文采用溶液降温法成功制备了I-掺杂的Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体(Cs3Bi2IxBr9-x),系统研究了I-掺杂对Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体结构、热稳定性与光学性能的影响。生长得到的Cs3Bi2IxBr9-x晶体尺寸达5 mm,晶体呈现出橙红色,与未掺杂的黄色有明显区别。XRD结果表明,I-部分取代Br-后,晶体仍维持六方结构,属于P3m1空间群,衍射峰位向小角度偏移表明,掺杂晶体晶格因阴离子半径差异而发生膨胀。热重分析表明晶体在475.2℃下保持稳定,较未掺杂Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体略有提升。光学测试发现,掺杂后晶体吸收截止边由486 nm红移至590 nm,带隙从2.61 eV降至2.18 eV,显著拓宽了光响应范围;光致发光(PL)峰蓝移至447 nm(半峰全宽97.7 nm,CIE坐标(0.27, 0.24)),荧光寿命呈现双指数衰减(τ1=2.18 ns,38%;τ2=32.32 ns,62%)。本研究证实,I-掺杂可实现Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体热稳定性与光电性能的优化,为无铅钙钛矿在光电器件领域的应用提供新选择。 展开更多
关键词 钙钛矿材料 I-掺杂 Cs_(3)Bi_(2)Br_(9)晶体 溶液降温法 光学性能
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水热法合成氧化锌晶体 被引量：19
2
作者 董国义 韦志仁 +3 位作者 林岩 王立明 李志强 张华伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期130-133,共4页
本文采用水热法 ,通过改变矿化剂浓度 ,合成了具有不同晶体形态的氧化锌晶体。在 4 30℃ ,填充度为 35 % ,矿化剂浓度为 1MKOH时 ,只合成了氧化锌微晶。氧化锌晶体的长度为几百纳米到几微米 ,晶体形状为六棱锥体。当矿化剂为 3MKOH或 2M... 本文采用水热法 ,通过改变矿化剂浓度 ,合成了具有不同晶体形态的氧化锌晶体。在 4 30℃ ,填充度为 35 % ,矿化剂浓度为 1MKOH时 ,只合成了氧化锌微晶。氧化锌晶体的长度为几百纳米到几微米 ,晶体形状为六棱锥体。当矿化剂为 3MKOH或 2MKOH、1MKBr时 ,合成了高质量的氧化锌晶体。反应 2 4h后 ,合成的最大晶体长度 (c轴方向 )超过 1mm ,晶体呈单锥六棱柱体 ,显露柱面m{ 10 10 }、锥面p{ 10 11}、负极面o面 { 0 0 0 1}。另外还生成多种不同形态的微晶体 ,最小几微米 ,中等的几十微米 ,为六棱锥体 ,显露锥面p{ 10 11}、负极面o面 { 0 0 0 1} ,没有显露柱面。 展开更多
关键词 水热法 合成 氧化锌晶体 形态 矿化剂 浓度
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小晶粒FeZSM-5分子筛合成过程中晶粒大小和分布的控制 被引量：21
3
作者 孙慧勇 胡津仙 +1 位作者 王建国 周敬来 《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期188-192,共5页
用水热法合成了晶粒大小在 2 0 0～ 10 0 0nm的小晶粒FeZSM -5分子筛 ,并对碱度、温度、模板剂和初始凝胶浓度等对分子筛晶粒大小和分布的影响进行了研究。结果表明 ,较高的碱度和反应物浓度有利于小晶粒杂原子分子筛的合成 ;程序升温... 用水热法合成了晶粒大小在 2 0 0～ 10 0 0nm的小晶粒FeZSM -5分子筛 ,并对碱度、温度、模板剂和初始凝胶浓度等对分子筛晶粒大小和分布的影响进行了研究。结果表明 ,较高的碱度和反应物浓度有利于小晶粒杂原子分子筛的合成 ;程序升温法合成的分子筛颗粒小、粒度均匀 ,抑制了二次成核过程 ;模板剂的种类对FeZSM -5分子筛的尺寸也有显著影响 ,分别以正丁胺、乙二胺和己二胺为模板剂合成了FeZSM -5分子筛 ,晶粒大小顺序为正丁胺 <己二胺 <乙二胺。 展开更多
关键词 小晶粒 FeZSM-5 分子筛 水热合成 分布
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硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响 被引量：12
4
作者 张建芹 王圣来 +7 位作者 房昌水 孙洵 顾庆天 李毅平 王坤鹏 王波 李云南 刘冰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1505-1508,共4页
SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶... SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。 展开更多
关键词 硫酸根 KDP晶体 晶体生长 快速生长
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快速生长KDP晶体的光学性质研究 被引量：10
5
作者 孙洵 许心光 +5 位作者 王正平 王圣来 李毅平 顾庆天 房昌水 高樟寿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期440-444,共5页
本文研究了快速生长的KDP晶体光学性质 ,结果表明快速生长的KDP晶体的光学性质低于传统降温法生长的晶体 ,原料中阴离子杂质的存在是造成这一结果的主要原因 ,确保快速生长晶体质量的首要条件是提高原料的纯度。
关键词 研究 KDP晶体 快速生长 光学性质 阴离子杂质
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纳米CeO_2吸附剂的制备及对六价铬的吸附性能 被引量：9
6
作者 张金洋 黄敏 +3 位作者 李琴 刘敏 付孝锦 雷光东 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1662-1669,共8页
吸附法是去除水中重金属离子的重要方法,开发新型吸附剂一直是研究热点。利用浸渍法和水热法制备了片状和无定形的纳米CeO_2吸附剂,探讨其对六价铬的吸附性能,分析pH、吸附时间、六价铬初始浓度等因素对其吸附性能的影响,并通过循环吸... 吸附法是去除水中重金属离子的重要方法,开发新型吸附剂一直是研究热点。利用浸渍法和水热法制备了片状和无定形的纳米CeO_2吸附剂,探讨其对六价铬的吸附性能,分析pH、吸附时间、六价铬初始浓度等因素对其吸附性能的影响,并通过循环吸附实验考察纳米CeO_2吸附剂的再生能力。结果表明:厚度30 nm、直径大小约为400nm的片状CeO_2吸附剂具有更强的吸附能力和更快的吸附速率,80 min时基本达到吸附平衡;两种吸附剂的最佳吸附pH为3;吸附动力学均符合伪二级动力学方程,Langmuir模型和Freundlich模型均能很好地拟合等温吸附过程,表明纳米CeO_2对六价铬的吸附以单层吸附为主。片状CeO_2四次吸附-解吸实验之后吸附率稍有下降,表明片状CeO_2吸附剂有较好的再生能力,因而,该片状CeO_2吸附剂适用于与酸性Cr(Ⅵ)废水的处理。 展开更多
关键词 片状CeO2 无定型CeO2 六价铬 吸附
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二水硫酸钙结晶的影响因素研究 被引量：15
7
作者 陈曲仙 杨柳春 +2 位作者 陈敏 张俊丰 黄妍 《湘潭大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2014年第3期60-66,共7页
采用反应结晶的实验方法,结合地球化学模拟软件PHREEQC计算获得的离子活度积、溶度积以及过饱和指数等热力学参数,对二水硫酸钙结晶的主要影响因素进行了研究.结果表明:实验条件下,温度、nCa2+/nSO42-、反应物浓度是影响二水硫酸钙结晶... 采用反应结晶的实验方法,结合地球化学模拟软件PHREEQC计算获得的离子活度积、溶度积以及过饱和指数等热力学参数,对二水硫酸钙结晶的主要影响因素进行了研究.结果表明:实验条件下,温度、nCa2+/nSO42-、反应物浓度是影响二水硫酸钙结晶的关键因素,而反应溶液pH的影响不明显.温度升高会大大缩短结晶诱导时间,且较高温度下(55℃)晶体生长得更为粗壮和均匀;nCa2+/nSO42-和反应物浓度的改变使得溶液的离子活度积、过饱和度发生变化,从而影响结晶诱导时间和晶体形貌.适中的过饱和条件(S≈2.19)更有利于形成饱满且尺寸分布均匀的晶体;较低过饱和度条件下,适当地增大溶液nCa2+/nSO42-,不仅可以缩短结晶诱导时间,还可以促进晶体在b轴方向的生长. 展开更多
关键词 二水硫酸钙 结晶 诱导时间 PHREEQC
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添加剂下KDP晶体的快速生长 被引量：14
8
作者 杨上峰 苏根博 +1 位作者 李征东 江日洪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期42-47,共6页
本文在测定ＫＤＰ溶解度曲线及介稳区的基础上，通过添加几种硼酸盐类添加剂，并采用Ｚ切点籽晶实现了ＫＤＰ晶体的快速生长，［００１］和［１００］方向的生长速度可达１０～１５ｍｍ／ｄ（５Ｌ生长槽）。
关键词 KDP晶体 非线性光学晶体 晶体生长 水溶液法
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从无序到有序ZnO纳米棒的制备 被引量：6
9
作者 刘然 章婷 +5 位作者 赵谡玲 徐征 张福俊 李远 宋林 徐叙瑢 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期488-489,493,共3页
采用3种不同的方法在氧化铟锡玻璃衬底上沉积一层ZnO纳米晶薄膜,然后采用改进的水热法在制备有ZnO纳米晶薄膜的衬底上生长ZnO纳米棒,实现了纳米棒从无序到有序的生长。从XRD和SEM图可得,有序的纳米棒沿(002)择优取向,基本与衬底垂直,平... 采用3种不同的方法在氧化铟锡玻璃衬底上沉积一层ZnO纳米晶薄膜,然后采用改进的水热法在制备有ZnO纳米晶薄膜的衬底上生长ZnO纳米棒,实现了纳米棒从无序到有序的生长。从XRD和SEM图可得,有序的纳米棒沿(002)择优取向,基本与衬底垂直,平均直径约为40nm。 展开更多
关键词 ZnO纳米晶薄膜 改进的水热法 ZNO纳米棒 有序
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DKDP晶体快速生长条件的研究 被引量：10
10
作者 张克从 宋有庭 +1 位作者 常新安 王希敏 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1997年第1期110-118,共9页
研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长... 研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长出ＤＫＤＰ晶体．晶体消光比的测定结果表明，快速生长的ＤＭＰ晶体的光学均匀性并未降低． 展开更多
关键词 DKDP晶体 生长条件 快速生长 晶体生长
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大截面KDP晶体生长研究动态 被引量：6
11
作者 苏根博 贺友平 +4 位作者 李征东 黄炳荣 曾金波 江日洪 颜明山 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期348-352,共5页
介绍大截面ＫＤＰ晶体的应用背景及惯性来约束核聚变对ＫＤＰ晶体的需要，评述ＫＤＰ晶体快速生长方法。
关键词 晶体生长 非线性光学材料 磷酸二氢钾 水溶液法
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水热合成GdVO4：Eu^3＋晶体随pH值的形貌和性能演变 被引量：5
12
作者 燕映霖 王娟 +1 位作者 王亮亮 许云华 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期573-581,共9页
使用氧化钆、氧化铕和偏钒酸铵为原料,以DTAB为表面活性剂,在不同的反应溶液pH值条件下,采用水热合成法得到了从微米尺度到纳米尺度的一系列钒酸钆荧光粉。通过X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和荧光... 使用氧化钆、氧化铕和偏钒酸铵为原料,以DTAB为表面活性剂,在不同的反应溶液pH值条件下,采用水热合成法得到了从微米尺度到纳米尺度的一系列钒酸钆荧光粉。通过X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(PL)等测试手段对不同形貌的样品的物相及微观形貌和发光性能进行表征。结果表明,在强酸环境下,晶体颗粒较大,为微米级,随着pH值的提升,晶体颗粒尺寸变小,进入纳米级,在pH为7,10时,分别得到50 nm以下的纳米晶片,且分散性良好。另外pH=7时观察到更为微小的小晶粒团,相比之下碱性环境下纳米晶片的结晶度较高。发光性能测试表明,样品发光性能随晶粒尺寸和结晶度变化显著。纳米尺度结晶良好的产品发光性能优异。 展开更多
关键词 钒酸钆 水热合成法 发光材料 纳米材料 PH值 稀土
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晶种诱导水热合成二硫化钴CoS_2粉体及结构精修 被引量：12
13
作者 张玲 郑毓峰 +1 位作者 孙言飞 董有忠 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第1期47-52,共6页
采用水热法,以EDTA作为螯合剂,加入N iSe2作为晶种,在碱性条件下合成CoS2粉体.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的晶相组成及形貌进行表征,利用R ietve ld法及M aud程序对样品进行结构精修.R ietve ld精修结果表明,... 采用水热法,以EDTA作为螯合剂,加入N iSe2作为晶种,在碱性条件下合成CoS2粉体.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的晶相组成及形貌进行表征,利用R ietve ld法及M aud程序对样品进行结构精修.R ietve ld精修结果表明,所得样品具有AB2型立方结构,空间群Pa3,晶格常数a=5.5340,并用M aud程序所得精修数据来表征产物晶粒形貌的立体结构. 展开更多
关键词 CoSz 水热 诱导结晶 RIETVELD结构精修
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DKDP晶体亚稳相生长研究 被引量：5
14
作者 常新安 王希敏 +2 位作者 肖卫强 臧和贵 张克从 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期48-53,共6页
本文通过大量ＤＫＤＰ晶体亚稳相生长实验，对影响ＤＫＤＰ亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究，并简要探讨了其影响机理，提出了消除或减弱不利影响的措施，为生长优质大尺寸ＤＫＤＰ晶体提供了依据。
关键词 非线性光学晶体 DKDP晶体 亚稳相生长 晶体生长
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共沉淀法制备(Ni,Zn)Fe_2O_4纳米复合材料及其特性研究 被引量：4
15
作者 方静华 项金钟 +3 位作者 胡永茂 信思树 李茂琼 吴兴惠 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期12-16,共5页
　以FeSO4·7H2O、NiSO4·6H2O和ZnSO4·7H2O为原料,通过共沉淀法先制备出晶粒细小的碱式碳酸盐前驱体,在不同的温度下焙烧1h,制备出(Ni,Zn)Fe2O4纳米晶复合材料,利用XRD和TEM等方法对样品进行了分析表征;并考察了其气敏特... 　以FeSO4·7H2O、NiSO4·6H2O和ZnSO4·7H2O为原料,通过共沉淀法先制备出晶粒细小的碱式碳酸盐前驱体,在不同的温度下焙烧1h,制备出(Ni,Zn)Fe2O4纳米晶复合材料,利用XRD和TEM等方法对样品进行了分析表征;并考察了其气敏特性和红外吸收性能。结果表明:(Ni,Zn)Fe2O4在500℃下开始固相反应并结晶成为纳米晶体,在800℃下晶粒尺寸约为50nm。 展开更多
关键词 共沉淀法 (Ni Zn)Fe2O4 纳米晶体 复合材料
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不同波长三倍频DKDP晶体的激光损伤 被引量：4
16
作者 刘宝安 孙绍涛 +7 位作者 季来林 赵元安 胡国行 徐明霞 高慧 王正平 孙洵 许心光 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期323-326,共4页
采用传统降温法,利用高纯原料从氘化程度为80%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并按Ⅱ类三倍频方式切割晶体。三倍频用DKDP晶体的最大问题在于其抗光伤阈值低于KDP晶体,严重限制了激光输出的能量密度和晶体使用寿命。考察了不... 采用传统降温法,利用高纯原料从氘化程度为80%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并按Ⅱ类三倍频方式切割晶体。三倍频用DKDP晶体的最大问题在于其抗光伤阈值低于KDP晶体,严重限制了激光输出的能量密度和晶体使用寿命。考察了不同波长下三倍频DKDP晶体的损伤阈值,以及激光退火效应。实验表明,激光退火对于DKDP晶体的损伤阈值有显著的提升作用,基频、倍频、三倍频的提升效果分别达到1.4,1.9,2.7倍,是改善DKDP晶体抗光伤能力的有效途径。 展开更多
关键词 四方相磷酸二氘钾晶体 三倍频 激光损伤 激光退火
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掺质KTP型晶体生长与性能研究 被引量：7
17
作者 张克从 龚亚京 王希敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期314-322,共9页
采用高温溶液法生长了含掺质离子Ｚｒ４ ＋ ，Ｇａ３ ＋ 的单掺和双掺系列ＫＴＰ型晶体。晶体生长过程中发现Ｇａ 掺入溶液后，体系更加稳定，容易生长出光学质量的晶体；而Ｚｒ 掺入溶液后体系稳定性降低，晶体生长较困难。用等离子体... 采用高温溶液法生长了含掺质离子Ｚｒ４ ＋ ，Ｇａ３ ＋ 的单掺和双掺系列ＫＴＰ型晶体。晶体生长过程中发现Ｇａ 掺入溶液后，体系更加稳定，容易生长出光学质量的晶体；而Ｚｒ 掺入溶液后体系稳定性降低，晶体生长较困难。用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量，计算出掺质离子的分配系数，发现生长体系中Ｇａ 无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下，Ｇａ 在晶体中的含量都十分稳定。测定了晶体的晶胞参数、紫外可见红外吸收光谱，测定的结果发现，晶胞参数均变化不大，在吸收光谱中Ｇａ∶ＫＴＰ在可见光谱区有少量的光吸收，而Ｚｒ∶ＫＴＰ晶体是无色透明的。通过粉末倍频实验发现，Ｚｒ 的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高。通过晶体ｃ 轴向离子电导率的测试发现，Ｇａ 的掺入使ｃ 轴向电导率降低了大约３ 个数量级。双掺Ｚｒ 和Ｇａ 的晶体是性能更为优良的掺质ＫＴＰ型晶体。 展开更多
关键词 KTP晶体 非线性光学晶体 掺质 溶液法 晶体生长
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碲镉汞富碲垂直液相外延技术 被引量：3
18
作者 杨建荣 张传杰 +7 位作者 方维政 魏彦锋 刘从峰 孙士文 陈晓静 徐庆庆 顾仁杰 陈新强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期325-329,共5页
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应... 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义. 展开更多
关键词 半导体技术 碲镉汞外延材料 液相外延 垂直浸渍外延
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实时研究Fe^(3+)对Z切向ADP晶体成锥动力学过程的影响 被引量：5
19
作者 钟德高 滕冰 +5 位作者 董胜明 于正河 赵严帅 许辉 由飞 张世明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期59-63,共5页
设计了一套显微实时观测系统,分析了Z切向ADP晶体成锥过程中形成的薄表面层的生长动力学。通过实时记录成锥薄表面层的切向速度,得到了成锥薄层生长速度随过饱和度的变化曲线。计算出了成锥薄层生长相关动力学系数,发现Fe3+掺杂可以提... 设计了一套显微实时观测系统,分析了Z切向ADP晶体成锥过程中形成的薄表面层的生长动力学。通过实时记录成锥薄表面层的切向速度,得到了成锥薄层生长速度随过饱和度的变化曲线。计算出了成锥薄层生长相关动力学系数,发现Fe3+掺杂可以提高薄表面层的切向生长速度,从而加速Z切向ADP晶体的成锥过程。扫描电镜断口形貌显示薄表面层内部存在很多大尺寸缺陷。利用高分辨X射线衍射,测量了掺杂和未掺杂Fe3+成锥薄层样品的单晶摇摆曲线,发现Fe3+掺杂没有降低薄层的结晶质量。 展开更多
关键词 ADP晶体 薄表面层 动力学系数
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g-C3N4/ZnO复合光催化剂的制备及其光催化活性 被引量：6
20
作者 于艳 姚秉华 +2 位作者 张洁 任有良 徐珊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期131-136,143,共7页
以硝酸锌、三聚氰胺、氢氧化钠为原料,采用回流法合成g-C_3N_4/Zn O复合光催化剂。利用傅里叶红外光谱(FTIR),X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)及N_2吸附-脱附(BET)等技术对所合成样品的组成和形貌... 以硝酸锌、三聚氰胺、氢氧化钠为原料,采用回流法合成g-C_3N_4/Zn O复合光催化剂。利用傅里叶红外光谱(FTIR),X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)及N_2吸附-脱附(BET)等技术对所合成样品的组成和形貌进行表征。在模拟太阳光条件下,以亚甲基蓝为模拟污染物评价催化剂的活性。结果表明,g-C_3N_4加入量为5wt%,煅烧温度500℃,煅烧时间2 h条件下制备的复合光催化剂具有最佳的光催化活性。5wt%g-C_3N_4/Zn O复合光催化剂在反应40 min时对亚甲基蓝的降解率可达到98.5%,其光催化降解速率为纯Zn O的2.8倍。 展开更多
关键词 g-C3N4 ZN O 亚甲基蓝 光催化
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