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垂直布里奇曼法生长4英寸Fe掺杂(010)β-氧化镓及其性能表征
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作者 李明 叶浩函 +6 位作者 王琤 沈典宇 王芸霞 王嘉君 夏宁 张辉 杨德仁 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第1期52-57,共6页
本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)晶体生长系统,结合仿真迭代优化温场结构,成功实现了以微凸固液界面与适宜温度梯度生长大尺寸、高质量的Fe掺杂β相半绝缘氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶。经加工制备出高质量的4英寸(010)取向半绝缘衬... 本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)晶体生长系统,结合仿真迭代优化温场结构,成功实现了以微凸固液界面与适宜温度梯度生长大尺寸、高质量的Fe掺杂β相半绝缘氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶。经加工制备出高质量的4英寸(010)取向半绝缘衬底。对该衬底的结晶质量、表面形貌及电学性能进行系统表征。测试结果表明,衬底无裂纹等宏观缺陷,X射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)均低于50′′,显示出优良的结晶质量。表面形貌分析显示,衬底最大表面粗糙度为0.074 nm,局部厚度偏差(LTV)小于3.4μm,总厚度偏差(TTV)为4.157μm,翘曲度(Warp)和弯曲度(Bow)分别为5.886和1.103μm,说明衬底加工质量良好。电学测试表明,衬底平均电阻率达7.9×10^(10)Ω·cm,面内不均匀性为7.77%,证明VB法在实现均匀掺杂方面表现优异,具备应用于微波射频(RF)器件的潜力。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带半导体 晶体生长 垂直布里奇曼 单晶衬底 掺杂
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碳化硅单晶制备方法及缺陷控制研究进展
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作者 杨皓 李太 +2 位作者 张广鑫 吕国强 陈秀华 《材料导报》 北大核心 2026年第2期29-41,共13页
碳化硅(SiC)作为第三代半导体具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。目前用于SiC晶体生长的主要技术包括物理气相传输(PVT)法、高温... 碳化硅(SiC)作为第三代半导体具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。目前用于SiC晶体生长的主要技术包括物理气相传输(PVT)法、高温化学气相沉积(HTCVD)法和顶部籽晶溶液生长(TSSG)法。在SiC单晶生长和外延过程中,不可避免地会产生各种类型的缺陷,这些缺陷对半导体器件的性能会产生显著影响,具体表现为击穿电压降低、漏电流增加以及导通电阻变化等,这些性能的变化不仅会降低器件的效率和可靠性,还可能导致器件完全失效。因此,为了提高SiC半导体器件的良率和性能,在器件制造之前降低和控制SiC晶体生长过程中产生的各种缺陷变得非常重要。本文对当前SiC单晶的制备方法、SiC晶体生长过程中产生的缺陷及其检测技术进行了归纳总结,分析研究了SiC晶体生长过程中产生的缺陷之间的转化及影响因素,并讨论了降低SiC单晶缺陷密度的方法,最后对SiC单晶生长过程中缺陷的控制技术发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 晶体生长 缺陷 数值模拟
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KTb_(3)F_(10)单晶生长及光谱性能研究
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作者 刘国晋 黄昌保 +5 位作者 余学舟 祁华贝 胡倩倩 倪友保 王振友 吴海信 《无机材料学报》 北大核心 2026年第3期370-376,共7页
KTb_(3)F_(10)(KTF)晶体具有Tb^(3+)离子浓度高、热光系数小、声子能量低等优点,在绿光和黄光波段展现出高效激光输出潜力。然而,其非一致熔融特性、原料易潮解、高温下组分易挥发以及氟化物腐蚀性等问题,成为制约高品质KTF晶体生长的... KTb_(3)F_(10)(KTF)晶体具有Tb^(3+)离子浓度高、热光系数小、声子能量低等优点,在绿光和黄光波段展现出高效激光输出潜力。然而,其非一致熔融特性、原料易潮解、高温下组分易挥发以及氟化物腐蚀性等问题,成为制约高品质KTF晶体生长的关键障碍。本研究致力于探索一种有效的方法,克服上述难题,以生长出高品质KTF晶体并系统表征其光学性能。采用优化的垂直布里奇曼法,并结合激光真空密封铂坩埚技术,有效隔绝了原料与水氧杂质的接触,同时,密封的生长环境极大地抑制了晶体生长过程中的组分偏离现象。通过该创新工艺,成功生长出尺寸为ϕ16 mm×30 mm的KTF毛坯晶体。KTF晶体(111)晶面的X射线摇摆曲线半高宽为0.08°,显示出较高的晶体完整性。热分析表明KTF晶体在高温下存在明显的挥发行为。光谱测试显示,KTF晶体在400~1600 nm波段的平均透过率>90%,1064 nm处吸收系数<0.007 cm^(-1),具有较低的光学损耗。Tb^(3+)离子^(5)D_(4)能级的荧光寿命为4.82~4.99 ms,较氧化物基质长3~5倍,这归因于低声子氟化物基质对非辐射弛豫的抑制。本研究成功建立了一种可行的KTF晶体生长方法,为KTF晶体及同类型三元氟化物的可控生长提供了一种新的技术路径,为KTF晶体在黄绿光波段的高效输出应用提供了有益参考。 展开更多
关键词 KTb_(3)F_(10) 垂直布里奇曼法 光谱性能 荧光寿命
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改进YOLOv8的晶体熔接阶段图像视觉识别检测方法
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作者 李振成 李桐 +2 位作者 胡涛 张自主 王海欣 《计算机科学与应用》 2026年第1期72-86,共15页
直拉硅晶体生长熔接流程中生长界面温度检测是保障后续引晶成功的重要任务。现有的目标检测模型对熔接凸点目标检测存在定位不准确,误检率高等问题,本文提出了一种改进了基于特征增强的YOLOv8算法。首先,针对熔接光圈图像中小目标容易... 直拉硅晶体生长熔接流程中生长界面温度检测是保障后续引晶成功的重要任务。现有的目标检测模型对熔接凸点目标检测存在定位不准确,误检率高等问题,本文提出了一种改进了基于特征增强的YOLOv8算法。首先,针对熔接光圈图像中小目标容易出现误检和漏检的常见问题,引入BiFPN的思想对YOLOv8m中的颈部部分进行改进。为了进一步提升检测精度,在特征融合网络中采用了更轻量的动态上采样算子DySample,以提高融合特征的质量和丰富度。在工业提供的数据集上评估了YOLOv8-A模型,实验结果表明,与原来算法相比,YOLOv8-A的参数量和计算量分别减少至2.19 × 10^7,同时实现了98.2%的mAP,对小目标的检测提升了5.8个百分点。通过与其它主流目标检测算法比较,验证了该方法的有效性和优越性。 展开更多
关键词 缺陷检测 YOLOv8 采样算子DySample BiFPN模块 轻量级网络
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Predicting the synthesizability of inorganic crystals by bridging crystal graphs and phonon dynamics
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作者 Mei Ma Wei Ma +2 位作者 Le Gao Zong-Guo Wang Hao Liu 《Chinese Physics B》 2026年第1期35-44,共10页
Accurately predicting the synthesizability of inorganic crystal materials serves as a pivotal tool for the efficient screening of viable candidates,substantially reducing the costs associated with extensive experiment... Accurately predicting the synthesizability of inorganic crystal materials serves as a pivotal tool for the efficient screening of viable candidates,substantially reducing the costs associated with extensive experimental trial-and-error processes.However,existing methods,limited by static structural descriptors such as chemical composition and lattice parameters,fail to account for atomic vibrations,which may introduce spurious correlations and undermine predictive reliability.Here,we propose a deep learning model termed integrating graph and dynamical stability(IGDS)for predicting the synthesizability of inorganic crystals.IGDS employs graph representation learning to construct crystal graphs that precisely capture the static structures of crystals and integrates phonon spectral features extracted from pre-trained machine learning interatomic potentials to represent their dynamic properties.Our model exhibits outstanding performance in predicting the synthesizability of low-energy unsynthesizable crystals across 41 material systems,achieving precision and recall values of 0.916/0.863 for ternary compounds.By capturing both static structural descriptors and dynamic features,IGDS provides a physics-informed method for predicting the synthesizability of inorganic crystals.This approach bridges the gap between theoretical design concepts and their practical implementation,thereby streamlining the development cycle of new materials and enhancing overall research efficiency. 展开更多
关键词 crystal synthesizability prediction deep learning graph learning AI for science
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热屏结构对直径400 mm直拉单晶硅生长的影响
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作者 艾进才 杨平平 +1 位作者 赵紫薇 高忙忙 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第1期68-76,共9页
单晶硅是制备半导体的关键材料之一,在降低成本的驱使下,大直径化和快速拉晶技术是直拉法制备单晶硅的发展趋势之一。本文提出了一种双热屏结构,分析了双热屏结构对单晶硅生长过程中的温度场和气体流场、固液界面、单晶硅生长速度、热... 单晶硅是制备半导体的关键材料之一,在降低成本的驱使下,大直径化和快速拉晶技术是直拉法制备单晶硅的发展趋势之一。本文提出了一种双热屏结构,分析了双热屏结构对单晶硅生长过程中的温度场和气体流场、固液界面、单晶硅生长速度、热应力的影响。结果表明,双热屏结构可以对固液界面附近氩气进行导流,消除热屏外侧的氩气涡流,增加晶体的散热,从而提高晶体的生长速率,最大生长速率提高了19.2%;同时,双热屏结构还可以改善固液界面波动,相较于单热屏结构,最大热应力降低了4.266 MPa。因此,双热屏结构具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 直拉单晶硅 热屏结构 生长速度 固液界面 热应力 点缺陷
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二维莫尔材料的制备及新奇物性
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作者 曹品品 陈瑞杰 +1 位作者 郝玉英 樊晓鹏 《应用光学》 北大核心 2026年第1期80-97,共18页
莫尔材料中存在周期性的莫尔超晶格,是天然人工量子系统,其独特的电子能带结构及新奇物性使其在电子学、光电子学等领域具有潜在应用价值,是延续摩尔定律的候选电子材料。当下,二维莫尔材料的研究范畴已从单一材料体系拓展到多元异质结... 莫尔材料中存在周期性的莫尔超晶格,是天然人工量子系统,其独特的电子能带结构及新奇物性使其在电子学、光电子学等领域具有潜在应用价值,是延续摩尔定律的候选电子材料。当下,二维莫尔材料的研究范畴已从单一材料体系拓展到多元异质结构,从双层堆叠发展到多层堆叠,从固定转角延伸到转角连续可调,为探索强关联电子体系和拓扑量子态提供了全新的平台。如何大批量、产业化制备高质量二维莫尔材料,探究其内在性质,推动其在半导体领域的应用是亟待解决的重要问题。综述了近年来二维莫尔材料的研究进展,包括材料的制备方法以及在实验中发现的多种新奇物性,并对二维莫尔材料的研究现状进行了总结和展望。 展开更多
关键词 二维莫尔材料 过渡金属硫族化合物 莫尔超晶格 石墨烯
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基于小样本数据的晶体合成工艺智能推荐研究
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作者 朱冬 杨小渝 +5 位作者 唐述杰 朱锋锋 孔潇 郭艳峰 李兵 秦志鹏 《数据与计算发展前沿(中英文)》 2026年第1期219-231,共13页
【背景】晶体合成是制备新材料的关键环节,但工艺条件复杂多变,实验数据稀缺,工艺确定困难。【问题】如何基于有限的“结构-工艺”数据实现晶体合成工艺的智能生成与可行性评估,是当前亟待解决的问题。【方法】本文基于晶体结构理解增... 【背景】晶体合成是制备新材料的关键环节,但工艺条件复杂多变,实验数据稀缺,工艺确定困难。【问题】如何基于有限的“结构-工艺”数据实现晶体合成工艺的智能生成与可行性评估,是当前亟待解决的问题。【方法】本文基于晶体结构理解增强模型CrysBert,构建了适用于小样本的结构-工艺可行性判别模型;基于晶体结构生成模型CrysGPT,构建了晶体合成工艺生成模型;通过CrysBert和CrysGPT的协同,实现晶体工艺的自动生成与筛选。【结果】基于162条小样本数据训练,工艺判别模型准确率达到0.90,明显优于传统方法;工艺生成模型推荐的候选工艺,经判别模型评价,可行工艺比例达到60.7%,与领域专家推荐工艺的成功率(62.3%)接近。【结论】本研究验证了通过CrysBert和CrysGPT的协同,可为晶体合成工艺的智能设计提供新途径。 展开更多
关键词 CrysBert CrysGPT 工艺智能推荐 小样本数据 晶体工艺设计
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1株内切葡聚糖酶基因Cel042的克隆与表达
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作者 沈晓静 赵健 +2 位作者 王海娟 赵明敏 闹干朝鲁 《安徽农业科学》 2026年第2期88-92,共5页
从玉米秸秆还田土壤中分离1株具有高效降解玉米秸秆功能的菌株,即嗜麦芽寡养单胞菌CHB1。通过PCR扩增,成功地克隆出1株内切葡聚糖酶基因Cel042,并将其与大肠杆菌DH5α相连,从而证实了这株菌株中是否存在这种酶基因。将该纤维素酶基因连... 从玉米秸秆还田土壤中分离1株具有高效降解玉米秸秆功能的菌株,即嗜麦芽寡养单胞菌CHB1。通过PCR扩增,成功地克隆出1株内切葡聚糖酶基因Cel042,并将其与大肠杆菌DH5α相连,从而证实了这株菌株中是否存在这种酶基因。将该纤维素酶基因连接到表达载体pPIC9中,成功构建了重组表达质粒载体pPIC9-Cel042。通过在毕赤酵母GS115中表达,并在甲醇诱导下进一步明确该菌株中是否含有内切葡聚糖酶基因,发酵上清液经过刚果红检测,发现纤维素酶基因过表达菌株活性较强。经过纤维素酶过表达菌株GPC1、GPC2、GPC3、GPC4、GPC5和GPC6的处理,玉米秸秆的降解效果显著,其中GPC1的降解率最高,达到42.4%,而GPC6的降解率则更高,达到了42.5%。 展开更多
关键词 内切葡聚糖酶 基因克隆 基因表达 秸秆降解
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ϕ60 mm大尺寸红外非线性BaGa_(4)Se_(7)晶体与器件制备
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作者 王振友 毛长宇 +3 位作者 陈伟豪 徐俊杰 余学舟 吴海信 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期909-911,共3页
硒镓钡(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)晶体是一种综合性能优异的新型红外非线性光学晶体。制备大尺寸、高品质BGSe晶体是目前研究的主要目标。本实验室采用双温区合成炉单次实现500 g以上高纯BGSe多晶原料合成;采用改进的布里奇曼法生长出ϕ60 mm... 硒镓钡(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)晶体是一种综合性能优异的新型红外非线性光学晶体。制备大尺寸、高品质BGSe晶体是目前研究的主要目标。本实验室采用双温区合成炉单次实现500 g以上高纯BGSe多晶原料合成;采用改进的布里奇曼法生长出ϕ60 mm BGSe晶体棒;通过定向、切割和抛光等加工,制备出10 mm×10 mm×50 mm以上BGSe激光频率转换器件。制备的晶体与器件尺寸均为目前报道的最大值,可为中长波红外激光输出研究提供晶体及器件支撑。 展开更多
关键词 BaGa_(4)Se_(7)单晶 双温区合成 改进的布里奇曼法 激光频率转换器件 中长波红外
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氧化锌纳米材料制备方法研究进展
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作者 程振宇 孟浩楠 +2 位作者 朱亚楠 李国超 逄增媛 《化工新型材料》 北大核心 2026年第1期219-222,227,共5页
氧化锌作为一种制备简单、无毒环保的半导体金属氧化物,广泛应用于传感器、光催化等领域。简要介绍了氧化锌的微观结构、性能特点及应用情况,综述了氧化锌纳米材料的制备方法,并总结了各种制备方法的优缺点。
关键词 氧化锌 半导体 制备方法 多维度
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硫酸钙晶须在沥青中的应用研究进展
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作者 沈笔勤 贾中帅 +1 位作者 白倩慧 史培阳 《无机盐工业》 北大核心 2026年第1期9-17,共9页
随着中国工业副产石膏的日益增加,探索其高值化利用途径已成为当前研究的热点。硫酸钙晶须作为一种具有高强度、高韧性和优异耐高温等特性的材料,逐渐成为利用工业副产石膏的一种重要方式。近年来,利用硫酸钙晶须对沥青改性的研究取得... 随着中国工业副产石膏的日益增加,探索其高值化利用途径已成为当前研究的热点。硫酸钙晶须作为一种具有高强度、高韧性和优异耐高温等特性的材料,逐渐成为利用工业副产石膏的一种重要方式。近年来,利用硫酸钙晶须对沥青改性的研究取得显著进展,表明硫酸钙晶须能显著提高沥青的高温性能、抗车辙能力及耐老化性能;但其在沥青改性过程中引发的低温性能下降问题仍需突破。为解决这些问题,研究者们开始探索将硫酸钙晶须与其他材料(如SBS聚合物、废弃油类)协同使用,或对其进行表面改性,以提高其在沥青中的性能。基于该领域研究进展的系统梳理,介绍硫酸钙晶须的制备方法、基本性质及其在改性沥青中的应用现状,首次系统总结其在沥青改性中的作用机理、改性效果及与其他材料的协同应用。此外,对硫酸钙晶须应用中面临的挑战及未来的研究方向进行展望。硫酸钙晶须作为一种可持续且具经济效益的材料,有望为沥青的改性提供一种新的途径,并推动道路工程的绿色发展。 展开更多
关键词 硫酸钙晶须 沥青 表面改性 绿色应用
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CO_(2)气氛下高择优取向(110)光学级金刚石膜的制备
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作者 杨鏊 刘宇晨 +4 位作者 郭之健 陈良贤 刘金龙 魏俊俊 李成明 《材料工程》 北大核心 2026年第2期285-293,共9页
传统微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)方法制备的金刚石膜常面临生长速率低、晶粒取向杂乱及非金刚石相缺陷等问题,限制了其光学性能的进一步提升。本研究将CO_(2)作为辅助气体,采用MPCVD... 传统微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)方法制备的金刚石膜常面临生长速率低、晶粒取向杂乱及非金刚石相缺陷等问题,限制了其光学性能的进一步提升。本研究将CO_(2)作为辅助气体,采用MPCVD方法沉积了高质量金刚石薄膜,并通入不同流量的CO_(2)进行沉积,利用光学发射光谱(optical emission spectroscopy,OES)仪测量不同CO_(2)流量下等离子体的光学发射特征。通过XRD、Raman、SEM对金刚石膜结晶质量、晶粒取向、表面形貌和生长速率进行表征。结果表明:加入一定量的CO_(2)(流量比CO_(2)/CH_(4)=2/6)有利于获得高(110)择优取向(I220/I111=18.19)金刚石薄膜,过高的CO_(2)/CH_(4)流量比会增强含氧基团的刻蚀作用,降低晶粒的择优程度;适量CO_(2)的加入对于金刚石结晶质量有较大提升,金刚石特征峰半峰全宽从12.68 cm^(-1)降低至8.26 cm^(-1);适量添加CO_(2)对金刚石生长有一定的促进作用。本研究在优化的流量比CO_(2)/CH_(4)=2/6的条件下,获得了生长速率4μm/h的高(110)取向(I220/I111=18.19)金刚石薄膜。金刚石自支撑膜经过抛光后在10.6μm波段的透过率达到71%,在长波红外波段其透过率接近理论值,可满足长波红外光学窗口和极紫外光刻机窗口的需求。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学气相沉积 (110)取向择优 CO_(2)辅助
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锡晶须生长影响因素分析与研究进展
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作者 田爽 焦鸿浩 +2 位作者 方玉财 陈祖斌 王剑峰 《中国集成电路》 2026年第1期78-84,共7页
随着电子产品向高性能、小型化、高可靠性方向发展,锡及其合金镀层因优良的抗腐蚀性与可焊性,在电子封装领域应用广泛,但锡晶须的自发性生长已成为制约电子器件稳定运行的关键瓶颈。本文系统综述锡晶须生长的核心影响因素,重点分析电镀... 随着电子产品向高性能、小型化、高可靠性方向发展,锡及其合金镀层因优良的抗腐蚀性与可焊性,在电子封装领域应用广泛,但锡晶须的自发性生长已成为制约电子器件稳定运行的关键瓶颈。本文系统综述锡晶须生长的核心影响因素,重点分析电镀工艺、镀层应力、环境温湿度、镀层晶粒结构尺寸与取向四大关键因素的作用规律。结合团队工作和国内外研究进展,重点分析了Pb元素添加抑制晶须生长的根本原因。最后指出未来研究需深化多因素耦合作用下的生长机制研究,结合先进表征技术完善动力学模型,并建立标准化评估体系,为电子器件寿命评估与失效防控提供技术支撑。 展开更多
关键词 电子封装 锡晶须 影响因素 可靠性
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热屏影响下直拉法单晶硅生长能耗及传热路径研究 被引量:1
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作者 祁超 李登辇 +3 位作者 李早阳 杨垚 钟泽琪 刘立军 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期949-959,共11页
单晶硅是太阳能电池的主要原材料,其生长成本直接影响电池的制造成本。因此,降低单晶硅生长能耗对光伏产业的降本增效至关重要。本文建立了直拉单晶硅生长的全局3D数值模型,考虑了单晶炉中加热器、电极等非旋转对称结构,能够更精确地模... 单晶硅是太阳能电池的主要原材料,其生长成本直接影响电池的制造成本。因此,降低单晶硅生长能耗对光伏产业的降本增效至关重要。本文建立了直拉单晶硅生长的全局3D数值模型,考虑了单晶炉中加热器、电极等非旋转对称结构,能够更精确地模拟单晶炉内的流动和传热过程。基于所建立的数值模型,研究了热屏冷、热侧发射率对单晶炉内能耗分配及辐射、对流和导热传热路径的影响规律。结果表明,冷、热侧发射率的降低均可取得明显的降耗效果,且降低冷侧发射率能够更加显著地降低能耗。在辐射传热方面,随着热屏冷、热侧发射率的降低,石墨坩埚和热屏热侧的吸热,以及硅熔体和热屏冷侧的放热均不断减小;随着热侧发射率的降低,顶保温的吸热出现了一定的增加。在对流传热方面,随着热屏冷侧发射率的降低,水冷屏吸热及热屏冷侧放热均不断增大,与冷侧相比,热侧发射率对对流传热的影响则相对较小。在导热传热方面,随着热屏冷热侧发射率的降低,热屏热侧到冷侧、石墨坩埚到石英坩埚,以及石英坩埚到硅熔体的导热均不断减小。本文研究结果可以为工业直拉单晶炉的精细化、深度化降耗提供重要的参考。 展开更多
关键词 热屏 能耗 传热路径 直拉单晶硅 数值模拟
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宽禁带半导体碳化硅基核辐射探测器研究进展 被引量:1
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作者 杜青波 杨亚鹏 +5 位作者 高旭东 张智 赵晓宇 王惠琦 刘轶尔 李国强 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期737-756,共20页
碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提... 碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提升,极大地促进了SiC基核辐射探测器的发展。本文从SiC核辐射探测器的原理及性能评价指标入手,分析了辐射探测时SiC材料与各种辐射粒子相互作用的方式、主要性能指标,以及主要性能指标与SiC晶体缺陷等的关系,并基于SiC晶体的物理性质,总结对比了探测器级SiC晶体衬底制备和外延生长的方法,重点介绍了SiC带电粒子探测器、中子探测器、X/γ探测器的最新研究进展,分析了SiC基核辐射探测器发展面临的挑战,为提高SiC基核辐射探测器的性能提供了参考。 展开更多
关键词 碳化硅 宽禁带半导体 半导体核辐射探测器 单晶生长 外延生长
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脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器 被引量:1
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作者 丁子舰 颜世琪 +1 位作者 徐希凡 辛倩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期329-336,共8页
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的... 本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的异质外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲紫外光电探测器。由于薄膜较好的结晶质量和较少的缺陷,该探测器在254 nm日盲紫外光照射下表现出良好的光电响应,5 V偏压下具有10^(-6)A的光电流及10^(-10)A的暗电流,光暗电流比可达104,最大响应度达到36.7 A/W,最大外量子效率为1.79×10^(4)%,最大探测率为2.45×10^(14)Jones。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 α相氧化镓 生长温度 氧分压 金属-半导体-金属 日盲光电探测器
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添加剂辅助生长CsPbBr_(3)单晶及其γ射线探测性能 被引量:1
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作者 陈燃 赵啸 +3 位作者 孟钢 GNATYUK Volodymyr 倪友保 王时茂 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1238-1244,共7页
CsPbBr_(3)单晶具有高原子序数、高载流子迁移率寿命积、高电阻率和对X/γ射线的阻挡能力强等优点,是一种极具应用前景的半导体辐射探测材料。CsPbBr_(3)单晶可以通过溶液法低成本生长,但溶液法生长CsPbBr_(3)单晶具有择优取向,获得的... CsPbBr_(3)单晶具有高原子序数、高载流子迁移率寿命积、高电阻率和对X/γ射线的阻挡能力强等优点,是一种极具应用前景的半导体辐射探测材料。CsPbBr_(3)单晶可以通过溶液法低成本生长,但溶液法生长CsPbBr_(3)单晶具有择优取向,获得的晶体多呈棒状,不利于器件制备,且晶体生长速度较快,单晶内容易出现孪晶等缺陷。本文在逆温度结晶法生长CsPbBr_(3)单晶过程中引入十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为添加剂调控单晶的生长速率(主要减缓[002]晶向的生长速度,抑制单晶的择优取向),提升单晶质量。晶体的摇摆曲线半峰全宽为0.08°,电阻率达到了8.14×10^(9)Ω·cm,载流子迁移率寿命积为6.44×10^(-3)cm^(2)·V^(-1),缺陷态密度为2.07×10^(10)cm^(-3),展现出良好的晶体质量和电学性质。基于获得的CsPbBr_(3)晶体制备的γ射线探测器实现了对241Am 59.5 keV γ射线光子10.25%的能谱分辨率。这些结果展示了添加剂辅助生长的高质量CsPbBr_(3)单晶在辐射探测应用中的潜力。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)单晶 逆温度结晶法 添加剂 空间位阻效应 Γ射线探测器
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加热器结构对轻掺磷超低氧直拉单晶硅氧杂质分布的影响 被引量:1
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作者 商润龙 陈亚 +4 位作者 芮阳 王黎光 马成 伊冉 杨少林 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期801-808,共8页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是能源转换与传输的核心器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天及电动汽车等领域。作为IGBT芯片的衬底材料,轻掺磷超低氧硅晶圆的品质对IGBT芯片的性能起着至关重要的作用。由于直拉(Czochralski, Cz)单... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是能源转换与传输的核心器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天及电动汽车等领域。作为IGBT芯片的衬底材料,轻掺磷超低氧硅晶圆的品质对IGBT芯片的性能起着至关重要的作用。由于直拉(Czochralski, Cz)单晶硅拉制的过程中需要用到含氧的石英坩埚,生长的单晶硅氧含量通常达到4×10^(17)~9×10^(17)atoms/cm^(3),远高于IGBT用硅片所需的小于2.5×10^(17)atoms/cm3的氧含量需求。为解决上述问题,本文通过对应用32英寸(1英寸=2.54 cm)热场的单晶硅生长进行数值模拟,设计出新式加热器来制备满足IGBT衬底需求的超低氧单晶硅棒。模拟结果显示,当采用分体式加热器时,石英坩埚壁和固液界面附近硅熔体的流速会减弱。这一现象有助于减少熔体中的氧含量及氧杂质向固液界面的传输,进而有效降低晶棒中整体的氧含量。此外,由于采用了分体式加热器,固液界面处晶棒的轴向温度梯度相较于常规加热器显著降低,这一优势也有利于减少硅棒中的氧含量。实验结果进一步证实了模拟结果,在分体式加热器下拉制的单晶硅棒的氧含量更低,且整体保持在2.5×10^(17)atoms/cm^(3)以下,完全符合IGBT衬底的要求。 展开更多
关键词 Cz法 超低氧单晶硅 分体式加热器 氧含量
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斜发沸石在不同晶化阶段的微观结构和分形特征及其对CO_(2)和CH_(4)的吸附性能
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作者 刘明 徐若涵 +3 位作者 王浩男 包子平 孙继红 李志宏 《北京工业大学学报》 北大核心 2025年第11期1374-1384,共11页
采用同步辐射小角X射线散射(small angle X-ray scattering,SAXS)技术,并结合X射线衍射光谱(X-ray diffraction,XRD)、扫描电镜(scanning electron microscope,SEM)、傅里叶变换红外(Fourier transform infrared spectroscopy,FT-IR)光... 采用同步辐射小角X射线散射(small angle X-ray scattering,SAXS)技术,并结合X射线衍射光谱(X-ray diffraction,XRD)、扫描电镜(scanning electron microscope,SEM)、傅里叶变换红外(Fourier transform infrared spectroscopy,FT-IR)光谱和N_(2)吸脱附等温线等表征手段,阐述了斜发沸石(clinoptilolite,CP)在不同晶化过程中的分形演变规律。基于分形理论、Porod定律和距离分布函数曲线的分析可知,CP在水热晶化过程中主要包括诱导期(0~29 h)、生长期(29~40 h)和稳定期(40~72 h)3个阶段:在诱导期,分形结构随着晶化时间延长由松散的质量分形逐步向致密的表面分形转变,并伴随着硅铝酸盐粒子从70 nm增加到90 nm,然后再溶解和快速成核;在生长阶段,硅铝酸盐粒子逐步增加的表面分形维数与其水合界面层厚度变化揭示了硅铝酸盐反应活性是快速形成CP的主要驱动力;在稳定阶段,无序的片层结构进一步堆集为高度有序的CP晶体。最后,初步分析了不同晶化阶段合成的CP分别对CO_(2)和CH_(4)的吸附性能及其吸附热。 展开更多
关键词 斜发沸石 SAXS 分形结构 硅铝酸盐 CO_(2)吸附 CH_(4)吸附
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