中子辐照对6H-SiC晶体比热容的影响 被引量：10

1

作者 马鹏飞 阮永丰 +3 位作者 洪晓峰 张守超 贾敏 张宇晖 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期605-608,共4页

用剂量为8.2×1018/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照。采用X射线衍射仪、差示扫描量热仪测试6H-SiC晶体中辐照损伤。结果表明:中子辐照对6H-SiC样品产生了严重损伤,且辐照后的6H-SiC的比热容明显上升。对辐照样品进行了常温至1200... 用剂量为8.2×1018/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照。采用X射线衍射仪、差示扫描量热仪测试6H-SiC晶体中辐照损伤。结果表明:中子辐照对6H-SiC样品产生了严重损伤,且辐照后的6H-SiC的比热容明显上升。对辐照样品进行了常温至1200℃的退火处理,退火后的辐照样品的比热容先随退火温度的升高而逐渐降低,1000℃时比热容到达最低值;当退火温度超过1000℃时晶体的比热容反而上升。运用从头算方法定性计算了晶体中间隙原子对比热容的影响。结果表明:晶体经中子辐照及退火后,其比热容发生变化的主要原因在于晶体中间隙原子的浓度的变化。辐照后的样品在超过1000℃退火时比热容的反常回升现象,极有可能与辐照前对晶体所作的在1000℃的预退火处理有关。 展开更多

关键词 碳化硅晶体 中子辐照 比热容

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中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测 被引量：6

2

作者 阮永丰 黄丽 +3 位作者 王鹏飞 马鹏飞 贾敏 祝威 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期436-442,共7页

利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之后又随退火温度的升高,在700～1 230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温... 利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之后又随退火温度的升高,在700～1 230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。 展开更多

关键词 碳化硅晶体 中子辐照 退火 位错

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中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应 被引量：4

3

作者 阮永丰 马鹏飞 +4 位作者 贾敏 李文润 张宇晖 张守超 王丹丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1309-1312,1319,共5页

分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下... 分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。 展开更多

关键词 SIC 中子辐照 辐照缺陷 钉扎

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中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质 被引量：6

4

作者 王鹏飞 阮永丰 +1 位作者 侯贝贝 陈敬 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期353-358,共6页

利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm... 利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm处出现了3个绿色发射峰,其中,510和540 nm处的发射峰在经过1 600℃退火后依然存在。中子辐照导致SiC的截止波长由393 nm增大到1 726 nm;随退火温度提高,截止波长逐渐减小,并在1600℃退火后完全回复。Raman光谱显示:辐照诱发了许多新的振动模,如187、278、435和538cm-1处的Si—Si键振动模,600、655和709 cm-1处的Si—C键振动模和1419cm-1处C—C键振动模。辐照缺陷引起声子限制效应,表现为FTO2/6和FLO0/6Raman特征峰的不对称性展宽和红移。在低于1000℃退火阶段,主要表现为不对称性展宽和红移逐渐减弱;在高于1000℃退火阶段,主要表现为辐照产生的新Raman峰逐渐消失。 展开更多

关键词 碳化硅 中子辐照 光学性质

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不同能量密度的飞秒激光辐照对单晶硅的影响研究 被引量：4

5

作者 马鹏飞 王克栋 +3 位作者 常方高 宋桂林 杨海刚 王天兴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期273-277,共5页

利用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描刻蚀,在硅表面形成一系列平行的刻蚀槽,刻蚀槽底部为密集排列的微纳米颗粒。这种微纳米结构使得硅表面在各角度都呈现黑色,同时这种微纳米结构降低了硅材料的反射率,提升了硅材料的光吸收能力。本... 利用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描刻蚀,在硅表面形成一系列平行的刻蚀槽,刻蚀槽底部为密集排列的微纳米颗粒。这种微纳米结构使得硅表面在各角度都呈现黑色,同时这种微纳米结构降低了硅材料的反射率,提升了硅材料的光吸收能力。本文通过对单晶硅表面进行不同能量密度的飞秒激光辐照,发现这种降低硅表面反射率的微纳米结构的形成和其单位面积上受到辐照的激光能量密度有直接关系,过高和过低的激光通量都不利于微纳米结构的产生。 展开更多

关键词 飞秒激光 辐照 硅 微纳米结构

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中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响 被引量：3

6

作者 陈敬 阮永丰 +4 位作者 李连刚 祝威 王鹏飞 侯贝贝 王帅 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期812-819,共8页

在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能... 在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小。测试表明:在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1000和1400℃两个特征温度。当退火温度低于1000℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降;在退火温度高于1 000℃时,电阻率开始下降。在退火温度高于1 400℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加。以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释。测试还表明,掺氮6H-SiC的介电常数高达3.5×104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化。 展开更多

关键词 掺氮碳化硅晶体 中子辐照 退火 电阻率 介电性能

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2种不同激光对钛宝石辐照作用的研究 被引量：1

7

作者 蒋成勇 周国清 +2 位作者 徐军 邓佩珍 干福熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1053-1057,共5页

分别采用波长为193 nm的ArF准分子激光与波长为800 nm、脉冲宽度为120 fs的飞秒激光对温梯法生长的钛宝石进行辐照,并对辐照前后的吸收谱、荧光谱及电子顺磁共振(EPR)谱进行了检测。2种不同辐照的结果表明:218 nm及266 nm吸收峰并不是... 分别采用波长为193 nm的ArF准分子激光与波长为800 nm、脉冲宽度为120 fs的飞秒激光对温梯法生长的钛宝石进行辐照,并对辐照前后的吸收谱、荧光谱及电子顺磁共振(EPR)谱进行了检测。2种不同辐照的结果表明:218 nm及266 nm吸收峰并不是完全由同一种色心所引起的。通过对比不同品质因数(FOM)值的钛宝石样品在420 nm处的荧光谱,发现准分子激光辐照后420 nm处荧光强度降低,表明样品中Ti^(4+)离子浓度降低。而在飞秒激光辐照下荧光强度增大,即Ti^(4+)浓度增大。根据2种激光的波长,功率密度及辐照方式的差异对于2种辐照产生不同结果做出了解释。 展开更多

关键词 钛宝石 准分子激光 飞秒激光 吸收光谱 荧光光谱 电子顺磁共振谱 辐照作用

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锗酸铋晶体快中子辐照损伤及其等温时效研究 被引量：3

8

作者 李欣年 方晓明 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第1期73-77,共5页

锗酸铋(BGO)晶体作为一种优良的无机闪烁体被广泛用于高能物理和γ辐射探测技术中,这必然涉及辐照损伤的问题.该文试图对锗酸铋晶体的辐射损伤形成机理予以描述,对其进行两种不同剂量的14MeV快中子辐照和室温等温时效以及高温退火处理,... 锗酸铋(BGO)晶体作为一种优良的无机闪烁体被广泛用于高能物理和γ辐射探测技术中,这必然涉及辐照损伤的问题.该文试图对锗酸铋晶体的辐射损伤形成机理予以描述,对其进行两种不同剂量的14MeV快中子辐照和室温等温时效以及高温退火处理,将辐照前后的BGO闪烁体作为探头,测定其本底谱和137Cs的γ能谱.通过分析BGO闪烁体的峰总比、能量分辨率及道漂等变化,来揭示BGO快中子辐照损伤的形成和退火回复机制. 展开更多

关键词 BGO晶体 快中子辐照损伤 等温时效 锗酸铋晶体 退火回复机制 BGO闪烁体 能谱

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碳团簇C_n^+(n=1─5)注入NaCl晶体的模型 被引量：1

9

作者 赵子强 李学楠 +2 位作者 韩朝晖 杜庆立 韦伦存 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第9期513-516,共4页

600keV的荷能碳团族离子C+n（n=1─5）注入到NaCl单晶，当入射粒子的速度v大于玻尔速度v0（=c/137）时，能量转移主要是由入射粒子与靶原子的核外电子碰撞造成的。假定团簇中各原子的能量歧离大于它们的结合能时，团簇状态已经结束，各... 600keV的荷能碳团族离子C+n（n=1─5）注入到NaCl单晶，当入射粒子的速度v大于玻尔速度v0（=c/137）时，能量转移主要是由入射粒子与靶原子的核外电子碰撞造成的。假定团簇中各原子的能量歧离大于它们的结合能时，团簇状态已经结束，各原子成为独立的粒子。利用Trim程序对碳团簇在NaCl单晶中的射程进行了模拟，得到团簇区域的长度为278－321nm，总射程为686nm。 展开更多

关键词 团簇离子 团簇区域 氯化钠 晶体 离子注入

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飞秒激光对两种不同的单晶硅的辐照损伤研究 被引量：1

10

作者 马鹏飞 刘中山 +2 位作者 常方高 宋桂林 王克栋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期99-104,共6页

为研究杂质在超短脉冲激光对材料辐照过程中的作用,利用相同能量密度的飞秒激光对两种不同的单晶硅片进行扫描刻蚀,在两种硅片表面均形成平行分布的刻蚀槽,刻蚀槽内部密布着大量的微纳米颗粒。通过电子扫描显微镜和台阶仪等测试手段对... 为研究杂质在超短脉冲激光对材料辐照过程中的作用,利用相同能量密度的飞秒激光对两种不同的单晶硅片进行扫描刻蚀,在两种硅片表面均形成平行分布的刻蚀槽,刻蚀槽内部密布着大量的微纳米颗粒。通过电子扫描显微镜和台阶仪等测试手段对样品进行形貌观测,发现两种样品的损伤程度存在较明显的差异。数据分析表明激光辐照对材料造成的损伤受到晶体内部固有杂质缺陷的影响,杂质的存在可以加剧辐照损伤。 展开更多

关键词 飞秒激光 辐照 损伤 单晶硅

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中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析 被引量：1

11

作者 侯贝贝 阮永丰 +3 位作者 李连钢 王鹏飞 黄丽 陈敬 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期349-356,共8页

利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及... 利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。 展开更多

关键词 中子辐照 掺氮碳化硅晶体 光学性质 类铍原子模型

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高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化 被引量：1

12

作者 钟雨乐 黄君凯 +1 位作者 刘伟平 李京娜 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期144-147,共4页

氢化非晶硅 (a -Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅—氢合金膜 ,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键 ,在光、电老化过程中 ,它们会断裂或变形 ,导致缺陷态的增加 ,使材料性能变坏。a -Si:H微晶化后 ,这些缺点将... 氢化非晶硅 (a -Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅—氢合金膜 ,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键 ,在光、电老化过程中 ,它们会断裂或变形 ,导致缺陷态的增加 ,使材料性能变坏。a -Si:H微晶化后 ,这些缺点将得到有效的克服。结果发现 ,用 0 .3- 0 .5MeV、注入束流密度 1.3× 10 19cm- 2 s- 1的高能电子辐照 10 - 6 0 0s,a -Si:H膜会出现微晶化现象 ,晶粒大小为 10 - 2 0nm ,晶化层厚度为 2 5- 2 展开更多

关键词 高能电子辐照 微晶化 氢化非晶硅

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结晶固体的辐射损伤与释光 被引量：1

13

作者 李虎侯 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第10期583-587,共5页

从辐射与物质的作用出发，对释光现象进行了讨论。认识到结晶固体的释光效应最本质的是结晶固体中的杂质离子。它们在固体中形成的发光中心有两类，一类是辐射本质的它对辐射的释光响应正比于它所接受的辐射剂量；另一类属于非辐射本质... 从辐射与物质的作用出发，对释光现象进行了讨论。认识到结晶固体的释光效应最本质的是结晶固体中的杂质离子。它们在固体中形成的发光中心有两类，一类是辐射本质的它对辐射的释光响应正比于它所接受的辐射剂量；另一类属于非辐射本质的，全由固体中的杂质离子所决定。在热释光断代中求取等效剂量时的超线性校正部分也正是属于非辐射本质的一类。因此，对等效剂量的超线性校正是不必要的。 展开更多

关键词 热释光 晶体杂质 等效剂量 辐射损伤

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中子辐照SiC及其退火行为的光致发光特性研究 被引量：1

14

作者 黄丽 阮永丰 《运城学院学报》 2017年第3期25-27,38,共4页

利用荧光光谱对剂量为1.72×10^(19)n/cm^2的中子辐照掺氮6H-Si C晶体的发光特性进行了研究。结果表明:中子辐照在晶体中产生了大量缺陷,导致晶格结构发生严重损伤,使N有关的施主-受主对遭到破坏,引起对应的560nm发光峰消失;同时辐... 利用荧光光谱对剂量为1.72×10^(19)n/cm^2的中子辐照掺氮6H-Si C晶体的发光特性进行了研究。结果表明:中子辐照在晶体中产生了大量缺陷,导致晶格结构发生严重损伤,使N有关的施主-受主对遭到破坏,引起对应的560nm发光峰消失;同时辐照缺陷引起的晶格应力使417nm和438nm附近发光峰发生轻微的蓝移现象。对辐照样品进行800℃和1600℃的等时退火后,发现低温800℃退火并未引起辐照损伤的明显恢复;经1600℃退火处理后,560nm发光峰明显升高,而417nm和438nm发光峰显著降低几乎趋于零,说明高温退火导致晶格损伤完全恢复,甚至使晶体中的固有缺陷也得到一定程度的恢复。 展开更多

关键词 6H-SIC 中子辐照 损伤 光致发光

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基于缺陷回复的晶体测温技术及其在工程技术领域的应用研究 被引量：1

15

作者 张守超 杨羽 +6 位作者 崔晓红 陈洪雨 李欣 刘德峰 朱飞 张玲 郭峰 《航空科学技术》 2021年第11期8-17,共10页

高超飞行器表面、航空发动机叶片等重大装备关键高温构件工作环境极端恶劣,且处于高速运动或转动工作状态,高温热作用将直接影响构件工作性能及寿命,甚至威胁装备安全。由于工作环境和工作状态的极端性,传统的热电偶、示温漆以及薄膜热... 高超飞行器表面、航空发动机叶片等重大装备关键高温构件工作环境极端恶劣,且处于高速运动或转动工作状态,高温热作用将直接影响构件工作性能及寿命,甚至威胁装备安全。由于工作环境和工作状态的极端性,传统的热电偶、示温漆以及薄膜热电偶等测温方法,已无法满足极端工况(高温、高压、高转速、高负荷等极端工况)复杂构件表面极限高温精准获取,迫切需要创新性发展新的无源分布式测温技术,增强我国在航空装备研发方面的科技实力。本文介绍的晶体温度传感技术有望解决以往测温技术测温上限低、测温系统复杂、受工况环境和空间限制等难题,可实现关重件表面温度精准测量。该技术基于晶体缺陷高温回复,可对工作目标异域分时进行温度读取,对解决在役在研关重件工作极限高温精准测量具有重要意义。 展开更多

关键词 碳化硅 晶体温度传感器 晶格参数 峰值温度 测温原理

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用正电子湮没技术研究BaF_2的辐射损伤

16

作者 韩荣典 蒋惠林 +4 位作者 邹川明 宋健先 宫竹芳 汪兆民 卞祖和 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第7期414-419,共6页

用正电子湮没技术研究了BaF_2晶体经不同剂量辐照后的湮没参数。在大剂量(1.7kGy)辐照后,BaF_2的正电子湮没寿命谱及一维角关联曲线都发生了变化,这说明辐照使晶体结构发生了某种变化。辐射损伤可以恢复,且曝光处理可以加速其性能的恢复。

关键词 BAF2晶体 正电子 湮没 辐射损伤

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氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响

17

作者 高愈尊 高桥平七郎 +1 位作者 佐藤羲一 竹山太郎 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期47-50,共4页

在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿... 在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环. 展开更多

关键词 单晶硅 氧 氢 电子辐照 辐照缺陷

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硅单晶中辐照缺陷对氧的非均匀成核和沉淀的影响

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作者 张维连 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期264-267,共4页

辐照缺陷可作为氧非均匀成核的核心加速氧沉淀的发生,使中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)一步高温退火即可完成内吸除(IG)处理,对其机理进行了简单的探讨。

关键词 硅单晶 中子辐照 缺陷 非均匀成核

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OH^-和氧离子杂质对BaF_2晶体辐照损伤的影响 被引量：5

19

作者 陈玲燕 顾牡 +9 位作者 王利明 项开华 杜杰 李培俊 谢幼玉 赵元龙 殷之文 郑万辉 李学鹏 俞方华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期399-405,共7页

从理论和实验两方面研究ＯＨ－和氧离子杂质对ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论．理论上用（ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ－，Ｈｓ－（Ｕ心），... 从理论和实验两方面研究ＯＨ－和氧离子杂质对ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论．理论上用（ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ－，Ｈｓ－（Ｕ心），Ｏｓ－，Ｏｓ２－和（Ｏｓ２－－Ｆ＋）都可能是引起辐照损伤的源泉．实验发现，ＢａＦ２晶体水解处理后，ＯＨ－和氧离子杂质很容易进入ＢａＦ２，在晶体中的存在形式主要是：ＯＨ－占据阴离子位置，氧离子以Ｏｓ２－的形式占据Ｆ－的晶格位置，并由氟空位（Ｆ＋）作电荷补偿，较大可能以（Ｏｓ２－Ｆ＋）形式存在．γ辐照前后水解处理样品的光吸收谱（ＶＵＶ，ＵＶ，ＩＲ）和电子顺磁共振谱（ＥＰＲ）验证了理论计算的正确性．综合理论和实验，我们认为ＯＨ－氧离子杂质引起ＢａＦ２晶体辐照损伤的主要原因是：ＯＨ－和（Ｏｓ２－Ｆ＋）辐照分解成Ｈｓ－（Ｕ心）和Ｏｓ－．上海硅酸盐研究所在晶体生长工艺中，有意识地对ＯＨ－和氧离子给予特别的注意，在改进辐照损伤上获得较好的效果． 展开更多

关键词 氟化钡 晶体 辐照损伤 杂质 氧离子 氢氧根离子

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大口径DKDP元件的辐照损伤分布特性 被引量：2

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作者 刘畅 巨新 +9 位作者 刘宝安 孙洵 张立松 徐明霞 任宏凯 魏列宁 武鹏程 李扬 东超 闫春燕 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期105-113,共9页

大口径高能激光装置是各强国积极研究的重点项目。对装置内大口径光学元件损伤特性进行有效评估具有非常重要的意义,在此研究大尺寸光学元件表面损伤。通过分段拍摄、图像拼合、损伤点记录、统计与归纳等工作发现,不同尺寸损伤点的分布... 大口径高能激光装置是各强国积极研究的重点项目。对装置内大口径光学元件损伤特性进行有效评估具有非常重要的意义,在此研究大尺寸光学元件表面损伤。通过分段拍摄、图像拼合、损伤点记录、统计与归纳等工作发现,不同尺寸损伤点的分布特性差异较大。结合统计学方法与类似实验对比、理论计算等方式对损伤点分布与样品辐照环境特性变化的关系进行分析。结果显示,损伤点的位置分布与辐照光束的能量密度关联紧密;系统光束(351 nm)在低于6 J/cm^(2)时能量分布均匀,高于6.7 J/cm^(2)时呈现较为明显的高斯分布状态。可以为大口径高能辐照环境的元件损伤特性评估提供有价值的参考,对大口径紫外激光器的日常运行与维护具有极其重要的工程意义。 展开更多

关键词 DKDP 激光诱导损伤 损伤分布 大口径 高能激光

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