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药型罩材料技术研究进展
1
作者 刘扬 范怡静 +3 位作者 沈伟建 王睿鑫 陈进 唐宇 《材料导报》 北大核心 2025年第7期145-153,共9页
以药型罩为主要部件的聚能战斗部是小型智能飞行器打击装甲、地堡等目标的主要手段。本文基于药型罩的侵彻机理和“高穿深、大扩孔、强后效”的发展趋势,首先从药型罩的增效方式入手,综述了结构设计及惰性材料改性等传统方式的效果,并... 以药型罩为主要部件的聚能战斗部是小型智能飞行器打击装甲、地堡等目标的主要手段。本文基于药型罩的侵彻机理和“高穿深、大扩孔、强后效”的发展趋势,首先从药型罩的增效方式入手,综述了结构设计及惰性材料改性等传统方式的效果,并明确了传统增效方式在实现药型罩纵向和径向毁伤能力同步提升方面的不足;其次,对释能结构材料增强药型罩技术的研究现状进行了综述,通过相关研究说明了采用释能结构材料可有效增强药型罩综合毁伤威力,同时明确了传统释能结构材料在综合力学性能方面的不足;最后,介绍了多主元合金的基本概念及其在释能结构材料增强药型罩技术领域的应用潜力。本文既可为新一代高毁伤药型罩及其材料发展提供借鉴,也可为新型材料的应用提供新的思路。 展开更多
关键词 药型罩 释能结构材料 侵彻 后效 高效毁伤 多主元合金
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人工晶体的创新发展、极限制备与应用
2
作者 苏良碧 于浩海 吴少凡 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第12期3433-3434,共2页
人类自古以来就被天然晶体的规则外形和耀眼光泽所吸引。在现代表征手段诞生之前,人们已经通过研究天然晶体,构建起矿物学和结晶学的数学基础。人工晶体是通过人工合成方法制备的具有特定成分与结构的晶体,是纯度最高、结构最完整、性... 人类自古以来就被天然晶体的规则外形和耀眼光泽所吸引。在现代表征手段诞生之前,人们已经通过研究天然晶体,构建起矿物学和结晶学的数学基础。人工晶体是通过人工合成方法制备的具有特定成分与结构的晶体,是纯度最高、结构最完整、性能最独特的一类功能材料。它作为材料微观结构的研究平台,催生出X射线衍射、中子散射等结构解析新方法,不断深化人类对世界微观本质的认知。同时,人工晶体作为核心功能材料,在激光、半导体、医学诊疗等划时代技术的诞生与发展过程中发挥了关键作用,是支撑集成电路、电子元器件、新型显示等战略新兴产业发展的关键基础材料。 展开更多
关键词 人工晶体 晶体生长 晶体缺陷 固态激光 半导体材料
原文传递
缺陷团簇对Cu/W纳米多层膜辐照肿胀影响的分子动力学模拟研究
3
作者 陈文 李敏 +3 位作者 付宝勤 陈暾 崔节超 侯氢 《四川大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期931-939,共9页
纳米结构材料具有优异的抗辐照损伤性能,可以抑制辐照肿胀,但其潜在物理机制仍待深入研究.为此,本文采用分子动力学方法模拟对比研究了单晶Cu、单晶W和Cu/W纳米多层膜3种材料中空位和间隙型缺陷团簇对辐照肿胀的影响.模拟结果表明,相同... 纳米结构材料具有优异的抗辐照损伤性能,可以抑制辐照肿胀,但其潜在物理机制仍待深入研究.为此,本文采用分子动力学方法模拟对比研究了单晶Cu、单晶W和Cu/W纳米多层膜3种材料中空位和间隙型缺陷团簇对辐照肿胀的影响.模拟结果表明,相同缺陷浓度时,间隙团簇引起的3种材料体积肿胀差异较小.空位团簇则不同,Cu/W纳米多层膜中空位团簇导致的体积收缩程度与单晶Cu类似,但显著高于单晶W.此外,Cu/W异质界面作为优异的缺陷陷阱,能够有效捕获空位/间隙型缺陷,有效降低晶粒中缺陷浓度.上述效应协同作用,使得Cu/W纳米多层膜展现出优异的抗辐照肿胀性能. 展开更多
关键词 Cu/W纳米多层膜 分子动力学 缺陷团簇 辐照肿胀
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金刚石硅空位色心综述
4
作者 谭心 李向升 +3 位作者 王健 杨桥 贺占清 祁晖 《中国材料进展》 北大核心 2025年第7期694-700,共7页
金刚石色心具有室温荧光稳定性和良好的生物兼容性,可作为一种优秀的单光子源或荧光标记物应用于量子信息传递和生物荧光标记等领域。而相比于传统的金刚石氮空位(nitrogen-vacancy,NV)色心,金刚石硅空位(silicon-vacancy,SiV)色心展现... 金刚石色心具有室温荧光稳定性和良好的生物兼容性,可作为一种优秀的单光子源或荧光标记物应用于量子信息传递和生物荧光标记等领域。而相比于传统的金刚石氮空位(nitrogen-vacancy,NV)色心,金刚石硅空位(silicon-vacancy,SiV)色心展现出更为优异的光学性能,包括更窄的声子边带、更短的激发态寿命和更集中的荧光辐射。主要介绍了金刚石SiV色心的结构性质和应用前景,对比了SiV色心和NV色心物理参数和应用领域等方面的区别,并介绍了几种常见SiV色心的制备方法。 展开更多
关键词 金刚石色心 硅空位 荧光 制备 应用
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掺质YAG晶体中的缺陷 被引量：8
5
作者 曾贵平 曹余惠 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期354-358,共5页
本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的ＹＡＧ晶体样品进行的腐蚀，详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌，尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布，测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度。在观测中发现，有些掺钕... 本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的ＹＡＧ晶体样品进行的腐蚀，详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌，尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布，测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度。在观测中发现，有些掺钕晶体样品上，位错腐蚀坑在中心区与边缘区的密集程度不同，有明显的分界。对此现象进行了探讨，认为出现在样品边缘区内的密集位错，除了来自于籽晶中以及来自于晶体从籽晶开始生长的起始处外，也由于熔体中出现在晶体周界处的自然对流与强迫对流边界层内的液流不稳，引起了生长界面边缘局部不稳而产生，环境气流起了相当的作用。 展开更多
关键词 位错 腐蚀坑 YAG晶体 晶体缺陷 化学腐蚀法
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导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
6
作者 杨文娟 卜予哲 +1 位作者 赛青林 齐红基 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期414-419,共6页
β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,... β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,所以β-Ga_(2)O_(3)晶体的缺陷检测技术显得尤为重要。过去通常采用刻蚀的方法进行位错的检测和密度计算,但这种方法是破坏性的,只适用于实验样品的研究分析。本文突破传统缺陷分析方法的局限,引入X射线形貌分析术(XRT)并结合酸性腐蚀法,对导模法生长β-Ga_(2)O_(3)的(001)、(010)、(100)面分别进行了深入研究,揭示了位错在三维空间的分布特征,明确指出,在导模法晶体中,沿着b轴[010]方向的位错占主导地位,为理解β-Ga_(2)O_(3)位错的结构和特征提供了宝贵的信息,进而为之后外延和器件晶面的选择指明了新的方向。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带半导体 位错 X射线形貌分析术 导模法 腐蚀法
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6H-SiC纳米磨削机理的分子动力学研究
7
作者 耿瑞文 周星辰 +5 位作者 田助新 谢启明 李立军 吴海华 双佳俊 杨志豇 《材料导报》 北大核心 2025年第10期46-53,共8页
6H-SiC作为先进半导体材料的代表,具有出色的物理性能和化学稳定性,在光电子、航空航天等高新技术产业中起着关键作用。高硬度和低断裂韧性的物理特性使6H-SiC在超精密加工过程中充满挑战。因此,本工作采用分子动力学模拟的方法,探究了6... 6H-SiC作为先进半导体材料的代表,具有出色的物理性能和化学稳定性,在光电子、航空航天等高新技术产业中起着关键作用。高硬度和低断裂韧性的物理特性使6H-SiC在超精密加工过程中充满挑战。因此,本工作采用分子动力学模拟的方法,探究了6H-SiC在不同磨粒形状(球形、圆台形、四棱台形)下的纳米磨削行为,并深入分析了磨削深度对纳米磨削特征的影响。结果表明:四棱台形磨粒在材料去除效率方面表现最佳,但伴随着最大的亚表面损伤;在较深的磨削条件下球形磨粒的材料去除率超过了圆台形磨粒,并且亚表面损伤小。此外,随着磨削深度的增加,材料去除机制发生转变,磨削力和磨削温度也有所增加,同时磨粒形状对磨削质量的影响也更加显著。研究结果为6H-SiC等硬脆性材料工艺参数优化提供了理论依据。 展开更多
关键词 6H-SIC 分子动力学 纳米磨削 磨削深度 磨粒形状 亚表面损伤
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WO_(3)薄膜潜在极化特性的原子尺度研究
8
作者 杨勇 杨玉寅 +3 位作者 王靖辉 朱银莲 马秀良 唐云龙 《电子显微学报》 北大核心 2025年第4期440-447,共8页
结合像差校正透射电子显微技术和多模式原子力显微技术,本文研究了生长在LaAlO_(3)衬底上WO_(3)薄膜的极化特性。衍衬分析表明WO_(3)薄膜在衬底上外延生长,薄膜内部呈现出周期性的铁弹畴。原子尺度表征揭示了薄膜与衬底保持共格外延状... 结合像差校正透射电子显微技术和多模式原子力显微技术,本文研究了生长在LaAlO_(3)衬底上WO_(3)薄膜的极化特性。衍衬分析表明WO_(3)薄膜在衬底上外延生长,薄膜内部呈现出周期性的铁弹畴。原子尺度表征揭示了薄膜与衬底保持共格外延状态以及薄膜内部存在大量的线缺陷。利用几何相位分析,确定了薄膜在面内面外都存在较大的应变梯度,解释了薄膜极化的来源。实验证实,线缺陷同时具有局域导电特性,表明缺陷对WO_(3)薄膜的极化保持性能产生明显影响。这一发现为应变-缺陷耦合影响氧化物极化特性提供了新见解。 展开更多
关键词 极化 缺陷 应变梯度 像差校正电子显微学
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BGO晶体的缺陷与性能—(1)缺陷及其形成
9
作者 姚冬敏 齐雪君 +2 位作者 宋桂兰 袁兰英 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期940-944,共5页
下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的宏观缺陷。用光学显微镜和电子探针对宏观缺陷内的包裹体进行研究发现 :包裹体大部分为固态包裹物 ;不同宏观缺陷内的包裹体 ,其形状、大小和成份都具有典型特征。
关键词 宏观缺陷 包裹物 BGO晶体 固态 性质 包裹体 发现 形成 电子探针 下降
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碲锌镉晶体热退火技术的研究进展
10
作者 吴啸 赵文 +5 位作者 起文斌 宋林伟 李向堃 姜军 孔金丞 王善力 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期912-923,共12页
碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体因优异的物理特性在室温射线探测和HgCdTe红外探测领域占据重要地位。然而,CZT晶体生长过程中产生的点缺陷、沉积相和位错严重影响晶体质量和器件性能。研究表明,精心设计的退火工艺可有效降低沉积相密度,调控点... 碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体因优异的物理特性在室温射线探测和HgCdTe红外探测领域占据重要地位。然而,CZT晶体生长过程中产生的点缺陷、沉积相和位错严重影响晶体质量和器件性能。研究表明,精心设计的退火工艺可有效降低沉积相密度,调控点缺陷浓度,提升晶体电阻率和载流子迁移率寿命积。本文深入分析了CZT晶体中缺陷的形成机理,系统评述了恒温退火、梯度退火、分步退火、器件退火、原位退火和溶液退火等技术的研究进展,比较了各种退火技术的优缺点及其对CZT晶体性能的影响,同时提出了未来研究应聚焦于深化退火机理的理解、开发新型退火技术、优化界面工程和实现智能化退火工艺,以进一步提升CZT晶体性能,推动其在高性能辐射探测和红外成像领域的应用。 展开更多
关键词 碲锌镉 缺陷抑制 恒温退火 梯度退火 分步退火 器件退火 原位退火 溶液退火
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微波等离子化学气相沉积法制备高浓度金刚石-空位色心及其性能研究 被引量：2
11
作者 刘厚盛 郭世峰 +4 位作者 陈明 张国凯 郭崇 高学栋 蔚翠 《物理学报》 北大核心 2025年第2期215-222,共8页
金刚石氮-空位(NV)色心在室温下稳定性好,电子自旋相干时间长,能被激光和微波操控,是量子探测领域最具潜力的结构.本研究采用微波等离子化学气相沉积法(MPCVD)制备具有较高氮含量的金刚石单晶,以构建高浓度NV色心.通过在前驱体气体中掺... 金刚石氮-空位(NV)色心在室温下稳定性好,电子自旋相干时间长,能被激光和微波操控,是量子探测领域最具潜力的结构.本研究采用微波等离子化学气相沉积法(MPCVD)制备具有较高氮含量的金刚石单晶,以构建高浓度NV色心.通过在前驱体气体中掺杂不同含量的氮原子,解决了高氮条件下长时间生长金刚石单晶出现的诸多问题,制备氮含量约为0.205,5,8,11,15,36和54 ppm(1 ppm=10^(-6))的高氮金刚石单晶.初步确定了前驱体气体中氮含量与进入到金刚石单晶晶格中氮含量的关系平均约为11,氮原子在金刚石单晶中主要以聚集态氮和单个替位N+形式存在.对高氮金刚石单晶进行电子辐照,显著提升了金刚石NV色心浓度,并对辐照后NV色心材料的磁探测性能进行验证. 展开更多
关键词 金刚石单晶 高氮 氮-空位色心 傅里叶变换红外光谱 磁探测
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高密度电脉冲下材料微观结构的演变 被引量：22
12
作者 张伟 隋曼龄 +3 位作者 周亦胄 何冠虎 郭敬东 李斗星 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1009-1018,共10页
几种粗晶材料经高密度电脉冲处理后,在材料内部形成了局域纳米结构,即冷轧α-Cu(Zn)中形成α—Cu(Zn)和β-(CuZn)纳米相;低碳钢中形成纳米尺寸的奥氏体;TiC/Ni(Cr)金属陶瓷中形成纳米尺寸的定向TiC;LC6超硬铝中形成纳米尺寸的α—Al.粗... 几种粗晶材料经高密度电脉冲处理后,在材料内部形成了局域纳米结构,即冷轧α-Cu(Zn)中形成α—Cu(Zn)和β-(CuZn)纳米相;低碳钢中形成纳米尺寸的奥氏体;TiC/Ni(Cr)金属陶瓷中形成纳米尺寸的定向TiC;LC6超硬铝中形成纳米尺寸的α—Al.粗晶纳米化转变的机制可归于电脉冲下多种因素的竞争,包括高速加热、热应力、削减的热力学势垒和较大的电子冲击力等.另外,电脉冲处理后的黄铜和金属陶瓷中分别形成了许多低能的位错组态、大量的层错和孪晶.这类缺陷结构演变与电脉冲输入的电能、热能和应力有关. 展开更多
关键词 电脉冲 纳米结构 位错 孪晶
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HMX和HMX／HTPBPBX的晶体缺陷理论研究 被引量：12
13
作者 马秀芳 肖继军 +2 位作者 黄辉 李金山 肖鹤鸣 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第8期897-901,共5页
建立空位和掺杂点缺陷模型,用分子动力学(MD)方法,研究晶体缺陷对β-环四亚甲基硝胺(HMX)和β-HMX/HTPB(端羟基聚丁二烯)高聚物粘结炸药(PBX)的力学性能和爆炸性能的影响.结果表明,相对于HMX"完美"晶体(1)考察缺陷晶体(2和3)... 建立空位和掺杂点缺陷模型,用分子动力学(MD)方法,研究晶体缺陷对β-环四亚甲基硝胺(HMX)和β-HMX/HTPB(端羟基聚丁二烯)高聚物粘结炸药(PBX)的力学性能和爆炸性能的影响.结果表明,相对于HMX"完美"晶体(1)考察缺陷晶体(2和3),以及相对于HMX完美晶体基PBX(1)考察缺陷PBX2和PBX3,均发现弹性系数和(拉伸、体积、剪切)模量下降,导致体系刚性减弱,延展性和韧性增强.这与在基炸药HMX晶体(1,2和3)中分别加入HTPB高聚物粘结剂形成PBX1,PBX2和PBX3呈现类似的相应的变化趋势和效果.此外,研究表明,爆炸性质也依赖于体系的组成和结构.因加入的是低能高聚物,故PBX(1),PBX(2)和PBX(3)的爆热、爆速和爆压均比相应的基炸药(1,2和3)低,即晶体(1)>PBX(1),晶体(2)>PBX(2),晶体(3)>PBX(3).PBX(1),PBX(2),PBX(3)与对应基炸药(1,2,3)的爆速和爆压取相同变化次序,亦即PBX(1)>PBX(2)>PBX(3)对应于晶体(1)>晶体(2)>晶体(3).这些计算结果和规律对PBX配方设计显然具有指导作用. 展开更多
关键词 晶体缺陷 掺杂 高聚物粘结炸药 分子动力学 力学性能 爆轰性能
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热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟 被引量：15
14
作者 张向宇 关小军 +3 位作者 潘忠奔 张怀金 曾庆凯 王进 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期771-777,共7页
为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底... 为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小。合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 有限元 热屏位置 原生点缺陷 热应力
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两温区气相输运和机械振荡合成ZnGeP_2多晶材料 被引量：10
15
作者 杨慧光 朱世富 +4 位作者 赵北君 赵欣 何知宇 陈宝军 孙永强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期557-560,共4页
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料。对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P... ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料。对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P、Ge、Zn单质为原料,采用两温区气相输运和机械振荡合成出了ZnGeP2多晶材料。合成出的多晶材料经比重测试和X射线粉末衍射测试证明与标准值一致。采用改进的布里奇曼法生长出外观完整、无裂纹的15mm×25mm单晶体,在2.5～10μm范围内红外透过率达50%以上。 展开更多
关键词 三元化合物 磷锗锌 多晶合成 气相输运 机械振荡
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蓝宝石单晶的气孔形成研究 被引量：11
16
作者 姚泰 韩杰才 +3 位作者 左洪波 孟松鹤 张明福 李常青 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期439-442,共4页
采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)生长的蓝宝石晶体,气孔是其主要缺陷.本文探讨了影响气孔形成的工艺因素,从晶体生长动力学角度分析了气孔形成机理.结果表明,通过优化温场、选择合适的生长速度及控制微凸固/液界面形状,可有效降低晶... 采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)生长的蓝宝石晶体,气孔是其主要缺陷.本文探讨了影响气孔形成的工艺因素,从晶体生长动力学角度分析了气孔形成机理.结果表明,通过优化温场、选择合适的生长速度及控制微凸固/液界面形状,可有效降低晶体中气孔的数量. 展开更多
关键词 气孔形成 蓝宝石晶体 冷心放肩微量提拉法
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热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟 被引量：6
17
作者 关小军 张向宇 +2 位作者 潘忠奔 王进 曾庆凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期329-336,共8页
为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位... 为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化。 展开更多
关键词 直拉单晶硅 有限元 热屏位置 流场 温场 固液界面
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声子晶体禁带特性及局域共振现象的试验研究 被引量：8
18
作者 朱兴一 钟盛 +3 位作者 叶安珂 邓富文 吴睿 俞悟周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2852-2859,2864,共9页
以弹性(亚克力柱/空气型)及粘弹性(硅橡胶/空气型)声子晶体为研究对象,研究了散射体填充率、形状、排列方式、材料性质、缺陷形式等对声子晶体禁带特性及局域共振现象的影响。结果表明:随着层数的增加,带隙频率逐渐靠近理论值,但达到一... 以弹性(亚克力柱/空气型)及粘弹性(硅橡胶/空气型)声子晶体为研究对象,研究了散射体填充率、形状、排列方式、材料性质、缺陷形式等对声子晶体禁带特性及局域共振现象的影响。结果表明:随着层数的增加,带隙频率逐渐靠近理论值,但达到一定层数后,其影响会减弱;与正方柱形比较,圆柱形声子晶体得到的带隙更宽,而与弹性声子晶体相比,粘弹性声子晶体更易得到低频宽带隙的效果;声子晶体晶体阵列个数对共振频率的影响并不大,而散射体形状、填充率、及材料性质对共振频率有一定影响,尤其是粘弹性材料对提高局域共振的品质因子有非常大的作用;多点缺陷的引入对缺陷局域模态的分离有一定贡献,但多点缺陷间隔较近时会降低局域模态的分离效果。 展开更多
关键词 声子晶体 禁带特性 局域共振 缺陷
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提拉法Tm:YAG晶体的生长缺陷研究 被引量：6
19
作者 宋平新 赵志伟 +2 位作者 徐晓东 邓佩珍 徐军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期869-874,共6页
采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究. Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形. ... 采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究. Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形. 在偏光显微镜下观察了退火前后Tm:YAG晶体(111)面的应力双折射.同时应用高分辨X射线衍射法测定了晶体的完整性.实验结果表明,长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中总的位错密度,提高了晶体质量. 展开更多
关键词 Tm:YAG晶体 化学腐蚀 位错 退火
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单晶γ-TiAl中孔洞位置对裂纹扩展影响的分子动力学模拟 被引量：6
20
作者 罗德春 芮执元 +2 位作者 曹卉 陈文科 剡昌锋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期136-141,共6页
运用分子动力学方法对单晶γ-TiAl合金的裂纹扩展过程进行了研究,分析了不同孔洞位置对裂纹扩展的影响,得到相应的原子轨迹、能量演化以及应力-应变关系。结果表明无孔洞时,裂纹以脆性解理方式快速扩展至材料断裂,能量曲线只有一个波峰;... 运用分子动力学方法对单晶γ-TiAl合金的裂纹扩展过程进行了研究,分析了不同孔洞位置对裂纹扩展的影响,得到相应的原子轨迹、能量演化以及应力-应变关系。结果表明无孔洞时,裂纹以脆性解理方式快速扩展至材料断裂,能量曲线只有一个波峰;L=1.6nm时裂纹先以脆性解理的方式扩展,孔洞抑制裂纹扩展,孔洞周围发射位错,裂纹以尖端空洞形核、长大成微裂纹,最终微裂纹与主裂纹连接的方式扩展,能量曲线有多个峰值;L=4.8nm时,裂纹初始扩展过程与L=1.6nm时相似,后期未出现空洞形核、长大成微裂纹并与主裂纹结合的现象;另外孔洞距裂尖距离不同,发射第一个位错的方向不同。 展开更多
关键词 Γ-TIAL合金 分子动力学 位错 裂纹扩展 能量
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