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V_2O_5复合薄膜材料的电子结构研究 被引量：3
1
作者 周静 陈文 +1 位作者 徐庆 闵新民 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期208-211,共4页
采用自洽场离散变分Xα 方法对纯V2 O5及V2 O5复合薄膜不同状态的O1s及V2p轨道电子结合能和键强度等进行了研究 .结果表明 ,V2 O5结构中存在 4种状态的氧和 3种状态的钒 ,聚合物 (PEO)或聚合物 (PEO)—Li+ 嵌入V2 O5结构主要存在于层间... 采用自洽场离散变分Xα 方法对纯V2 O5及V2 O5复合薄膜不同状态的O1s及V2p轨道电子结合能和键强度等进行了研究 .结果表明 ,V2 O5结构中存在 4种状态的氧和 3种状态的钒 ,聚合物 (PEO)或聚合物 (PEO)—Li+ 嵌入V2 O5结构主要存在于层间的位置 ,与双键氧产生弱的键合作用 ,导致双键氧与五价钒的含量降低 ,三键氧与三价、四价钒的含量增加 ;纯V2 O5层间嵌入的Li+ 与周围氧的共价键与静电力都非常明显 ,V2 O5层间引入PEO后再嵌入Li+ ,Li+ 与周围氧的共价键与静电力都变的非常微弱 ,说明PEO嵌入V2 O5层间使Li+ 具有很好的注入 展开更多
关键词 五氧化二钒 复合薄膜 结合能 键强度 电子结构
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