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正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计
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作者 秦秀波 王平 +3 位作者 姜小盼 于润升 王宝义 魏龙 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期264-268,共5页
与X射线、高能电子或中子激发俄歇电子能谱相比,正电子湮没诱发俄歇电子能谱(PAES)具有极表面选择性、高信噪比、低辐照损伤等特点。本文介绍北京慢正电子强束流的PAES装置,采用4×10-3T磁场对正电子和俄歇电子进行输运,强弱磁场梯... 与X射线、高能电子或中子激发俄歇电子能谱相比,正电子湮没诱发俄歇电子能谱(PAES)具有极表面选择性、高信噪比、低辐照损伤等特点。本文介绍北京慢正电子强束流的PAES装置,采用4×10-3T磁场对正电子和俄歇电子进行输运,强弱磁场梯度对俄歇电子进行平行化,法拉第筒对俄歇电子的能量进行调制,使得整个系统的能量分辨优于2eV。 展开更多
关键词 俄歇电子能谱 正电子湮没 飞行时间 能量分辨 法拉第筒
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