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SiH_3+O_2(~3Σg)反应路径的理论研究
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作者 戴国梁 吕玲玲 +2 位作者 王冬梅 王永成 耿志远 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2005年第5期43-46,共4页
采用密度泛函B3LYP/6-311G**和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G**方法计算并研究了SiH3与O2(3Σg)反应的机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,并用频率分析方法和内禀反应坐标(IRC)进行了计算,对过渡态进行了验证.结果表明... 采用密度泛函B3LYP/6-311G**和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G**方法计算并研究了SiH3与O2(3Σg)反应的机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,并用频率分析方法和内禀反应坐标(IRC)进行了计算,对过渡态进行了验证.结果表明:SiH3+O2(3Σg)反应可经多条路径和多个步骤,经缔合、氢转移和离解得到SiH3O2,SiH2O2+H,SiH2O+OH,SiH3O+O,SiHO2+H2等产物. 展开更多
关键词 反应机理 SiH3 氧气 密度泛函
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