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CdxZn1-xO:Eu^3+荧光粉的制备及其发光性质 被引量:2
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作者 楚广生 张家骅 陈力 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期805-808,共4页
采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,... 采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410nm进行调制,样品的发光以520nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效。在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609nm。样品380~410nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。 展开更多
关键词 CdxZn1-xO:Eu^3+ 稀土 白光LED 荧光粉
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