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p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究 被引量：2
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作者 张化福 祁康成 +3 位作者 袁玉珍 刘汉法 类成新 魏功祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期602-605,609,共5页
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功... 以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 栅绝缘层 SiN薄膜
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利用阻抗分析仪测量薄膜材料的介电性质 被引量：2
2
作者 张师平 吴平 +2 位作者 闫丹 陈森 邱宏 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2009年第8期29-31,35,共4页
讨论了使用阻抗分析仪测量介质薄膜介电性质的方法。通过Agilent 4294A高精度阻抗分析仪、16047A夹具以及探针平台，搭建了介质薄膜C—V曲线测量平台，测量了沉积在p—Si衬底上的HfO2薄膜的介电常数，并计算得到了p—Si衬底与HfO2薄膜... 讨论了使用阻抗分析仪测量介质薄膜介电性质的方法。通过Agilent 4294A高精度阻抗分析仪、16047A夹具以及探针平台，搭建了介质薄膜C—V曲线测量平台，测量了沉积在p—Si衬底上的HfO2薄膜的介电常数，并计算得到了p—Si衬底与HfO2薄膜界面的界面态密度、其附近的固定电荷密度，以及可动离子电荷密度。该文内容可以作为大学物理实验的一个研究性实验项目。 展开更多
关键词 阻抗分析仪 HFO2薄膜 介电常数
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