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基于复杂网络的快递网络性质分析 被引量：21
1
作者 杨华 聂玉超 +1 位作者 张洪斌 樊瑛 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期101-103,F0003,共4页
利用复杂网络的工具,对真实的快递网络进行了实证分析,得到了快递网络的基本统计性质,发现真实的快递网络是具有小世界特性和无标度特性的网络.并讨论了快递网络的社团结构,比较了社团结构划分结果和实际的异同.
关键词 快递网络 小世界 无标度 社团结构
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氧化钒纳米管的自组装合成机理 被引量：11
2
作者 陈文 麦立强 +3 位作者 徐庆 彭俊锋 朱泉峣 余华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期65-70,共6页
以V2O5和十六胺为原料在水热条件下合成了氧化钒纳米管,采用XRD、SEM、TEM、FTIR、ESR,等手段分析研究了氧化钒纳米管的形成机理.结果表明,氧化钒纳米管的形成主要基于"卷曲机理",其形成过程包括:表面活性剂分子嵌入到钒氧化... 以V2O5和十六胺为原料在水热条件下合成了氧化钒纳米管,采用XRD、SEM、TEM、FTIR、ESR,等手段分析研究了氧化钒纳米管的形成机理.结果表明,氧化钒纳米管的形成主要基于"卷曲机理",其形成过程包括:表面活性剂分子嵌入到钒氧化物层间,形成新层状化合物前驱体;水热驱动下层状化合物边缘松动,并开始卷曲,.降低体系能量;合适的水热反应时间下最终形成钒氧化物纳米管.模板剂嵌入到钒氧化物层间形成一定大小的层间距以及V4+的存在对从层状化合物卷曲成纳米管起到了积极的作用. 展开更多
关键词 氧化钒 纳米管 自组装 形成机理
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第一原理方法在材料科学中的应用 被引量：16
3
作者 严辉 杨巍 +1 位作者 宋雪梅 吕广宏 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期210-213,共4页
为了从理论上阐明材料结构与其特性的关系,应用第一原理方法计算材料的电子状态,可以获得材料的特征参数,从而能够表征、预测甚至设计材料的结构与性能.选择密度泛函理论和基于第一原理的赝势方法,计算得到了Al、Si、BN等的晶格常数、... 为了从理论上阐明材料结构与其特性的关系,应用第一原理方法计算材料的电子状态,可以获得材料的特征参数,从而能够表征、预测甚至设计材料的结构与性能.选择密度泛函理论和基于第一原理的赝势方法,计算得到了Al、Si、BN等的晶格常数、体弹性模量、电子密度分布和能带结构,并介绍了这些基态物理性质在材料科学中成功应用的典型事例. 展开更多
关键词 第一原理 密度泛函理论 赝势 材料科学
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阳极氧化铝模板的结构和性能表征及形成机理 被引量：15
4
作者 孙秀玉 徐法强 +1 位作者 李宗木 张旺 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期432-435,共4页
用两步阳极氧化法在0.3 mol.L-1草酸中制备了高度有序、具有纳米级孔洞的阳极氧化铝有序阵列模板.用场发射扫描电镜、X射线衍射及荧光光谱对其进行了结构和性能表征.实验结果表明多孔氧化铝模板的蓝发光带是由氧空位缺陷所引起的.对氧... 用两步阳极氧化法在0.3 mol.L-1草酸中制备了高度有序、具有纳米级孔洞的阳极氧化铝有序阵列模板.用场发射扫描电镜、X射线衍射及荧光光谱对其进行了结构和性能表征.实验结果表明多孔氧化铝模板的蓝发光带是由氧空位缺陷所引起的.对氧化铝模板的形成机理进行了分析,认为它的形成机理可以通过综合参考溶解模型和机械应力模型加以解释,并且电渗在阳极氧化膜的生长过程中起着重要作用. 展开更多
关键词 阳极氧化铝 荧光光谱 晶体结构 氧空位
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用第一性原理研究贵金属(Cu、Ag、Au) 被引量：6
5
作者 熊志华 欧阳企振 +3 位作者 周珏 刘国栋 叶志清 雷敏生 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2005年第5期445-448,共4页
基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势法,首先计算了贵金属(Cu Ag Au)晶格常数及内聚能,在此基础上计算并分析了贵金属(Cu Ag Au)的态密度.计算结果表明,对于贵金属GGA给出的计算结果精度要高于LDA,计算所得结果与实验吻合.
关键词 贵金属(Cu AG Au) 晶格常数 内聚能 态密度 第一性原理
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Ca掺杂ZnO氧化物的电子结构与电性能研究 被引量：7
6
作者 张光磊 张飞鹏 +3 位作者 秦国强 曾宏 张忻 张久兴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2016-2021,共6页
基于密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法,系统研究了Ca掺杂ZnO氧化物的晶格结构和电子结构,在此基础上分析了其电学性能。结果表明,Ca掺杂ZnO晶胞减小。Ca掺杂氧化物仍为直接带隙半导体材料,带宽达1.5 eV。掺杂体系费米能级... 基于密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法,系统研究了Ca掺杂ZnO氧化物的晶格结构和电子结构,在此基础上分析了其电学性能。结果表明,Ca掺杂ZnO晶胞减小。Ca掺杂氧化物仍为直接带隙半导体材料,带宽达1.5 eV。掺杂体系费米能级附近的能带主要由Cas态、Cap态、Znp态和Op态电子构成,其中p态电子对价带态贡献最大,且Cas态、Znp态和Op态电子之间存在着更强的相互作用。Ca掺杂ZnO氧化物费米能级EF附近载流子浓度增加,运动速度减小,有效质量增加,导电机构为Cas态、Znp态和Op态电子在价带与导带的跃迁,具有更高的电导率,较高的Seebeck系数和综合电性能。 展开更多
关键词 ZNO Ca掺杂 电子结构 电性能
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中子照相∑定量测量方法 被引量：8
7
作者 霍合勇 唐彬 +1 位作者 吴洋 薛斌 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期273-276,共4页
本文描述了一种利用中子照相进行定量分析的方法,介绍了该方法的基本原理,并应用粒子输运程序MCNP模拟分析样品内部散射中子随样品与探测器之间距离变化对中子成像的影响。为削弱散射中子对中子透射成像图像信息的影响,对穿透样品的厚... 本文描述了一种利用中子照相进行定量分析的方法,介绍了该方法的基本原理,并应用粒子输运程序MCNP模拟分析样品内部散射中子随样品与探测器之间距离变化对中子成像的影响。为削弱散射中子对中子透射成像图像信息的影响,对穿透样品的厚度进行了定量分析。 展开更多
关键词 中子照相 ∑标定方法 宏观截面 MCNP程序
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颗粒物质与颗粒流 被引量：20
8
作者 鲍德松 张训生 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2003年第5期514-517,共4页
颗粒物质研究是当前物理学研究的热点之一.在我国,对颗粒物质的研究才刚刚起步.本文主要是简单介绍颗粒物质的基本概念以及颗粒物质研究对工农业生产的意义,同时介绍国内外最近几年在颗粒物质方面的研究进展,再报道作者在颗粒物质研究... 颗粒物质研究是当前物理学研究的热点之一.在我国,对颗粒物质的研究才刚刚起步.本文主要是简单介绍颗粒物质的基本概念以及颗粒物质研究对工农业生产的意义,同时介绍国内外最近几年在颗粒物质方面的研究进展,再报道作者在颗粒物质研究方面的一些初步结果. 展开更多
关键词 颗粒物质 颗粒流 物理学 摩擦力 摩擦系数 颗粒态 颗粒密度
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固体互扩散生长的唯象理论 被引量：6
9
作者 陈永翀 其鲁 +1 位作者 张永刚 陈昌麒 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期168-174,共7页
原子互扩散过程中可以产生复杂的应力应变现象,但目前缺乏系统的理论分析。传统固体化学扩散理论的研究对象是扩散的原子或原子流,并不关心互扩散区域内微观体积单元的变化,因此无法描述原子扩散流与应力之间的关系。为了解决这一问题,... 原子互扩散过程中可以产生复杂的应力应变现象,但目前缺乏系统的理论分析。传统固体化学扩散理论的研究对象是扩散的原子或原子流,并不关心互扩散区域内微观体积单元的变化,因此无法描述原子扩散流与应力之间的关系。为了解决这一问题,作者借鉴流体力学的基本概念和方法,通过建立固体互扩散区域中“流点”的概念,推导了描述固体互扩散生长的普适方程,严格区别了相的体积生长与界面生长方式,并给出多元扩散偶中相生长的一般动力学描述。在此基础上,详细讨论了分别与两种不同生长方式相联系的扩散应力和扩散应变问题,并以此分析具有代表性的固态反应周期层片型结构的形成机理。 展开更多
关键词 化学扩散 互扩散生长 扩散应力 唯象理论
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Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响 被引量：9
10
作者 韦金明 张飞鹏 张久兴 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期372-378,共7页
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成... 采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和O p态电子构成,且他们之间存在着强相互作用。电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、O p态电子完成,且需要载流子(空穴和电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小。 展开更多
关键词 材料 ZnO氧化物 CU掺杂 电子结构 电输运性能
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一维和二维系统中电子禁带与光子禁带的数学等价特性(英文) 被引量：6
11
作者 欧阳征标 李景镇 张道中 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期802-806,共5页
论证了在不针对特殊的结构和未做任何近似的情况下 ,一维和二维系统中的电子的Schrodinger方程和沿垂直方向传播的 S极化光子的 Maxwell方程具有完全相同的数学形式 ,即二者在数学上是完全等价的 ,这自然解释了到目前为止发现的存在... 论证了在不针对特殊的结构和未做任何近似的情况下 ,一维和二维系统中的电子的Schrodinger方程和沿垂直方向传播的 S极化光子的 Maxwell方程具有完全相同的数学形式 ,即二者在数学上是完全等价的 ,这自然解释了到目前为止发现的存在于电子晶体的电子禁带和光子晶体的光子禁带之间的许多相似性 .这种等价性还表明 ,在电子晶体中出现的许多现象可以推广到光子晶体中 ; 展开更多
关键词 光子禁带 光子晶体 电子禁带 电子晶体 等价理论 一维系统 二维系统
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Li掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究 被引量：6
12
作者 张飞鹏 房慧 +2 位作者 张忻 路清梅 张久兴 《分子科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期233-238,共6页
采用密度泛函理论平面波超软赝势方法研究了p型Li掺杂的纤锌矿结构ZnO的能带结构、态密度和电荷分布,并分析了Li掺杂ZnO的电输运性能.结果表明,Li掺杂ZnO具有1.6eV的直接带隙,且为p型半导体,体系费米能级附近的态密度大大提高,在导带和... 采用密度泛函理论平面波超软赝势方法研究了p型Li掺杂的纤锌矿结构ZnO的能带结构、态密度和电荷分布,并分析了Li掺杂ZnO的电输运性能.结果表明,Li掺杂ZnO具有1.6eV的直接带隙,且为p型半导体,体系费米能级附近的态密度大大提高,在导带和价带中都出现了由Li电子能级形成的能带,其费米能级附近的能带主要由Li的s态、Zn的p态、Zn的d态和O的p态电子构成,且他们之间存在着强相互作用.电输运参数和电输运性能分析结果表明,Li掺杂的ZnO氧化物价带和导带中的载流子有效质量均较大;其载流子输运主要由Li的s态、Zn的p态和O的p态电子完成;Li掺杂有望改善ZnO的电输运性能. 展开更多
关键词 ZNO Li掺杂 电子结构 电性能
原文传递
H_5^+团簇离子的形成和分解 被引量：6
13
作者 杨百方 缪竞威 +2 位作者 师勉恭 朱洲森 唐阿友 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期571-572,共2页
简报报告了１．８ＭｅＶ的Ｈ＋５团簇离子及其产物的测量结果。讨论了Ｈ＋５的形成和分解反应。
关键词 高频离子源 H^+3 团簇离子 不稳定分子
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掺Sn锐钛矿相TiO_2的第一原理计算 被引量：5
14
作者 曹红红 陈强 王天民 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期219-222,共4页
从第一原理角度,用基于密度泛函理论(DFT)的全电势线性缀加平面波法(FLAPW)和广义梯度近似(GGA),计算了掺Sn锐钛矿相TiO2的晶格优化结构和电子结构。结果表明:掺Sn以后晶胞体积明显增大,在z方向有伸长的趋势;掺Sn锐钛矿相TiO2典型晶面... 从第一原理角度,用基于密度泛函理论(DFT)的全电势线性缀加平面波法(FLAPW)和广义梯度近似(GGA),计算了掺Sn锐钛矿相TiO2的晶格优化结构和电子结构。结果表明:掺Sn以后晶胞体积明显增大,在z方向有伸长的趋势;掺Sn锐钛矿相TiO2典型晶面的电子密度分布与纯的锐钛矿相TiO2的比较表明,掺杂后的Sn-O键比原来的Ti-O键强;掺Sn锐钛矿相TiO2的能带结构图表明,掺杂后仍为间接带隙的半导体,与未掺杂时比较,能隙减小了0.24eV,与实验趋势相符。 展开更多
关键词 第一原理 全电势线性缀加平面波法 电子结构 电荷密度 TIO2
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ZEMAX模拟中子相衬成像研究 被引量：4
15
作者 吴洋 唐彬 +1 位作者 霍合勇 代君龙 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期290-293,共4页
相衬成像是中子成像领域内的前沿技术,它的成像机理基于中子束的波动性。进行中子相衬成像研究,有必要对这一过程进行仿真计算,但目前尚无模拟中子波动行为的程序出现,本文探讨了利用光学仿真软件ZEMAX对热中子相衬成像过程进行模拟的... 相衬成像是中子成像领域内的前沿技术,它的成像机理基于中子束的波动性。进行中子相衬成像研究,有必要对这一过程进行仿真计算,但目前尚无模拟中子波动行为的程序出现,本文探讨了利用光学仿真软件ZEMAX对热中子相衬成像过程进行模拟的可行性,介绍了具体的模拟过程和结果,研究了不同的物源距离、物屏距离、点中子源尺寸以及样品尺寸对最终成像结果的影响。仿真结果和理论较为接近,这表明使用该软件模拟中子相衬成像是具有一定的可行性的。 展开更多
关键词 相衬 中子照相 ZEMAX 模拟
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束流参数对热中子照相质量影响的模拟分析 被引量：4
16
作者 霍合勇 唐彬 +1 位作者 吴洋 刘斌 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期278-283,共6页
中子束的准直比、镉比、散射中子及注量率空间分布等是影响中子射线照相性能的主要因素,本文通过蒙特卡罗模拟仿真计算来分析各因素对中子照相图像质量的影响,并提出相应的应对措施。
关键词 热中子照相 影响因素 蒙特卡罗程序 分析
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分析型EAM模型的发展现状与展望 被引量：5
17
作者 胡望宇 张邦维 黄伯云 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-4,共4页
综述了分析型ＥＡＭ模型的发展简况、基本思想和应用现状，介绍了修正分析型ＥＡＭ模型的途径、思路和有关尝试。
关键词 分析型EAM模型 嵌入函数 势函数 原子结构
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Moseley定律的意义及其新应用 被引量：4
18
作者 沈韩 丘翠环 +1 位作者 张鸿 李景德 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期109-110,共2页
由Moseley定律可严格定义量子化学中原子轨道线性组合 (LCAO)的基函数 ,其中的屏蔽常数可由实验完全确定。通过最强化学键原理的计算 ,正确给出了水分子的电偶极矩和总电子能量。
关键词 Moseley定律 最强化学键原理 水分子
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Si表面吸附GaN的第一性原理研究 被引量：3
19
作者 李炜 陈俊芳 +2 位作者 王腾 张洪宾 郭超峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第16期71-73,77,共4页
为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在... 为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。 展开更多
关键词 SI GAN 吸附 第一性原理
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