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热蒸发CsPbBr_(3)薄膜的微观结构演化与生长机理
1
作者 严淑文 张竞书 +2 位作者 刘尊宇 马磊 李露颖 《电子显微学报》 北大核心 2025年第4期448-455,共8页
钙钛矿CsPbBr_(3)薄膜因其优异的光电性能在发光二极管等领域极具应用潜力,而热蒸发法制备高质量薄膜对其商业化至关重要。本研究采用综合透射电子显微技术(TEM/HRTEM/SAED/HAADF/EDS),系统解析了热蒸发CsPbBr_(3)薄膜的生长机理。研究... 钙钛矿CsPbBr_(3)薄膜因其优异的光电性能在发光二极管等领域极具应用潜力,而热蒸发法制备高质量薄膜对其商业化至关重要。本研究采用综合透射电子显微技术(TEM/HRTEM/SAED/HAADF/EDS),系统解析了热蒸发CsPbBr_(3)薄膜的生长机理。研究发现,化学计量比(CsBr∶PbBr_(2)=1.1∶1)的精准调控是获得高结晶质量的关键,而基底温度与蒸发速率的协同调节则对晶体相组成与形貌演化具有决定性作用。在化学计量比CsBr∶PbBr_(2)=1.1∶1,温度10~25℃和蒸发速率0.050~0.200Å/s的最佳工艺窗口内,薄膜形成以立方相为主的纳米晶结构,展现出良好的结晶一致性和载流子输运能力。该工作揭示了热蒸发条件对CsPbBr_(3)薄膜结构演化与生长机理的调控机制,为钙钛矿光电器件的可控制备及工业化应用提供了重要理论依据和技术指导。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3) 热蒸发 生长机理 透射电子显微镜 蒸发速率 沉积温度
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利用叠层结构提高近紫外有机发光二极管的电致发光效率与稳定性
2
作者 于宏宇 张宝文 +1 位作者 陈平 张勇 《发光学报》 北大核心 2025年第2期315-325,共11页
在过去十年中,近紫外有机发光二极管(NUV-OLEDs)因其具有近紫外光子发射能力而受到研究者的广泛关注。然而,当器件的电致发光波长降至400 nm以下时,如何提升器件的辐射功率成为技术挑战。本研究采用BCPO和TAZ作为NUV发光材料,制备了单... 在过去十年中,近紫外有机发光二极管(NUV-OLEDs)因其具有近紫外光子发射能力而受到研究者的广泛关注。然而,当器件的电致发光波长降至400 nm以下时,如何提升器件的辐射功率成为技术挑战。本研究采用BCPO和TAZ作为NUV发光材料,制备了单层和叠层NUV-OLEDs,并比较了它们的电致发光性能。结果表明,叠层器件的性能显著优于单层器件。其中,BCPO单层器件的发光峰位波长为384 nm,近紫外光占比56.9%,外量子效率2.91%,辐射功率34.2 mW/cm^(2);而BCPO叠层器件的近紫外光占比提高到60.5%,外量子效率提高到5.73%,辐射功率达到52.8 mW/cm^(2)。TAZ单层器件的发光峰位波长为377 nm,近紫外光占比79.1%,外量子效率3.65%,辐射功率15.7 mW/cm^(2);而TAZ叠层器件的近紫外光占比略增至79.6%,外量子效率提高到7.21%,辐射功率达到29.4 mW/cm^(2)。此外,叠层器件在相同辐射功率下所需电流密度更低,这使得叠层器件能够展现出比单层器件更好的发光稳定性。 展开更多
关键词 有机发光二极管 近紫外光 叠层结构 电荷生成层
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基于摩擦伏特效应的柔性直流电源研究进展
3
作者 孟佳 蒲雄 王中林 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1-14,共14页
摩擦起电(triboelectrification,TE)是几乎所有材料表面都存在的物理现象,而半导体材料的TE不同于起静电的介电材料。在半导体与半导体或金属的动态接触界面上,机械摩擦导致界面原子间化学键合的不断破坏和重建过程,释放能量量子(也称... 摩擦起电(triboelectrification,TE)是几乎所有材料表面都存在的物理现象,而半导体材料的TE不同于起静电的介电材料。在半导体与半导体或金属的动态接触界面上,机械摩擦导致界面原子间化学键合的不断破坏和重建过程,释放能量量子(也称键合子)来激发半导体界面的非平衡电子-空穴对,被激发的电子-空穴对在p-n结(或肖特基结、半导体异质结)的内建电场的作用下分离,从而在外电路产生直流电,该现象被称为摩擦伏特效应。此过程类似于光伏效应,不同之处在于能量的来源。在摩擦伏特效应中,电子-空穴对是由界面处原子瞬时跃迁释放的能量或界面处形成新键时释放的能量来激发,而光伏效应则是由光能激发。本文综述了基于摩擦伏特效应的直流发电机的研究进展,包括机理研究、材料与器件设计、表面改性增强策略等多个方面,并讨论了摩擦伏特器件在可穿戴设备领域作为柔性直流电源的设计开发、性能优化以及未来潜在应用场景。 展开更多
关键词 摩擦伏特效应 摩擦纳米发电机 直流发电机 柔性电源 摩擦伏特纳米发电机
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弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制
4
作者 司鑫阳 徐鸣 +2 位作者 王文豪 常家豪 王铖杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2153-2160,共8页
弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输... 弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输出电流和晶格温度进行了仿真分析,考察了偏置电场对GaAs PCSS输出特性的影响。通过不同时刻开关内部的瞬态电场、电子浓度和晶格温度等方面研究了高倍增模式下GaAs PCSS的光生载流子输运过程和损伤机理。结果表明,高密度丝状电流的存在伴随于高场畴的产生和发展。开关内部电场越高,负微分效应引起的载流子聚束现象越明显,相应的电子浓度和晶格温度值也越高;在浓度达1017 cm^(-3)数量级的等离子体通道中,阳极附近电场强度和晶格温度最大值分别为220 kV/cm和821.92 K。 展开更多
关键词 GAAS 光电导开关 高倍增模式 丝状电流 输运机制
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对MIS结构热弛豫时间的分析计算
5
作者 程骏骥 朱麒瑾 +2 位作者 徐子逸 王俊凯 杨洪强 《电气电子教学学报》 2024年第1期137-140,共4页
对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等... 对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等关键物理量之间的关联进行了推导,并基于MEDICI平台对推导结果完成了仿真验证,从而加强了学生对半导体表面效应的理解,也利于他们未来从事半导体方面的创新研究。 展开更多
关键词 半导体物理 MIS结构 热弛豫时间
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用二氧化硅表面改性纳米二氧化钛的制备及表征 被引量：17
6
作者 孙秀果 张建民 彭 政 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1174-1177,共4页
针对二氧化钛(TiO2)纳米颗粒在水性涂料中极易团聚、分散性差的问题,以提高 TiO2 分散稳定性为目的,用并流中和法,以锐钛矿型纳米TiO2 粉体为载体,硅酸钠(Na2SiO3)为包覆剂,用硫酸(H2SO4)调节 pH 值,成功地在纳米 TiO2 表面包覆致密的 S... 针对二氧化钛(TiO2)纳米颗粒在水性涂料中极易团聚、分散性差的问题,以提高 TiO2 分散稳定性为目的,用并流中和法,以锐钛矿型纳米TiO2 粉体为载体,硅酸钠(Na2SiO3)为包覆剂,用硫酸(H2SO4)调节 pH 值,成功地在纳米 TiO2 表面包覆致密的 SiO2 膜。借助 Fourier 变换红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、X 射线衍射技术(X-ray diffraction, XRD)和 X 射线能量散射谱(X-ray energy dispersive spectroscopy, EDS),表征样品的键合情况、相态结构、表面的化学成分,同时测定包覆改性前后的纳米 TiO2比表面积和酸溶性。FTIR 和 EDS 结果表明:该包覆方法可行,氧化硅(SiO2)以化学键合的方式沉积在纳米 TiO2表面,在包覆层和纳米 TiO2颗粒之间的界面上形成了 Ti—O—Si 键。酸溶实验分析和 XRD 结果证实:在 TiO2纳米颗粒表面包覆了一层致密 SiO2膜。比表面测定的结果显示:改性后 TiO2的比表面积随质量分数 m(SiO2):m(TiO2)增加而减小。 展开更多
关键词 二氧化钛 表面包覆 改性 二氧化硅 表征
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纳米粉体制备过程中粒子的团聚及控制方法研究 被引量：15
7
作者 郝顺利 王新 +1 位作者 崔银芳 王永明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期342-346,共5页
本文综述了纳米粉体中团聚现象的早期研究与近期进展,简单地介绍了团聚的危害,详细分析了团聚体的分类及形成,并采用DLVO理论和双电层理论对团聚的机理进行了理论分析,列举了一些目前在纳米粉体制备过程中常用的控制方法,并对该研究方... 本文综述了纳米粉体中团聚现象的早期研究与近期进展,简单地介绍了团聚的危害,详细分析了团聚体的分类及形成,并采用DLVO理论和双电层理论对团聚的机理进行了理论分析,列举了一些目前在纳米粉体制备过程中常用的控制方法,并对该研究方向的发展趋势及进一步控制纳米粒子团聚问题进行了探讨。 展开更多
关键词 纳米粒子 团聚机理 控制方法
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白光LED面阵及其主要参数指标 被引量：5
8
作者 蒋大鹏 刘学彦 +6 位作者 尹长安 赵成久 侯凤勤 赵建军 卢景贵 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期196-198,共3页
本文主要利用白光LED单管制备了白光LED面阵 ,将制备的白光LED面阵与日亚公司的同类产品进行了对比。研究了不同电流条件下 ,亮度、流明效率、色坐标和显色指数的变化。
关键词 白光LED 色坐标 显色指数 面阵
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锐钛型纳米二氧化钛的制备、表征及其机理的研究 被引量：7
9
作者 孙秀果 张建民 +1 位作者 周炬 李更辰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期944-947,共4页
以Ti(SO4)2为原料,沸腾回流强迫水解制备了TiO2粉体,利用XRD、TEM、IR等手段对样品进行表征,并对其制备机理进行了较为深入的研究.结果表明,该法制得了水合TiO2为锐钛矿相的结构,经400～600℃煅烧,样品的粒径均为100nm以下,大小分布均匀.
关键词 二氧化钛 制备 晶型结构 纳米微粒
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包覆沉淀法制备氧化硅改性的纳米二氧化钛及其性质 被引量：7
10
作者 孙秀果 张建民 彭政 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1898-1900,1907,共4页
采用包覆沉淀法,以混晶纳米二氧化钛粉体为载体,硅酸钠为包覆剂,用硫酸调pH值,成功的在纳米二氧化钛表面包覆致密的二氧化硅膜。并用IR、XRD、EDS及TEM进行了表征,同时对包覆改性前后的纳米二氧化钛进行比表面积、光催化活性的测定。IR... 采用包覆沉淀法,以混晶纳米二氧化钛粉体为载体,硅酸钠为包覆剂,用硫酸调pH值,成功的在纳米二氧化钛表面包覆致密的二氧化硅膜。并用IR、XRD、EDS及TEM进行了表征,同时对包覆改性前后的纳米二氧化钛进行比表面积、光催化活性的测定。IR、EDS表明:该包覆方法可行,氧化硅以化学键合的方式沉积在纳米TiO2的表面,在包覆层和纳米TiO2颗粒之间的界面上形成了Ti—O—Si键。XRD证实氧化硅的添加提高了二氧化钛纳米颗粒的热稳定性能,有效地抑制纳米二氧化钛的晶型转化。TEM照片显示,包覆后的TiO2粒径减小,粒度分布均匀,表面光滑。比表面和光降解实验结果显示,改性后的TiO2具有高的比表面,而且随包SiO2含量的增大而减小。和未改性纳米TiO2相比,具有较高的光催化活性,且在煅烧温度为600℃时催化活性最好。 展开更多
关键词 二氧化钛 二氧化硅 表面包覆 表征
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二氧化硅掺杂对黑色氧化铝陶瓷的改性(英文) 被引量：4
11
作者 周东祥 梁军 +1 位作者 龚树萍 郑志平 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1178-1180,共3页
用超微细氧化铝(Al2O3),二氧化硅(SiO2)粉体及适量的过渡金属氧化物,用固相反应法在1350℃空气中烧结得到了致密的黑色Al2O3陶瓷。研究了SiO2掺杂对陶瓷显微结构和电性能的影响。实验表明:在黑色Al2O3陶瓷中,SiO2是一种较好的掺杂剂,它... 用超微细氧化铝(Al2O3),二氧化硅(SiO2)粉体及适量的过渡金属氧化物,用固相反应法在1350℃空气中烧结得到了致密的黑色Al2O3陶瓷。研究了SiO2掺杂对陶瓷显微结构和电性能的影响。实验表明:在黑色Al2O3陶瓷中,SiO2是一种较好的掺杂剂,它不仅可以降低烧结温度,使陶瓷晶粒细小均匀,同时还可以改善材料的电气性能,使之满足用作晶体振荡器件、光电器件及集成电路器件等的基板及避光封装外壳的要求。 展开更多
关键词 封装材料 氧化铝陶瓷 氧化硅掺杂 介电性能
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铜、银及铂原子纳米团簇熔点随尺寸非单调变化的分子动力学模拟研究 被引量：6
12
作者 罗强 王新强 +2 位作者 何焕典 毋志民 肖绪洋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期351-354,350,共5页
采用分子动力学方法和原子嵌入法模型势模拟了铜原子、银原子及铂原子纳米团簇的熔化过程,研究了这些金属原子纳米团簇熔点与团簇尺寸的关系,发现各自在小于一定数目原子的金属纳米团簇的熔点不再随尺寸的变小而单调下降,通过对各种团... 采用分子动力学方法和原子嵌入法模型势模拟了铜原子、银原子及铂原子纳米团簇的熔化过程,研究了这些金属原子纳米团簇熔点与团簇尺寸的关系,发现各自在小于一定数目原子的金属纳米团簇的熔点不再随尺寸的变小而单调下降,通过对各种团簇溶化前后结构的比较研究,分析了导致这种现象的原因。 展开更多
关键词 纳米团簇 熔点 分子动力学模拟
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GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究 被引量：4
13
作者 姚冬敏 王立 +2 位作者 熊传兵 彭学新 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期109-114,共6页
用ＲＢＳ／沟道技术对ＭＯＣＶＤ生长的未故意掺杂的ＧａＮ的结构性能进行了测试，同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明：ＧａＮ薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Ｘｍｉｎ和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品，其Ｘ... 用ＲＢＳ／沟道技术对ＭＯＣＶＤ生长的未故意掺杂的ＧａＮ的结构性能进行了测试，同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明：ＧａＮ薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Ｘｍｉｎ和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品，其Ｘｍｉｎ小；随着样品补偿度的增大，Ｘｍｉｎ也逐渐增大；但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。 展开更多
关键词 氮化缘 离子束沟道 补偿度
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余弦-高斯激光脉冲在单模光纤中的色散效应 被引量：4
14
作者 刘浩 王黎 高晓蓉 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期30-33,共4页
首次提出了余弦-高斯激光脉冲,并证明了该脉冲可由两个相位相反的线性啁啾的高斯激光脉冲叠加得到。由NLS方程出发,对余弦-高斯激光脉冲在色散介质中的色散效应进行了详细的研究。研究结果表明,初始啁啾并不影响入射场的光强分布;当脉... 首次提出了余弦-高斯激光脉冲,并证明了该脉冲可由两个相位相反的线性啁啾的高斯激光脉冲叠加得到。由NLS方程出发,对余弦-高斯激光脉冲在色散介质中的色散效应进行了详细的研究。研究结果表明,初始啁啾并不影响入射场的光强分布;当脉冲参数a=1.13时,余弦-高斯激光脉冲的初始脉宽有最小值,且比高斯激光脉冲的初始脉宽要窄;余弦-高斯激光脉冲的展宽因子与传输距离、色散长度LD、激光脉冲参数a、初始啁啾参量C和β2的符号有关,余弦-高斯激光脉冲都比高斯激光脉冲的展宽要快,且参数a越大展宽就越明显。 展开更多
关键词 GVD 啁啾激光脉冲 余弦-高斯激光脉冲 展宽固子 单模光纤 色散效应
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掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质 被引量：4
15
作者 陈维德 陈长勇 卞留芳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期647-650,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自nc-S i在800 nm的发光强度比来自a-S iOx∶H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-S iOx∶H在1.54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-S iOx∶H薄膜中S i颗粒和Er3+的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Ram an散射等的测量结果,进一步明确指出a-S i颗粒在Er3+的激发中可以起到和nc-S i同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。 展开更多
关键词 稀土 离子注入 纳米硅 富硅氧化硅
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用微波方法测量半导体非平衡载流子寿命 被引量：2
16
作者 倪祖荣 吕文选 +2 位作者 陈朝 郑绍宽 花健敏 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期681-685,共5页
介绍用有哑铃状孔－缝端盖的微波谐振腔测量片状半导体材料非平衡载流子寿命的一种方法．腔体用圆柱ＴＥ０１１模高Ｑ腔，易于更换端盖，可以达到较高的测量精度．实验表明，对同一半导体材料测量得到的有效寿命不因端盖孔－缝的改变而... 介绍用有哑铃状孔－缝端盖的微波谐振腔测量片状半导体材料非平衡载流子寿命的一种方法．腔体用圆柱ＴＥ０１１模高Ｑ腔，易于更换端盖，可以达到较高的测量精度．实验表明，对同一半导体材料测量得到的有效寿命不因端盖孔－缝的改变而变化，所以可以通过选用孔－缝尺寸不同的端盖，来测量不同电导率的材料，以提高信号幅度，从而提高精度．测量是无接触的，因此无需对样品进行加工．用小的孔－缝端盖还可以用来对半导体材料有效寿命的二维分布进行研究． 展开更多
关键词 圆柱腔 微波 非平衡载流子 寿命 半导体
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强激光对燃烧室壳体的热-力毁伤研究 被引量：2
17
作者 罗积军 徐军 +3 位作者 侯素霞 曾震武 赵云芳 袁博 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期713-717,共5页
基于ANSYS有限元软件,按有无内压作用,分别对激光辐照下燃烧室壳体的温度场、热应力、应变与损伤进行了计算与分析.分析表明,壳体的温度场分布与光束的功率分布一致,光斑中心温度最高.壳体中应力最大值不在光斑中心,而是位于光斑边缘处... 基于ANSYS有限元软件,按有无内压作用,分别对激光辐照下燃烧室壳体的温度场、热应力、应变与损伤进行了计算与分析.分析表明,壳体的温度场分布与光束的功率分布一致,光斑中心温度最高.壳体中应力最大值不在光斑中心,而是位于光斑边缘处,在壳体吸收的激光功率密度超过1 000W/cm2时,壳体中应力大于材料的强度极限,壳体均会发生软化.在存在内部燃气压力的情况下,壳体应力会产生局部集中,沿壳体环向表面通过光斑中心中轴线区域很有可能裂口;相比较无内压的壳体,存在内压的壳体中的应力和产生的形变均大于无内压时的壳体.因此,为达到相同的毁伤效果,在存在内压的情况下,可以适当的降低激光的辐照强度. 展开更多
关键词 强激光 燃烧室壳体 毁伤
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Co包覆纳米Al_2O_3/TiC复合材料的界面电子结构计算及材料制备 被引量：2
18
作者 师瑞霞 尹衍升 +1 位作者 李嘉 龚红宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期388-394,共7页
采用热压烧结法制备了Co包覆纳米A l2O3/TiC复合材料。当热压烧结温度为1650℃时,复合材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度分别为782MPa、7.81MPa.m1/2和HRA92.7。A l2O3和A l2O3/TiC的断口以沿晶断裂为主,Co包覆A l2O3/TiC复合材料的断口... 采用热压烧结法制备了Co包覆纳米A l2O3/TiC复合材料。当热压烧结温度为1650℃时,复合材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度分别为782MPa、7.81MPa.m1/2和HRA92.7。A l2O3和A l2O3/TiC的断口以沿晶断裂为主,Co包覆A l2O3/TiC复合材料的断口则为沿晶和穿晶混合断口。利用经验电子理论计算了Co、TiC与α-A l2O3三者的价电子结构及其部分晶面的电子密度,并对三相的晶体学取向进行了预测。 展开更多
关键词 界面 Co包覆 Al2O3/TiC复合材料 电子密度 增韧
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MOCVD-Ga_(0.4)In_(0.6)As_(0.85)P_(0.15)/InP分布布喇格反射镜的反射率 被引量：1
19
作者 蒋红 金亿鑫 +2 位作者 宋航 李军 缪国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期686-690,共5页
采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。... 采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系。根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%。利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP的交替生长,成功地获得周期数分别为3,4,7,11,15,19,23的分布布喇格反射镜(DBR)。实验结果表明,已获得表面如镜面状的二元InP外延层,而组分x,y分别为0.4,0.85的四元合金,因其处于混溶隙,外延层表面较粗糙,未获得镜面状表面。反射率的测量结果表明,反射镜的反射率随周期数的增加而升高,当DBR的周期数为23时,反射率为54.44%,与理论结果尚存在一定差距。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 分布布喇格反射镜 反射率
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色散缓变光纤中脉冲频谱演变的研究 被引量：1
20
作者 王进 王晶 谷志丹 《中国海洋大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期309-312,共4页
采用数值计算的方法研究了高斯脉冲的频谱在色散缓变光纤中的传输特性及初始啁啾对频谱演变的影响。结果表明 :色散缓变光纤可以有效的抑制频谱的展宽 ,将其应用到超长距离光纤通信系统是可行的 ;初始啁啾使脉冲频谱严重展宽 ,应采取消... 采用数值计算的方法研究了高斯脉冲的频谱在色散缓变光纤中的传输特性及初始啁啾对频谱演变的影响。结果表明 :色散缓变光纤可以有效的抑制频谱的展宽 ,将其应用到超长距离光纤通信系统是可行的 ;初始啁啾使脉冲频谱严重展宽 ,应采取消啁啾的措施。 展开更多
关键词 色散缓变光纤 频谱 光纤通信 啁啾
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