期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1,358篇文章
< 1 2 … 68 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
PbS量子点红外光电探测器研究进展
1
作者 夏溢坪 杨奥 +6 位作者 李国彬 陈丽婷 李鑫龙 何禅 李学铭 唐利斌 陈晟迪 《红外与激光工程》 北大核心 2026年第1期179-193,共15页
PbS胶体量子点(PbS CQDs)及其纳米晶可以提供宽范围的可调谐带隙且具有高吸收系数和大激子玻尔半径,在红外和光电方面具有独特的潜力。尽管PbS光电器件的研究已经取得了一定进展,目前对于器件探测范围、光电性能大幅提升依然面临着较大... PbS胶体量子点(PbS CQDs)及其纳米晶可以提供宽范围的可调谐带隙且具有高吸收系数和大激子玻尔半径,在红外和光电方面具有独特的潜力。尽管PbS光电器件的研究已经取得了一定进展,目前对于器件探测范围、光电性能大幅提升依然面临着较大的难题。综述了PbS光电器件的最新进展,早期研究主要是集中在器件结构、样品形貌、尺寸调控上,近年来在此基础上进一步提出了掺杂、异质结及配体钝化等研究方案。讨论了具有不同形貌尺寸的PbS晶粒对光电器件的探测率、响应率等性能的影响,以及使用掺杂剂、构建异质结构等方法使器件导电类型变为n型或p型,从而提升器件整体的光吸收能力和探测效率。这些措施不仅改善了PbS量子点的光电特性,还为其在红外探测、太阳能电池、光电传感器等领域的应用提供了新的可能性。总结了多种提升PbS CQDs光电探测器性能的策略,并展望了未来光电器件性能提升及应用的可能途径。 展开更多
关键词 PbS CQDs 探测器 光电器件 探测率 响应率
原文传递
WSe_(2)/MoSe_(2)横向异质结中的自旋相关光电流特性
2
作者 许荣智 周宇超 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期18-24,共7页
采用化学气相沉积法制备WSe_(2)/MoSe_(2)横向异质结,并利用波长为1064 nm的激光系统研究其圆偏振相关光电流和线偏振相关光电流特性.实验结果表明,圆偏振相关光电流随入射角变化呈现奇对称趋势,这可能与横向异质结的对称性降低至C_(3v... 采用化学气相沉积法制备WSe_(2)/MoSe_(2)横向异质结,并利用波长为1064 nm的激光系统研究其圆偏振相关光电流和线偏振相关光电流特性.实验结果表明,圆偏振相关光电流随入射角变化呈现奇对称趋势,这可能与横向异质结的对称性降低至C_(3v)点群有关.对线偏振相关光电流幅值L_(1)和L_(2)的入射角依赖性进行分析.L_(1)可能来源于线偏振光致电流效应和表面光电流效应的共同作用;L_(2)主要来源于线偏振光子拖曳效应.进一步研究发现,WSe_(2)/MoSe_(2)横向异质结的圆偏振相关光电流受到异质结中电荷转移效应的影响,并与WSe_(2)和MoSe_(2)之间的电子弛豫时间差异、导带曲率差异密切相关. 展开更多
关键词 WSe_(2)/MoSe_(2)横向异质结 化学气相沉积法 圆偏振相关光电流 线偏振相关光电流
在线阅读 下载PDF
“碳化硅外延层厚度的确定”的问题解析
3
作者 薛毅 《数学建模及其应用》 2026年第1期75-85,共11页
本文给出2025年“高教社杯”全国大学生数学建模竞赛B题“碳化硅外延层厚度的确定”的求解方法,并介绍参赛论文使用较多的方法,分析这些方法的优点或不足.为保证求解的连贯性,论文的前一部分是问题的求解,后一部分是参赛论文的点评.
关键词 碳化硅 外延层厚度 厚度测量 红外反射率 折射率
在线阅读 下载PDF
COF-MOF复合材料的合成及其在水处理领域的研究进展
4
作者 李洁 张佳 +1 位作者 陈连喜 李小鹏 《应用化工》 北大核心 2025年第6期1610-1615,共6页
综述了近年来COF-MOF复合材料在污水处理方面的应用,系统介绍了COF-MOF复合材料的合成方法及其在污水处理领域的研究进展。并总结了COF-MOF复合材料在实际性能方面的战略优势,提出了COF-MOF复合材料在未来应用面临的挑战,并进行展望。
关键词 金属有机框架(MOF) 共价有机框架(COF) 复合材料 污水处理
在线阅读 下载PDF
制程温度对Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉原子与电子结构的影响
5
作者 郑世燕 廖凌鑫 +1 位作者 庄琼 袁怡圃 《陕西科技大学学报》 北大核心 2025年第2期156-162,共7页
由于Eu^(3+)的掺杂,使得Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)样品具有发光的特性.本文主要探讨利用溶胶凝胶法制备Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉样品时,制程温度对样品原子与电子结构的影响.在原子结构的研究上,先利用X射线衍射进行测量,再使用一般结... 由于Eu^(3+)的掺杂,使得Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)样品具有发光的特性.本文主要探讨利用溶胶凝胶法制备Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉样品时,制程温度对样品原子与电子结构的影响.在原子结构的研究上,先利用X射线衍射进行测量,再使用一般结构分析系统软件对X射线衍射测量结果进行拟合分析;在电子结构的研究上,则是利用以同步辐射为光源的X射线吸收近边结构能谱进行分析.期许能从原子与电子结构的角度,获得制程温度与Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉样品发光强度间的关联性.实验结果表明,该样品主要以低温相存在.当制程温度升高时,Eu^(3+)在样品中的掺杂位置会受影响,体现在不对称率I的改变;虽然此举并不影响样品的发光波长,但会让样品的发光强度增强,在此过程中也伴随着O 2p-Eu 4f/5d混合未占据态态密度的改变. 展开更多
关键词 Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+) 光致发光光谱 X射线衍射 一般结构分析系统 X射线吸收近边结构
在线阅读 下载PDF
无机卤化物钙钛矿CsPbCl_(3)纳米线的可控制备与光学性质
6
作者 党婵娟 沈霞 +1 位作者 张保龙 郭鹏飞 《材料导报》 北大核心 2025年第11期53-57,共5页
无机卤化物钙钛矿纳米材料由于具有优异的光电子性能,包括高量子效率、长的载流子扩散长度、可控调制的带隙等,近年来受到科学家的广泛关注。这些优异的半导体材料在钙钛矿太阳能电池、光探测器、发光二极管、纳米激光器、光波导、光传... 无机卤化物钙钛矿纳米材料由于具有优异的光电子性能,包括高量子效率、长的载流子扩散长度、可控调制的带隙等,近年来受到科学家的广泛关注。这些优异的半导体材料在钙钛矿太阳能电池、光探测器、发光二极管、纳米激光器、光波导、光传感器等光电子器件中发挥了重要的作用。本工作主要介绍了一种利用化学气相沉积可控制备无机卤化物钙钛矿CsPbCl_(3)纳米线及纳米薄膜的方法。结构表征证实了得到的纳米薄膜材料表面平整,具有高结晶度,纳米线材料长度为几十微米,直径为100~200 nm。光学测试结果表明,该CsPbCl_(3)薄膜材料发射波长为425 nm,并且与纳米线发射峰位置一致。二维光学映射(2D-PL mapping)图像和荧光光谱结果表明,纳米线具有优良的荧光发射性质,且沿着纳米线轴向发光均匀,具有良好的光波导效应。这一钙钛矿材料可为未来纳米光通信和全光传输器件设计提供基础。 展开更多
关键词 化学气相沉积法 无机卤化物钙钛矿薄膜 钙钛矿纳米线 光波导 纳米光子学
在线阅读 下载PDF
Fe_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料的制备及性能研究 被引量：1
7
作者 李晶 张赵越 +2 位作者 蔡志雄 王晨鹏 马天慧 《黑龙江工程学院学报》 2025年第1期1-8,28,共9页
类石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))具有廉价易得、易于制备、能带可调的优点,但其比表面积相对较小、结构缺陷多以及光生载流子易复合等缺点限制了它的光催化应用。文中分别以尿素和三聚氰胺作为前驱体制备了g-C_(3)N_(4)(A)和g-C_(3)N_(4)(... 类石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))具有廉价易得、易于制备、能带可调的优点,但其比表面积相对较小、结构缺陷多以及光生载流子易复合等缺点限制了它的光催化应用。文中分别以尿素和三聚氰胺作为前驱体制备了g-C_(3)N_(4)(A)和g-C_(3)N_(4)(B),并与Fe_(2)O_(3)构建Fe_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合结构。扫描电子显微镜(SEM)照片显示Fe_(2)O_(3)和g-C_(3)N_(4)(A)复合成紧密的絮状结构,这有利于提高g-C_(3)N_(4)的比表面积。紫外可见漫反射谱显示g-C_(3)N_(4)与Fe_(2)O_(3)复合后,其吸收边发生红移。以上这些变化均有利于增强复合材料的光催化性能。结果表明:10%Fe_(2)O_(3)/90%g-C_(3)N_(4)(A)的光催化效果最好,其降解速率常数是单一相g-C_(3)N_(4)(A)的1.44倍,是单一相g-C_(3)N_(4)(B)的3.71倍,是单一相Fe_(2)O_(3)的2.34倍。 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) 罗丹明B 光催化剂 污染物降解 异质结
在线阅读 下载PDF
基于直流磁控溅射VO_(2)薄膜的高效近红外光电探测器
8
作者 杨琪 曾敏 +4 位作者 周文祺 邓琨 李根 杨柳 李岳彬 《发光学报》 北大核心 2025年第11期2119-2128,共10页
二氧化钒(VO_(2))半导体材料因具有窄带隙和可逆的金属-绝缘体相变(MIT)特性,在近红外光电探测领域展现出广阔的应用前景。本文采用直流磁控溅射金属钒靶材,结合退火工艺在p型硅衬底上成功制备了单斜相VO_(2)(M1)薄膜,其表面呈现均匀而... 二氧化钒(VO_(2))半导体材料因具有窄带隙和可逆的金属-绝缘体相变(MIT)特性,在近红外光电探测领域展现出广阔的应用前景。本文采用直流磁控溅射金属钒靶材,结合退火工艺在p型硅衬底上成功制备了单斜相VO_(2)(M1)薄膜,其表面呈现均匀而致密的颗粒结构,室温下为沿低能面(011)择优取向生长的VO_(2)(M1),温度升高至70℃时主要为金红石相VO_(2)(R)。进一步构筑了金属-半导体-金属(MSM)结构的近红外光电探测器(Ag/VO_(2)/Ag)。在1.5 V偏压、980 nm近红外光照射下,该器件在室温时展现出优异的光电响应性能。当入射光功率密度为0.07 mW/cm^(2)时,响应度和比探测率达到峰值,分别为109.06 mA/W和2.33×10^(10)Jones,光响应的上升和衰减时间分别为0.256 s和0.427 s。温变特性分析表明,器件在20~80℃温区内的响应度呈现随温度升高而单调递增规律,这主要归因于VO_(2)发生的M1→R结构相变导致载流子浓度升高。此外,器件在455~1100 nm宽光谱范围内也保持良好的光响应性能。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 VO_(2) 金属-绝缘体相变 近红外光 光电探测器
在线阅读 下载PDF
非均匀离散化有限差分法应用于InAs/GaSb超晶格微带计算
9
作者 蒋志 周旭昌 +1 位作者 杨晋 孔金丞 《红外技术》 北大核心 2025年第11期1382-1389,共8页
基于k·p微扰理论的8带Kane模型和Lüttinger-Kohn模型是计算锑化物二类超晶格微带结构的有效手段,常用于锑化物二类超晶格材料和器件结构设计。在8带k·p模型基础上用非均匀离散化有限差分法构建长波InAs/GaSb超晶格和中波... 基于k·p微扰理论的8带Kane模型和Lüttinger-Kohn模型是计算锑化物二类超晶格微带结构的有效手段,常用于锑化物二类超晶格材料和器件结构设计。在8带k·p模型基础上用非均匀离散化有限差分法构建长波InAs/GaSb超晶格和中波InAs/GaSb超晶格的总矩阵。通过计算超晶格总哈密顿矩阵的本征值对超晶格在波矢空间的E-k关系进行数值求解,得到长波InAs/GaSb超晶格和中波InAs/GaSb超晶格在波矢空间高对称点附近的微带(mini-band)结构。其中中波和长波超晶格的有效带隙分别为0.247 eV和0.109 eV,与均匀网格离散化方案的计算结果一致,并与以相同超晶格结构作吸收层的器件100%截止波长测试结果一致。非均匀网格离散化方案与均匀网格离散化方案相比,在保证精算准确性的前提下,能显著提升InAs/GaSb超晶格微带结构的数值计算效率。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 k·p模型 有限差分法 非均匀离散化
在线阅读 下载PDF
基于氧化铝界面修饰层的高灵敏度宽谱有机光电探测器 被引量：1
10
作者 李耀江 石林林 +4 位作者 孙鑫宇 尚子恒 李国辉 冀婷 崔艳霞 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1930-1939,共10页
有机光电探测器因具有材料广泛、柔性及生物兼容性等优点,在生物医学成像、环境监测和光通信等领域备受关注。然而,受限于有机材料的吸收带隙和较高的暗电流,现有有机光电探测器在宽谱响应和高灵敏度等方面仍面临挑战。本文以ZnPc∶C_(... 有机光电探测器因具有材料广泛、柔性及生物兼容性等优点,在生物医学成像、环境监测和光通信等领域备受关注。然而,受限于有机材料的吸收带隙和较高的暗电流,现有有机光电探测器在宽谱响应和高灵敏度等方面仍面临挑战。本文以ZnPc∶C_(60)为活性层,通过原子层沉积技术引入氧化铝界面修饰层,有效抑制了ITO阳极与ZnPc空穴传输层的界面化学反应,使器件的暗电流密度降低至4×10^(-7) A/cm^(2),亮-暗电流密度比提升至3 500。此外,拉曼光谱表征证实ZnPc与C_(60)之间存在分子间电荷转移效应,有效拓宽了器件的响应范围,该器件在375~1 550 nm宽谱范围内均具有稳定的光谱响应特性。进一步对器件进行优化,最终器件在365 nm波长处的外量子效率(EQE)、响应度(R)、探测率(D^(*) )分别达到72.4%、0.21 A/W、4.05×10^(11) Jones。此外,器件在580 nm和735 nm波长处表现出光电倍增行为,最优EQE、R、D^(*) 分别达到128.3%、0.75 A/W、1.44×10^(12) Jones。本研究为高灵敏度、宽光谱响应的有机光电探测器设计提供了新思路。 展开更多
关键词 光电探测器 有机小分子 界面修饰 分子间电荷转移 氧化铝
在线阅读 下载PDF
锑化铟半导体掺杂硫元素的能带结构、态密度以及光学性质研究
11
作者 韩玉娇 沈艳红 +2 位作者 虞游 邓江 盛佳南 《成都信息工程大学学报》 2025年第1期107-110,共4页
使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,... 使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,电子从价带跃迁进入导带的几率降低;随着掺杂S浓度的增加,静态介电常数减小,吸收强度降低,能量损失峰值降低。 展开更多
关键词 锑化铟 第一性原理 掺杂 电子性质 光学性质
在线阅读 下载PDF
白光LED的加速老化特性 被引量：41
12
作者 林亮 陈志忠 +3 位作者 陈挺 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-621,共5页
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿... 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。 展开更多
关键词 GAN基白光LED 老化 电流-电压 电容-电压 光通量 寿命
在线阅读 下载PDF
炸药爆轰合成纳米金刚石的拉曼光谱和红外光谱研究 被引量：14
13
作者 文潮 金志浩 +7 位作者 刘晓新 李迅 关锦清 孙德玉 林英睿 唐仕英 周刚 林俊德 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期681-684,共4页
用负氧平衡炸药爆轰法合成纳米金刚石,并用粉末X射线衍射(XRD)仪、激光Raman光谱仪和红外光谱仪等分析仪器对其结构进行表征。XRD结果表明,纳米金刚石为立方结构,由于其内部结构的高密度缺陷、杂质原子的夹杂使谱线偏离,晶格常数比静压... 用负氧平衡炸药爆轰法合成纳米金刚石,并用粉末X射线衍射(XRD)仪、激光Raman光谱仪和红外光谱仪等分析仪器对其结构进行表征。XRD结果表明,纳米金刚石为立方结构,由于其内部结构的高密度缺陷、杂质原子的夹杂使谱线偏离,晶格常数比静压合成的大颗粒金刚石大0.72%。由于金刚石晶粒细小,Raman光谱特征峰产生宽化,并且向小波数方向偏移了3cm-1,此外在纳米金刚石中还含有极少量的石墨。红外光谱测试结果中,3422cm-1吸收峰为O—H伸缩振动峰;在1634cm-1出现了H2O的弯曲振动峰,表明在纳米金刚石样品粉末中含有水分;2930和2857cm-1是CH2的反对称和对称伸缩振动吸收峰;2971cm-1是CH3的反对称伸缩振动吸收峰,说明样品中存在极少量的碳氢化合物;1788cm-1吸收峰为CO伸缩振动吸收峰。文章从纳米金刚石的生成机理上分析了产生这些峰位的原因,结果表明纳米金刚石属于Ⅰ型金刚石,在它之中含有ⅠaA型和Ⅰb型金刚石,ⅠaA型金刚石的含量比Ⅰb型金刚石多。 展开更多
关键词 纳米金刚石 光谱研究 拉曼光谱 爆轰合成 粉末X射线衍射 RAMAN光谱 伸缩振动 炸药爆轰法 红外光谱仪 吸收峰 碳氢化合物 分析仪器 立方结构 内部结构 杂质原子 静压合成 晶格常数 光谱测试 弯曲振动 生成机理 反对称 aA型
在线阅读 下载PDF
Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性 被引量：28
14
作者 张国斌 施朝淑 +4 位作者 韩正甫 石军岩 林碧霞 Kirm M Zimmerer G 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期157-159,共3页
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。
关键词 光致发光 同步辐射 氧化锌 薄膜 半导体
在线阅读 下载PDF
MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性 被引量：21
15
作者 张德恒 张锡健 +1 位作者 王卿璞 孙征 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期111-116,共6页
MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价... MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/Mg_xZn_(1-x)O超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系。 展开更多
关键词 氧锌镁薄膜 量子阱 超晶格 光致发光 受激发射 半导体材料
在线阅读 下载PDF
Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质 被引量：16
16
作者 曲盛薇 唐鑫 +2 位作者 吕海峰 刘明 张庆瑜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期204-208,共5页
采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄... 采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向,无Cu及其氧化物相关相析出,掺杂对晶格参数的影响较小,与理论计算结果一致。Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性,其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小,带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性。Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率,具有明显的发光猝灭作用,但并不影响光致发光的发光峰位。说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关,这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的。 展开更多
关键词 ZnO:Cu薄膜 磁控溅射 密度泛函理论 结晶特性 光学性质
在线阅读 下载PDF
纳米ZnO胶体可见发射机制的研究 被引量：10
17
作者 宋国利 刘慧英 +2 位作者 孙凯霞 杨幼桐 陈保久 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期348-352,共5页
关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带... 关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带的电子到深陷阱的跃迁。 展开更多
关键词 纳米ZnO胶体 可见发射机制 激子发射 量子限域效应 发射带 氧化锌 半导体材料
在线阅读 下载PDF
ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理 被引量：16
18
作者 施朝淑 张国斌 +6 位作者 陈永虎 林碧霞 孙玉明 徐彭寿 傅竹西 Kirm M Zimmerer G 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期272-276,共5页
以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,... 以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0～ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 发光 真空紫外 光谱特性
在线阅读 下载PDF
ZnO薄膜的掺杂特性 被引量：10
19
作者 刘大力 杜国同 +8 位作者 王金忠 张源涛 张景林 马艳 杨晓天 赵佰军 杨洪军 刘博阳 杨树人 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期134-138,共5页
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量... 通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10^(16)cm^(-3),迁移率为3.6cm^2·V^(-1)·s^(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 富锌生长 半导体材料 氮掺杂 生长温度 掺杂流量 空穴载流子浓度
在线阅读 下载PDF
锐钛矿相TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量：18
20
作者 赵宗彦 柳清菊 +1 位作者 朱忠其 张瑾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1555-1561,共7页
采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.利用精确计算的能带结构和态密度分析了电子带间跃迁占主导地位的锐钛矿相TiO2的介电函数、复折射率、反射率和吸收系数,理... 采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.利用精确计算的能带结构和态密度分析了电子带间跃迁占主导地位的锐钛矿相TiO2的介电函数、复折射率、反射率和吸收系数,理论计算得到的结果与实验测量结果基本一致.结果表明锐钛矿相TiO2在E∥c和E⊥c两个极化方向上具有明显的光学各向异性,为锐钛矿相TiO2的应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 锐钛矿相TIO2 电子结构 光学性质 第一性原理
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 68 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部