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COF-MOF复合材料的合成及其在水处理领域的研究进展
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作者 李洁 张佳 +1 位作者 陈连喜 李小鹏 《应用化工》 北大核心 2025年第6期1610-1615,共6页
综述了近年来COF-MOF复合材料在污水处理方面的应用,系统介绍了COF-MOF复合材料的合成方法及其在污水处理领域的研究进展。并总结了COF-MOF复合材料在实际性能方面的战略优势,提出了COF-MOF复合材料在未来应用面临的挑战,并进行展望。
关键词 金属有机框架(MOF) 共价有机框架(COF) 复合材料 污水处理
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制程温度对Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉原子与电子结构的影响
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作者 郑世燕 廖凌鑫 +1 位作者 庄琼 袁怡圃 《陕西科技大学学报》 北大核心 2025年第2期156-162,共7页
由于Eu^(3+)的掺杂,使得Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)样品具有发光的特性.本文主要探讨利用溶胶凝胶法制备Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉样品时,制程温度对样品原子与电子结构的影响.在原子结构的研究上,先利用X射线衍射进行测量,再使用一般结... 由于Eu^(3+)的掺杂,使得Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)样品具有发光的特性.本文主要探讨利用溶胶凝胶法制备Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉样品时,制程温度对样品原子与电子结构的影响.在原子结构的研究上,先利用X射线衍射进行测量,再使用一般结构分析系统软件对X射线衍射测量结果进行拟合分析;在电子结构的研究上,则是利用以同步辐射为光源的X射线吸收近边结构能谱进行分析.期许能从原子与电子结构的角度,获得制程温度与Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+)荧光粉样品发光强度间的关联性.实验结果表明,该样品主要以低温相存在.当制程温度升高时,Eu^(3+)在样品中的掺杂位置会受影响,体现在不对称率I的改变;虽然此举并不影响样品的发光波长,但会让样品的发光强度增强,在此过程中也伴随着O 2p-Eu 4f/5d混合未占据态态密度的改变. 展开更多
关键词 Sr_(2)SiO_(4):Eu^(3+) 光致发光光谱 X射线衍射 一般结构分析系统 X射线吸收近边结构
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无机卤化物钙钛矿CsPbCl_(3)纳米线的可控制备与光学性质
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作者 党婵娟 沈霞 +1 位作者 张保龙 郭鹏飞 《材料导报》 北大核心 2025年第11期53-57,共5页
无机卤化物钙钛矿纳米材料由于具有优异的光电子性能,包括高量子效率、长的载流子扩散长度、可控调制的带隙等,近年来受到科学家的广泛关注。这些优异的半导体材料在钙钛矿太阳能电池、光探测器、发光二极管、纳米激光器、光波导、光传... 无机卤化物钙钛矿纳米材料由于具有优异的光电子性能,包括高量子效率、长的载流子扩散长度、可控调制的带隙等,近年来受到科学家的广泛关注。这些优异的半导体材料在钙钛矿太阳能电池、光探测器、发光二极管、纳米激光器、光波导、光传感器等光电子器件中发挥了重要的作用。本工作主要介绍了一种利用化学气相沉积可控制备无机卤化物钙钛矿CsPbCl_(3)纳米线及纳米薄膜的方法。结构表征证实了得到的纳米薄膜材料表面平整,具有高结晶度,纳米线材料长度为几十微米,直径为100~200 nm。光学测试结果表明,该CsPbCl_(3)薄膜材料发射波长为425 nm,并且与纳米线发射峰位置一致。二维光学映射(2D-PL mapping)图像和荧光光谱结果表明,纳米线具有优良的荧光发射性质,且沿着纳米线轴向发光均匀,具有良好的光波导效应。这一钙钛矿材料可为未来纳米光通信和全光传输器件设计提供基础。 展开更多
关键词 化学气相沉积法 无机卤化物钙钛矿薄膜 钙钛矿纳米线 光波导 纳米光子学
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Fe_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料的制备及性能研究 被引量:1
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作者 李晶 张赵越 +2 位作者 蔡志雄 王晨鹏 马天慧 《黑龙江工程学院学报》 2025年第1期1-8,28,共9页
类石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))具有廉价易得、易于制备、能带可调的优点,但其比表面积相对较小、结构缺陷多以及光生载流子易复合等缺点限制了它的光催化应用。文中分别以尿素和三聚氰胺作为前驱体制备了g-C_(3)N_(4)(A)和g-C_(3)N_(4)(... 类石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))具有廉价易得、易于制备、能带可调的优点,但其比表面积相对较小、结构缺陷多以及光生载流子易复合等缺点限制了它的光催化应用。文中分别以尿素和三聚氰胺作为前驱体制备了g-C_(3)N_(4)(A)和g-C_(3)N_(4)(B),并与Fe_(2)O_(3)构建Fe_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合结构。扫描电子显微镜(SEM)照片显示Fe_(2)O_(3)和g-C_(3)N_(4)(A)复合成紧密的絮状结构,这有利于提高g-C_(3)N_(4)的比表面积。紫外可见漫反射谱显示g-C_(3)N_(4)与Fe_(2)O_(3)复合后,其吸收边发生红移。以上这些变化均有利于增强复合材料的光催化性能。结果表明:10%Fe_(2)O_(3)/90%g-C_(3)N_(4)(A)的光催化效果最好,其降解速率常数是单一相g-C_(3)N_(4)(A)的1.44倍,是单一相g-C_(3)N_(4)(B)的3.71倍,是单一相Fe_(2)O_(3)的2.34倍。 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) 罗丹明B 光催化剂 污染物降解 异质结
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锑化铟半导体掺杂硫元素的能带结构、态密度以及光学性质研究
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作者 韩玉娇 沈艳红 +2 位作者 虞游 邓江 盛佳南 《成都信息工程大学学报》 2025年第1期107-110,共4页
使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,... 使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,电子从价带跃迁进入导带的几率降低;随着掺杂S浓度的增加,静态介电常数减小,吸收强度降低,能量损失峰值降低。 展开更多
关键词 锑化铟 第一性原理 掺杂 电子性质 光学性质
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基于氧化铝界面修饰层的高灵敏度宽谱有机光电探测器
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作者 李耀江 石林林 +4 位作者 孙鑫宇 尚子恒 李国辉 冀婷 崔艳霞 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1930-1939,共10页
有机光电探测器因具有材料广泛、柔性及生物兼容性等优点,在生物医学成像、环境监测和光通信等领域备受关注。然而,受限于有机材料的吸收带隙和较高的暗电流,现有有机光电探测器在宽谱响应和高灵敏度等方面仍面临挑战。本文以ZnPc∶C_(... 有机光电探测器因具有材料广泛、柔性及生物兼容性等优点,在生物医学成像、环境监测和光通信等领域备受关注。然而,受限于有机材料的吸收带隙和较高的暗电流,现有有机光电探测器在宽谱响应和高灵敏度等方面仍面临挑战。本文以ZnPc∶C_(60)为活性层,通过原子层沉积技术引入氧化铝界面修饰层,有效抑制了ITO阳极与ZnPc空穴传输层的界面化学反应,使器件的暗电流密度降低至4×10^(-7) A/cm^(2),亮-暗电流密度比提升至3 500。此外,拉曼光谱表征证实ZnPc与C_(60)之间存在分子间电荷转移效应,有效拓宽了器件的响应范围,该器件在375~1 550 nm宽谱范围内均具有稳定的光谱响应特性。进一步对器件进行优化,最终器件在365 nm波长处的外量子效率(EQE)、响应度(R)、探测率(D^(*) )分别达到72.4%、0.21 A/W、4.05×10^(11) Jones。此外,器件在580 nm和735 nm波长处表现出光电倍增行为,最优EQE、R、D^(*) 分别达到128.3%、0.75 A/W、1.44×10^(12) Jones。本研究为高灵敏度、宽光谱响应的有机光电探测器设计提供了新思路。 展开更多
关键词 光电探测器 有机小分子 界面修饰 分子间电荷转移 氧化铝
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二维层状α⁃In_(2)Se_(3)(2H)铁电材料的各向异性光响应
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作者 吕宝华 李玉珍 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1911-1918,共8页
采用机械剥离法制备了2H相α⁃In_(2)Se_(3)[α⁃In_(2)Se_(3)(2H)]纳米片。通过X射线衍射(X⁃ray diffraction,XRD)、拉曼光谱、球差电镜和压电力显微镜对纳米片的结构和铁电性能进行详细表征,确定纳米片为具有特殊结构的α⁃In_(2)Se_(3)(... 采用机械剥离法制备了2H相α⁃In_(2)Se_(3)[α⁃In_(2)Se_(3)(2H)]纳米片。通过X射线衍射(X⁃ray diffraction,XRD)、拉曼光谱、球差电镜和压电力显微镜对纳米片的结构和铁电性能进行详细表征,确定纳米片为具有特殊结构的α⁃In_(2)Se_(3)(2H)铁电材料。进一步在SiO_(2)/Si基片上成功构造了基于α⁃In_(2)Se_(3)(2H)铁电的平面四端器件,详细研究其在各个方向的光响应。结果表明,具有本征结构的α⁃In_(2)Se_(3)(2H)在相互垂直方向均没有光响应。在器件两端分别施加电压后,α⁃In_(2)Se_(3)(2H)器件在相互垂直方向均出现了明显的光响应,尤其在接近于易极化轴方向施加电压后,α⁃In_(2)Se_(3)(2H)器件出现了各向异性光响应。 展开更多
关键词 二维层状α⁃In_(2)Se_(3)(2H) 机械剥离法 铁电性 各向异性光响应
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超声法制备非金属及其化合物量子点研究进展 被引量:1
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作者 张泰玮 胡坤 +5 位作者 李国彬 杨奥 夏溢坪 李学铭 唐利斌 杨培志 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1-16,共16页
量子点(Quantum dots,QDs)晶粒直径在1~20 nm之间,是一种零维的纳米材料,具有尺寸可调、激发光谱宽、高量子效率、宽波长范围、光化学稳定性高、不易光解等优异的光学特性。当量子点的尺寸接近或小于激子波尔半径时,原有的连续能带结构... 量子点(Quantum dots,QDs)晶粒直径在1~20 nm之间,是一种零维的纳米材料,具有尺寸可调、激发光谱宽、高量子效率、宽波长范围、光化学稳定性高、不易光解等优异的光学特性。当量子点的尺寸接近或小于激子波尔半径时,原有的连续能带结构量子化,其性质也发生显著变化,表现出优异的光电性能。本综述介绍了量子点的制备方法,其中,超声法作为一种常见的“自上而下”方法,因操作简单、对环境友好等优点被广泛使用。首先,概述了利用超声法制备非金属和非金属化合物量子点的机理和表征技术,并分析了分散剂、超声功率和时间等因素对其尺寸及形貌的影响。随后,对超声法制备的非金属和非金属化合物量子点在激光器、太阳能电池等领域的应用展开了讨论,并针对目前研究存在的一些挑战和难题,提出了自己的观点和见解。最后,对超声法制备非金属单质及非金属化合物量子点进行了总结和展望。 展开更多
关键词 量子点 纳米材料 超声法 非金属单质 非金属化合物
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纳米MgO对ZnO紫外光电转换涂层中载流子复合的抑制作用
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作者 仝钰枫 曾世杰 +7 位作者 杨洪旺 温才 唐金龙 陈敏 李晓宇 徐状 魏源 任勇 《光子学报》 CSCD 北大核心 2024年第12期164-174,共11页
利用MgO的钝化作用以抑制ZnO电子传输层中缺陷对载流子的复合。将MgO纳米颗粒掺入ZnO中,制作成含有混合氧化物粉末的悬浊液,将其旋涂在P型钝化发射极背面电池的发射极表面,再通过高温热处理的方式将颗粒固化成涂层。ZnO-MgO纳米颗粒涂... 利用MgO的钝化作用以抑制ZnO电子传输层中缺陷对载流子的复合。将MgO纳米颗粒掺入ZnO中,制作成含有混合氧化物粉末的悬浊液,将其旋涂在P型钝化发射极背面电池的发射极表面,再通过高温热处理的方式将颗粒固化成涂层。ZnO-MgO纳米颗粒涂层硅基太阳能电池在光照下有更高的短路电流密度。ZnO-MgO纳米颗粒涂层使电池的整体效率从17.10%提高到了19.22%,相比于单ZnO纳米颗粒涂层,对晶硅电池衬底的光电转换效率提升比例增加了4.68%。分析表明,ZnO-MgO纳米颗粒涂层使太阳能电池有更高的载流子浓度,以及在失去光照后更平缓的光电流衰减,表明载流子复合过程受到抑制,同时ZnO-MgO纳米颗粒涂层在织构型发射极表面形成的纳米球状形貌,具有一定的陷光效应,也有助于光吸收的增强和光电转换效率的提高。 展开更多
关键词 太阳能电池 紫外光电转换 纳米颗粒 ZNO MGO 载流子复合 抑制作用
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多晶Sb_(2)Se_(3)薄膜的载流子扩散复合研究
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作者 周青山 冯博浩 +3 位作者 舒京婷 任佳欢 王宗成 党伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期73-80,共8页
研究Sb_(2)Se_(3)中的载流子复合和扩散对提高其光电性能至关重要。瞬态吸收光谱技术可以深入地描述材料载流子的复合、转移瞬态行为,这有助于理解材料的光物理特性,表征光电材料或器件的性能。测试不同激发波长和激发密度下的多晶Sb_(2... 研究Sb_(2)Se_(3)中的载流子复合和扩散对提高其光电性能至关重要。瞬态吸收光谱技术可以深入地描述材料载流子的复合、转移瞬态行为,这有助于理解材料的光物理特性,表征光电材料或器件的性能。测试不同激发波长和激发密度下的多晶Sb_(2)Se_(3)薄膜的瞬态吸收光谱。首先分析了瞬态吸收光谱的主要特征,然后提取了自由载流子复合动力学曲线,利用载流子的扩散复合方程对自由载流子的动力学曲线进行拟合。研究得到载流子双极性扩散系数D为1.80×10^(-6)m^(2)/s,载流子表面复合速率S为1400m/s,一阶载流子复合系数k1为2.50×10^(10)~4.50×10^(10)s^(-1),三阶俄歇复合系数k3为1.50×10^(-40)~8.00×10^(-40)m^(6)/s。研究结果有助于加深对Sb_(2)Se_(3)薄膜载流子复合的理解。 展开更多
关键词 Sb_(2)Se_(3) 瞬态吸收光谱 自由载流子 扩散 表面复合
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光栅光谱仪前置和后置分光构型下光调制反射谱应用的不同特征
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作者 詹嘉 查访星 顾溢 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期615-620,共6页
光调制反射光谱因其高灵敏的特性而广泛的用于研究半导体及其表面与界面特性。基于光栅光谱仪其测量光路根据分光顺序的不同可以分为前置分光构型(暗构型)与后置分光构型(亮构型)。本文以InP/In_(0.52)Ga_(0.48)As/InP异质结外延结构为... 光调制反射光谱因其高灵敏的特性而广泛的用于研究半导体及其表面与界面特性。基于光栅光谱仪其测量光路根据分光顺序的不同可以分为前置分光构型(暗构型)与后置分光构型(亮构型)。本文以InP/In_(0.52)Ga_(0.48)As/InP异质结外延结构为例,阐述了两种光路构型的不同特点和适用条件。揭示前分光构型能很好地分离荧光谱线与调制谱线;后分光构型则有利于采用较强调制激光而有效提取荧光较弱的电子结构信息。后分光构型实验中还观察到,当使用低能量激光(1064 nm)只调制激发窄带隙的InGaAs层时,却观察到宽带隙InP的谱线形的反常现象。这起源于光生载流子的界面电场调制作用,表明界面激发的后分光构型可作为一种非接触“电调制”方法而方便地应用于宽带半导体的异质外延结构的研究。 展开更多
关键词 光调制反射光谱 半导体异质结 INGAAS/INP 内建电场
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Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应
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作者 冯世尊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期14-19,共6页
采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于... 采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大. 展开更多
关键词 Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线 拓扑绝缘体 化学气相沉积 圆偏振光致电流效应
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应变补偿BGaN/AlGaN超晶格深紫外LED空穴浓度
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作者 董明慧 张燕 +1 位作者 栾加航 申世英 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期603-610,共8页
高Al组份AlGaN薄膜中的Mg受主活化能较大、空穴浓度较低,制约了AlGaN基深紫外发光二极管(Light-emitting diode,LED)的辐射复合效率。为了提高AlGaN的空穴浓度,构筑了BGa N/AlGaN超晶格对空穴浓度进行补偿。由于应变产生了极化电场、能... 高Al组份AlGaN薄膜中的Mg受主活化能较大、空穴浓度较低,制约了AlGaN基深紫外发光二极管(Light-emitting diode,LED)的辐射复合效率。为了提高AlGaN的空穴浓度,构筑了BGa N/AlGaN超晶格对空穴浓度进行补偿。由于应变产生了极化电场、能带弯曲,使B_(0.14)Ga_(0.86)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格的空穴浓度高达5.7×10^(18)cm^(-3)。与Al_(0.5)Ga_(0.5)N、Al_(0.4)Ga_(0.6)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格相比,B_(0.14)Ga_(0.86)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格的空穴有效质量小,而迁移率高,有利于空穴-电子在多量子阱区域辐射复合。由于能带弯曲和电子阻挡层能够有效阻止电子向p型区域扩散,导致B_(0.14)Ga_(0.86)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格的电子电流密度几乎为0,而空穴电流密度高达112.1 m A/cm^(2)。另外电子阻挡层还导致B_(0.14)Ga_(0.86)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格结构的内量子效率、输出功率以及自发发射光谱明显高于Al_(0.5)Ga_(0.5)N、Al_(0.4)Ga_(0.6)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N超晶格。综上所述,BGa N/AlGaN超晶格产生的应变能够对空穴浓度进行补偿,且改善AlGaN基深紫外LED的发光性能。 展开更多
关键词 BGaN/AlGaN 超晶格 应变补偿 多量子阱 空穴浓度 发光二极管
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Enhancement of mid-wavelength infrared absorbance by alkane-grafted Ti3C2Tx MXene thin-films
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作者 ZHAO Zhen-Yu KITAHARA Hideaki +1 位作者 ZHANG Chen-Hao TANI Masahiko 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期733-737,共5页
An enhancement of mid-wavelength infrared absorbance is achieved via a cost-effectively chemical method to bend the flakes by grafting two types of alkane octane(C_(8)H_(18))and dodecane(C_(12)H_(26))onto the surface ... An enhancement of mid-wavelength infrared absorbance is achieved via a cost-effectively chemical method to bend the flakes by grafting two types of alkane octane(C_(8)H_(18))and dodecane(C_(12)H_(26))onto the surface terminals respectively.The chain-length of alkane exceeds the bond-length of surface functionalities T(x=O,-OH,-F)so as to introduce intra-flake and inter-flake strains into Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene.The electronic microscopy(TEM/AFM)shows obvious edge-fold and tensile/compressive deformation of flake.The alkane termination increases the intrinsic absorbance of Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene from no more than 50%up to more than 99%in the mid-wavelength in⁃frared region from 2.5μm to 4.5μm.Such an absorption enhancement attributes to the reduce of infrared reflec⁃tance of Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene.The C-H bond skeleton vibration covers the aforementioned region and partially reduces the surface reflectance.Meanwhile,the flake deformation owing to edge-fold and tensile/compression increases the specific surface area so as to increase the absorption as well.These results have applicable value in the area of mid-infrared camouflage. 展开更多
关键词 mid-wavelength infrared MXene infrared absorption optical properties of thin-film
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白光LED的加速老化特性 被引量:41
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作者 林亮 陈志忠 +3 位作者 陈挺 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-621,共5页
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿... 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。 展开更多
关键词 GAN基白光LED 老化 电流-电压 电容-电压 光通量 寿命
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炸药爆轰合成纳米金刚石的拉曼光谱和红外光谱研究 被引量:14
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作者 文潮 金志浩 +7 位作者 刘晓新 李迅 关锦清 孙德玉 林英睿 唐仕英 周刚 林俊德 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期681-684,共4页
用负氧平衡炸药爆轰法合成纳米金刚石,并用粉末X射线衍射(XRD)仪、激光Raman光谱仪和红外光谱仪等分析仪器对其结构进行表征。XRD结果表明,纳米金刚石为立方结构,由于其内部结构的高密度缺陷、杂质原子的夹杂使谱线偏离,晶格常数比静压... 用负氧平衡炸药爆轰法合成纳米金刚石,并用粉末X射线衍射(XRD)仪、激光Raman光谱仪和红外光谱仪等分析仪器对其结构进行表征。XRD结果表明,纳米金刚石为立方结构,由于其内部结构的高密度缺陷、杂质原子的夹杂使谱线偏离,晶格常数比静压合成的大颗粒金刚石大0.72%。由于金刚石晶粒细小,Raman光谱特征峰产生宽化,并且向小波数方向偏移了3cm-1,此外在纳米金刚石中还含有极少量的石墨。红外光谱测试结果中,3422cm-1吸收峰为O—H伸缩振动峰;在1634cm-1出现了H2O的弯曲振动峰,表明在纳米金刚石样品粉末中含有水分;2930和2857cm-1是CH2的反对称和对称伸缩振动吸收峰;2971cm-1是CH3的反对称伸缩振动吸收峰,说明样品中存在极少量的碳氢化合物;1788cm-1吸收峰为CO伸缩振动吸收峰。文章从纳米金刚石的生成机理上分析了产生这些峰位的原因,结果表明纳米金刚石属于Ⅰ型金刚石,在它之中含有ⅠaA型和Ⅰb型金刚石,ⅠaA型金刚石的含量比Ⅰb型金刚石多。 展开更多
关键词 纳米金刚石 光谱研究 拉曼光谱 爆轰合成 粉末X射线衍射 RAMAN光谱 伸缩振动 炸药爆轰法 红外光谱仪 吸收峰 碳氢化合物 分析仪器 立方结构 内部结构 杂质原子 静压合成 晶格常数 光谱测试 弯曲振动 生成机理 反对称 aA型
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Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性 被引量:28
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作者 张国斌 施朝淑 +4 位作者 韩正甫 石军岩 林碧霞 Kirm M Zimmerer G 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期157-159,共3页
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。
关键词 光致发光 同步辐射 氧化锌 薄膜 半导体
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MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性 被引量:21
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作者 张德恒 张锡健 +1 位作者 王卿璞 孙征 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期111-116,共6页
MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3~7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价... MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3~7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/Mg_xZn_(1-x)O超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系。 展开更多
关键词 氧锌镁薄膜 量子阱 超晶格 光致发光 受激发射 半导体材料
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Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质 被引量:16
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作者 曲盛薇 唐鑫 +2 位作者 吕海峰 刘明 张庆瑜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期204-208,共5页
采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄... 采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向,无Cu及其氧化物相关相析出,掺杂对晶格参数的影响较小,与理论计算结果一致。Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性,其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小,带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性。Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率,具有明显的发光猝灭作用,但并不影响光致发光的发光峰位。说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关,这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的。 展开更多
关键词 ZnO:Cu薄膜 磁控溅射 密度泛函理论 结晶特性 光学性质
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纳米ZnO胶体可见发射机制的研究 被引量:10
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作者 宋国利 刘慧英 +2 位作者 孙凯霞 杨幼桐 陈保久 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期348-352,共5页
关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带... 关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带的电子到深陷阱的跃迁。 展开更多
关键词 纳米ZnO胶体 可见发射机制 激子发射 量子限域效应 发射带 氧化锌 半导体材料
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