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PSi/V_(2)O_(5)纳米复合材料对NO_(2)和NH_(3)的双识别性能研究
1
作者 强晓永 郭永良 +2 位作者 王志鹏 张健源 周卫斌 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期890-899,共10页
通过实验与理论计算相结合的方法,系统探究了PSi/V_(2)O_(5)纳米复合材料对NH_(3)和NO_(2)的气敏机制。采用电化学刻蚀和磁控溅射技术成功制备了PSi/V_(2)O_(5)纳米棒异质结构。基于密度泛函理论的第一性原理计算表明,该材料对NO_(2)和N... 通过实验与理论计算相结合的方法,系统探究了PSi/V_(2)O_(5)纳米复合材料对NH_(3)和NO_(2)的气敏机制。采用电化学刻蚀和磁控溅射技术成功制备了PSi/V_(2)O_(5)纳米棒异质结构。基于密度泛函理论的第一性原理计算表明,该材料对NO_(2)和NH_(3)表现出优异的化学吸附性能,吸附能分别为-3.6 eV和-3.32 eV,显著高于对O_(2)的物理吸附能(-0.21 eV)。在O_(2)共存条件下,NO_(2)吸附能保持稳定(-3.55 eV),而NH_(3)吸附能提升19%(-3.95 eV),展现出良好的抗干扰性。电子结构分析揭示:NO_(2)通过d-p轨道杂化形成窄带共振态,而NH_(3)通过sp-d轨道耦合产生宽化峰(1.2 eV),分别优化了电子传输路径和界面电荷转移效率。该研究可以为开发高性能气体传感器提供重要的理论指导和材料设计策略。 展开更多
关键词 PSi/V_(2)O_(5)纳米复合材料 气敏机制 第一性原理计算 轨道杂化 抗干扰性
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Ir掺杂MoSe_(2)吸附气体分子的第一性原理研究 被引量：1
2
作者 赵春磊 吴宇阳 +3 位作者 李卫 许巍 陈青云 任青颖 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期18-29,共12页
基于第一性原理,通过密度泛函理论(DFT)分析了CO、SO_(2)、H_(2)S、NH_(3)、CH_(4)和C3H6O气体分子在掺杂贵金属Ir的MoSe_(2)体系上的吸附,研究了基底材料的能带结构和电子性质,以及目标气体分子与掺杂Ir的MoSe_(2)之间的吸附能、吸附... 基于第一性原理,通过密度泛函理论(DFT)分析了CO、SO_(2)、H_(2)S、NH_(3)、CH_(4)和C3H6O气体分子在掺杂贵金属Ir的MoSe_(2)体系上的吸附,研究了基底材料的能带结构和电子性质,以及目标气体分子与掺杂Ir的MoSe_(2)之间的吸附能、吸附距离、电荷转移、态密度、功函数和恢复时间。计算结果表明Ir掺杂后材料的形成能为-5.43 eV,表明掺杂Ir原子是自发的放热反应,在Se空位的MoSe_(2)超胞中掺杂Ir原子后体系是稳定的。材料的带隙从掺杂前的1.46 eV降至掺杂后的0.77 eV,说明掺杂增大了基底材料的载流子浓度,提高了材料表面的转移电荷量。相比本征体系,掺杂体系增大了SO_(2)、H_(2)S和NH_(3)吸附能,显著缩短了吸附距离,提高了二维MoSe_(2)对气体分子的吸附能力,增加了转移电荷量,增强了气体分子与基底表面的电子相互作用,从而提高了二维MoSe_(2)对SO_(2)、H_(2)S和NH_(3)的气敏性能,为开发基于MoSe_(2)的高性能气体传感器提供了理论参考。 展开更多
关键词 第一性原理 密度泛函理论(DFT) 掺杂 MoSe_(2) 气体传感器
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Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
3
作者 肖正琼 戴昊光 +2 位作者 刘欣扬 陈平平 查访星 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期300-304,共5页
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显... 本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应。扫描隧道谱三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性。然而较大成像偏压时所计算的I/V谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离。这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的。 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 扫描隧道谱 HGCDTE 针尖诱导能带弯曲
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Ti掺杂SnS_(2)吸附气体分子的第一性原理研究
4
作者 金永波 李卫 +2 位作者 许巍 任青颖 李金泽 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期114-123,共10页
基于第一性原理构建了本征SnS_(2)和Ti原子替换Sn原子掺杂SnS_(2)的几何结构,分析了CO、NO_(2)、NO、SO_(2)、NH_(3)五种气体在两种材料表面的吸附特性。对每种气体分子测试了三种吸附位置并确定了最佳吸附位置,计算了吸附能、转移电荷... 基于第一性原理构建了本征SnS_(2)和Ti原子替换Sn原子掺杂SnS_(2)的几何结构,分析了CO、NO_(2)、NO、SO_(2)、NH_(3)五种气体在两种材料表面的吸附特性。对每种气体分子测试了三种吸附位置并确定了最佳吸附位置,计算了吸附能、转移电荷、恢复时间、态密度、功函数以了解吸附机理。研究发现,CO和SO_(2)在本征SnS_(2)上的吸附能力较弱,NO、NO_(2)和NH_(3)在本征SnS_(2)上的吸附能力较强。而Ti原子替换Sn原子掺杂SnS_(2)的结构是相对稳定的,其形成能为-8.028eV。同时这五种气体分子在其表面上的吸附能都有不同程度的增加。结果表明,Ti原子替换Sn原子掺杂SnS_(2)提高了SnS_(2)材料的气体吸附性能,同时其制备方法贴合实际,可以考虑用于制作气体传感器的材料。 展开更多
关键词 SnS_(2) TI 第一性原理 掺杂 气体传感器
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直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的光电和红外发射特性 被引量：8
5
作者 王文文 刁训刚 +1 位作者 王峥 王天民 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期236-241,共6页
以锌、铝合金 (ω(Al) =3% )为靶材 ,利用直流反应磁控溅射法制备了系列掺铝氧化锌ZnO :Al(ZAO)薄膜样品 ,通过X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、霍耳效应及红外发射率测量仪等测试仪器或方法表征了样品的结构、形貌... 以锌、铝合金 (ω(Al) =3% )为靶材 ,利用直流反应磁控溅射法制备了系列掺铝氧化锌ZnO :Al(ZAO)薄膜样品 ,通过X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、霍耳效应及红外发射率测量仪等测试仪器或方法表征了样品的结构、形貌、光学、电学及红外发射特性 .测得样品最低电阻率达到 1 .8× 1 0 -6(Ω·m) ,最大禁带宽度为 3.47eV ,可见光区平均透过率达到 90 % ,8～ 1 4μm波段平均红外发射率在 0 .2 6～ 0 .9之间 .上述特性均随衬底温度和溅射功率的变化有着规律的变化 .当方块电阻小于 45Ω时 ,薄膜在 8～ 1 4μm波段平均红外发射率与方块电阻遵循二阶函数变化规律 . 展开更多
关键词 透明导电薄膜 磁控溅射 ZNO:AL薄膜 方块电阻 禁带宽度 红外发射率
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单晶硅表面金字塔生长过程的实验研究 被引量：9
6
作者 田嘉彤 冯仕猛 +5 位作者 王坤霞 徐华天 刘峰 黄建华 杨树泉 裴俊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1505-1508,共4页
在普通碱液中添加一种特殊的添加剂,在不同时间下对单晶硅表面进行刻蚀.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,结果显示:单晶硅片放入加入添加剂2mL的刻蚀液中,经过10min刻蚀后晶体表面零星出现大小不一的金字塔,并有大面积的平滑区;刻蚀15... 在普通碱液中添加一种特殊的添加剂,在不同时间下对单晶硅表面进行刻蚀.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,结果显示:单晶硅片放入加入添加剂2mL的刻蚀液中,经过10min刻蚀后晶体表面零星出现大小不一的金字塔,并有大面积的平滑区;刻蚀15min后金字塔大小趋向一致,平滑区面积缩小;刻蚀20min硅片表面形成平均尺寸为2～4μm金字塔绒面结构,并且均匀性好、覆盖率高;刻蚀25min后,进入过腐蚀阶段,金字塔出现变大的现象.研究表明:与传统碱腐蚀相比,添加剂可以缩短单晶硅刻蚀时间,并获得较为理想的绒面结构,在工业上应用可以降低生产成本和生产时间,提高生产率. 展开更多
关键词 单晶硅 微结构 绒面
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掺N纳米ZnO的制备及光催化活性 被引量：9
7
作者 王雪静 朱芳坤 胡林峰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1300-1304,共5页
采用溶胶-凝胶法合成纳米ZnO,用碳酸铵溶液浸渍的方法对其进行N掺杂。利用X射线衍射仪,透射电子显微镜,X射线能谱仪,Fourier红外光谱仪,X射线光电子能谱仪,紫外-可见光谱仪对产物结构进行了表征,通过可见光催化降解甲基橙对N-ZnO的光催... 采用溶胶-凝胶法合成纳米ZnO,用碳酸铵溶液浸渍的方法对其进行N掺杂。利用X射线衍射仪,透射电子显微镜,X射线能谱仪,Fourier红外光谱仪,X射线光电子能谱仪,紫外-可见光谱仪对产物结构进行了表征,通过可见光催化降解甲基橙对N-ZnO的光催化活性进行了考察。结果表明:合成的ZnO颗粒大小在20～30 nm,N的掺杂没有改变ZnO的晶型,N在ZnO晶格中形成N—Zn—O键;N掺杂拓宽了ZnO的可见光吸收范围。N-ZnO作为光催化剂在可见光作用下能有效降解甲基橙,表现出较高的可见光催化活性。当(NH4)2CO3和ZnO的摩尔比为0.20时,N-ZnO的光催化性能最好。 展开更多
关键词 氧化锌 氮掺杂 甲基橙 溶胶–凝胶法 光催化活性
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GaAs表面硫钝化工艺新研究 被引量：6
8
作者 周路 王云华 +4 位作者 贾宝山 白端元 乔忠良 高欣 薄报学 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期376-378,共3页
为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH... 为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH4)2S+叔丁醇、Se+(NH4)2S+叔丁醇等几种不同含硫溶液钝化GaAs(100)表面的发光特性。通过测试PL发光谱发现,Se+(NH4)2S+叔丁醇溶液处理的GaAs(100)表面发光强度最强,是未做钝化处理的25倍左右。钝化处理后的基片在空气中放置数小时,PL谱未见明显退化。得出Se+(NH4)2S+叔丁醇不论从发光强度还是稳定性来说,都是较为理想的钝化溶液。 展开更多
关键词 砷化镓 钝化 光致发光 非辐射复合
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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质 被引量：4
9
作者 危书义 马丽 +2 位作者 杨宗献 戴宪起 张开明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1040-1043,共4页
用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电... 用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 . 展开更多
关键词 化学吸附 钴 硅 低指数单晶面 金属薄膜
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α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析 被引量：4
10
作者 黄海宾 张东华 +4 位作者 汪已琳 龚洪勇 高江 Wolfgang R.Fahrner 周浪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期101-103,共3页
氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的... 氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的有效少子寿命并依此计算出其表面复合速率以对薄膜的钝化效果进行定量表征,采用光谱型椭偏仪测试了样品的介电常数虚部ε2谱对样品微观结构进行了定性分析。结果表明,(1)在所研究范围内,氧掺入非晶硅薄膜使得薄膜结构趋向非晶化,沉积气压主要对薄膜中的空位浓度造成影响,而CO2/SiH4流量比的增加可增加薄膜中的H含量并改变了硅氢键的结构,从而影响薄膜的钝化效果;(2)在CO2/SiH4流量比为3.0/3.0mL/min,沉积气压为22Pa条件下获得了最优钝化效果,钝化后硅片有效少子寿命为975μs,表面复合速率为3.9cm/s。 展开更多
关键词 氢化非晶氧化硅 PECVD 硅片表面钝化 空位浓度 氢含量
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多种含硫溶液钝化(100)GaAs表面的实验研究 被引量：4
11
作者 刘春玲 张晶 +4 位作者 么艳平 王玉霞 王春武 王丽娟 薄报学 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期904-906,共3页
为实现GaAs表面的钝化,以Na2S、(NH4)2S、CH3CSNH2为主要研究对象,通过对比实验研究得出较为理想的湿法钝化液。通过光致发光(PL)谱研究了(NH4)2S+叔丁醇、CH3CSNH2+NH4OH、CH3CSNH2+叔丁醇三种不同含硫溶液钝化(100)GaAs表面后的发光... 为实现GaAs表面的钝化,以Na2S、(NH4)2S、CH3CSNH2为主要研究对象,通过对比实验研究得出较为理想的湿法钝化液。通过光致发光(PL)谱研究了(NH4)2S+叔丁醇、CH3CSNH2+NH4OH、CH3CSNH2+叔丁醇三种不同含硫溶液钝化(100)GaAs表面后的发光特性。PL谱测试发现,(NH4)2S+叔丁醇饱和溶液处理过的(100)GaAs表面光致发光强度最强,PL谱的相对发光强度是未做钝化处理的10倍左右。因此得出(NH4)2S+叔丁醇饱和溶液是较为理想的(100)GaAs表面钝化液。 展开更多
关键词 砷化镓 表面钝化 光致发光 非辐射复合
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有机硅改善环氧树脂性能的研究 被引量：11
12
作者 李仰平 彭宗仁 王永忠 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2003年第3期3-5,共3页
为提高综合性能 ,用少量有机硅树脂对环氧树脂进行改性 ,然后利用多功能电子能谱研究复合体系中有机硅树脂的迁移特性 ,研究有机硅与环氧树脂复合体系的介电温谱和动态力学性能。结果表明 ,在环氧树脂复合体系中 ,有机硅树脂具有表面富... 为提高综合性能 ,用少量有机硅树脂对环氧树脂进行改性 ,然后利用多功能电子能谱研究复合体系中有机硅树脂的迁移特性 ,研究有机硅与环氧树脂复合体系的介电温谱和动态力学性能。结果表明 ,在环氧树脂复合体系中 ,有机硅树脂具有表面富集趋势 ;随着硅树脂浓度的增加 ,相对介电常数减小 ,介质损耗因数在低温区无明显改变 ,而在高温区则有较明显的增大 ;贮能模量随硅树脂浓度的增加而降低 。 展开更多
关键词 有机硅树脂 环氧树脂 介电性能 动态力学性能
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温度对硅纳米薄膜杨氏模量的影响 被引量：12
13
作者 谭一云 于虹 +1 位作者 黄庆安 刘同庆 《电子器件》 CAS 2007年第3期755-758,共4页
采用分子动力学方法计算了100K、300K、400K和500K四个温度下硅纳米薄膜[110]与[110]两个方向上的杨氏模量.结果表明,[110]与[110]两个方向杨氏模量有较大差别,约为25GPa;[110]与[110]的杨氏模量随温度变化的斜率几乎一样,为-0.007Gpa/K... 采用分子动力学方法计算了100K、300K、400K和500K四个温度下硅纳米薄膜[110]与[110]两个方向上的杨氏模量.结果表明,[110]与[110]两个方向杨氏模量有较大差别,约为25GPa;[110]与[110]的杨氏模量随温度变化的斜率几乎一样,为-0.007Gpa/K.研究还表明,[110]与[110]两个方向具有几乎相等的热膨胀系数,量级在10-6/K. 展开更多
关键词 杨氏模量 硅{100}表面 (2×1)dimer重构 分子动力学
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Si(001)衬底上闪锌矿ZnO的制备与分析 被引量：4
14
作者 詹华瀚 黄斌旺 +3 位作者 吴雅苹 陈晓航 李书平 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期209-213,共5页
采用分子束外延方法在室温下于Si(001)表面上生长ZnO材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,... 采用分子束外延方法在室温下于Si(001)表面上生长ZnO材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明:ZnO混合多晶薄膜的形成,以及表面纳米台柱的演变,与Si(001)衬底、较低温的生长温度及热效应等因素相关联。 展开更多
关键词 闪锌矿结构 氧化锌 分子束外延生长 硅(001)
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砷化镓晶片表面的XPS研究 被引量：4
15
作者 任殿胜 王为 +1 位作者 李雨辰 严如岳 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第4期270-274,共5页
用X射线光电子能谱分析技术 (XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成。结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含有Ga2 O3、As2 O5、As2 O3及元素As;表面化学计量比明显富镓 。
关键词 晶片 砷化镓 XPS 表面特性 X射线电子能谱分析
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缓冲层生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜结构及电学性能的影响(英文) 被引量：3
16
作者 张铁民 缪国庆 +4 位作者 宋航 蒋红 李志明 傅军 颜丽娜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期787-791,共5页
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470... 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450℃。 展开更多
关键词 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 缓冲层 生长温度
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晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响 被引量：4
17
作者 额尔敦朝鲁 李树深 肖景林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期715-720,共6页
采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,... 采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子 展开更多
关键词 电子-声子强耦合 极化子 自陷能 温度依赖性 晶格热振动 极性半导体膜
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在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变 被引量：3
18
作者 王元樟 陈路 +4 位作者 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期861-863,共3页
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构... 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。 展开更多
关键词 CdTe/Si 倒易点二维扫描图 剪切应变 正应变 分子束外延
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热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响 被引量：2
19
作者 刘磁辉 林碧霞 +3 位作者 王晓平 朱俊杰 钟声 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期151-155,共5页
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶... 利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400 nm,而较小的尺寸仅为50 nm。此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜材料 热退火 原子力显微镜 椭偏测量 半导体材料 椭偏参数 薄膜结构
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单晶硅的表面光电性质研究 被引量：3
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作者 蒋晓红 张兴堂 +5 位作者 彭淑鸽 程轲 刘涛 马宗峰 黄亚彬 杜祖亮 《河南大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期17-20,共4页
建立了有源、无源表面光电压谱测量系统 ,并对单晶硅的表面光电转移过程开展了研究 ,为进一步研究复合纳米结构半导体材料表面界面光电荷转移过程 。
关键词 表面光电压谱 锁相放大器 光电荷转移 单晶硅 半导体材料 纳米结构 表面光电性质
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