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几种元素掺杂对硅电学性能的影响:基于第一性原理计算的研究
1
作者 陈猛 何紫睿 高尚鹏 《复旦学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第5期519-528,共10页
载流子迁移率是半导体的一项基本物理性质,以往的理论研究大多采用一些半经验模型对其进行定性或半定量的估计。本文采用近年来发展的最新的基于密度泛函理论(DFT)的从头计算方法,研究了3种ⅢA族受主(Al、Ga、In)和3种ⅤA族施主(P、As、... 载流子迁移率是半导体的一项基本物理性质,以往的理论研究大多采用一些半经验模型对其进行定性或半定量的估计。本文采用近年来发展的最新的基于密度泛函理论(DFT)的从头计算方法,研究了3种ⅢA族受主(Al、Ga、In)和3种ⅤA族施主(P、As、Sb)在硅(Si)中的电离行为以及对其电学性质的影响。在计算中,利用杂化泛函得到了准确的禁带宽度,并对带电缺陷的形成能进行了适当的修正,从而得到了定量上精确的电离能,结果显示这些元素在硅中均表现为浅能级的杂质。另外,还结合硅的电子结构计算了不同掺杂浓度及温度下的多数载流子浓度。本文完整地考虑了硅中的电子声子散射以及电离杂质散射,计算了不同掺杂浓度及温度下的载流子迁移率。基于上述结果,进一步得到了硅在不同掺杂条件下的电导率和电阻率。 展开更多
关键词 硅 密度泛函理论 掺杂 电离能 载流子迁移率
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铁电存储材料与微纳器件的研究进展
2
作者 刘中然 张子君 田鹤 《电子显微学报》 北大核心 2025年第3期379-390,共12页
铁电存储是一种新型存储技术,因低功耗、非易失、高稳定而备受关注。铁电材料具有自发极化的特性,且极化状态可调,近年来人们不断探索铁电材料的调控方式,旨在实现存储性能的提升。结合结构设计和高质量生长,电子显微学可实现铁电体纳... 铁电存储是一种新型存储技术,因低功耗、非易失、高稳定而备受关注。铁电材料具有自发极化的特性,且极化状态可调,近年来人们不断探索铁电材料的调控方式,旨在实现存储性能的提升。结合结构设计和高质量生长,电子显微学可实现铁电体纳米尺度乃至原子级表征,为解析铁电存储机理提供关键证据。基于此,铁电材料的自发极化得到了有效控制,实现了多种类型的超薄铁电体及自发极化器件;外场响应下极化调控机制的研究越发深入,超小尺寸铁电材料的极化调制潜力得到挖掘,铁电存储特性实现了进一步优化。未来研究或将面向器件存储密度、速率和功耗性能的整体提升,推动铁电材料在下一代信息存储领域的广泛应用。 展开更多
关键词 铁电存储器 透射电子显微学 铁电氧化物功能材料 铁电极化
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究 被引量：1
3
作者 何苗 周易 +7 位作者 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期15-22,共8页
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种... Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD
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基于双给体三元体异质结的高性能倍增型有机光电探测器
4
作者 李尧 王奋强 +7 位作者 王爱玲 蓝俊 刘虎 刘良朋 张鹏杰 吴回州 牛瑞霞 张栩莹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期251-261,共11页
为了拓展光谱响应范围至近红外,采用双给体单受体的三元体异质结策略,基于溶液法制备了以ITO/PEDOT∶PSS/活性层/Al为基本结构的倍增型有机光电探测器,活性层由P3HT∶PTB7-Th∶IEICO-4F(100-x∶x∶1,wt/wt/wt)组成,研究了不同质量比的PT... 为了拓展光谱响应范围至近红外,采用双给体单受体的三元体异质结策略,基于溶液法制备了以ITO/PEDOT∶PSS/活性层/Al为基本结构的倍增型有机光电探测器,活性层由P3HT∶PTB7-Th∶IEICO-4F(100-x∶x∶1,wt/wt/wt)组成,研究了不同质量比的PTB7-Th对器件光电特性的影响。优化后的三元倍增型有机光电探测器以P3HT∶PTB7-Th∶IEICO-4F(60∶40∶1,wt/wt/wt)为活性层,在-15 V偏压下,在450、520、655和850 nm处的外量子效率分别为2 666.40%、1 752.11%、1 894.26%和938.22%,响应度分别为965.80、733.35、998.68和641.91 A/W,比探测率均超过10^(13)Jones,在850 nm处的响应度与比探测率分别是相同条件下二元器件P3HT∶IEICO-4F(100∶1,wt/wt)的2.23倍和7.08倍。结果表明,在二元体系P3HT∶IEICO-4F中掺入适量的PTB7-Th,不仅能拓展光谱响应范围至近红外,还能改变活性层中激子解离界面、电子陷阱类型和空穴注入势垒高度,优化器件的电学性能。 展开更多
关键词 倍增型有机光电探测器 三元体异质结 溶液法 近红外 激子解离
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MoS_(2)-In与MoS_(2)-Au异质结界面构型对势垒影响研究
5
作者 李国军 李中军 +3 位作者 郑雅惠 汪汉浠 宋宇轩 朱闻新 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第6期818-822,828,共6页
文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各... 文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各向异性和各向同性,界面势垒对构型表现出不同的依赖性;MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结的界面势垒明显偏离Schottky-Mott定则的预测值,电子密度差分结果分析证明,界面电荷转移形成的偶极层是势垒偏离的主要原因。研究结果表明,通过界面构型调控偶极层是调控MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au范德华异质结界面势垒的一种新方法。 展开更多
关键词 肖特基势垒 MoS_(2)-In异质结 MoS_(2)-Au异质结 界面偶极 界面构型
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激光晶化多晶硅的制备与XRD谱 被引量：17
6
作者 廖燕平 黄金英 +4 位作者 郜峰利 邵喜斌 付国柱 荆海 缪国庆 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期99-102,共4页
对氢化非晶硅(a-Si:H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验,对所得样品用X射线衍射表征.针对多晶硅(111)面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息,分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响,根据谢乐公式(Scherr... 对氢化非晶硅(a-Si:H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验,对所得样品用X射线衍射表征.针对多晶硅(111)面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息,分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响,根据谢乐公式(Scherrer)估算了晶粒的大小,得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数,并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况. 展开更多
关键词 氢化非晶硅 脱氢 激光晶化 多晶硅 X射线衍射 半宽度 制备 XRD谱 薄膜材料
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含钪石榴石Nd:GSGG晶体的原料制备、晶体生长及结构研究 被引量：10
7
作者 张庆礼 邵淑芳 +7 位作者 苏静 孙敦陆 谷长江 黄明芳 李为民 王召兵 张霞 殷绍唐 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期559-564,共6页
提拉法生长的Nd:GSGG是性能优良的激光晶体,在固体强激光领域有重要的运用前景。采用液相共沉淀法制备了GSGG的前驱物,将前驱物在较低的温度下烧结,获得了GSGG多晶原料,用提拉法生长了无散射、气泡、云层、无开裂的(?)26 mm×45 mm... 提拉法生长的Nd:GSGG是性能优良的激光晶体,在固体强激光领域有重要的运用前景。采用液相共沉淀法制备了GSGG的前驱物,将前驱物在较低的温度下烧结,获得了GSGG多晶原料,用提拉法生长了无散射、气泡、云层、无开裂的(?)26 mm×45 mm的含钪石榴石Nd:GSGG晶体。用X射线衍射对GSGG的共沉淀前驱物在不同烧结温度下的相变情况进行了研究,表明在900℃烧结温度下, GSGG前驱物即可反应形成GSGG多晶,这比固相法合成GSGG料的反应温度低了200℃。同时,用X射线衍射对GSGG多晶、Nd:GSGG单晶的结构进行了研究,采用最小二乘法,以f(θ)=sinθ-sin1-Tθ(T=20)为外推函数,计算了GSGG多晶和Nd:GGG单晶的晶格参数,分别为1.257547 nm、1.256163 nm。它们之间的晶格参数差异可能是由于Ga组分的不同所引起的。 展开更多
关键词 激光技术 提拉法 共沉淀法 Nd:GSGG 晶体结构 X射线衍射
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激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究 被引量：15
8
作者 刘传珍 杨柏梁 +5 位作者 李牧菊 吴渊 张玉 李轶华 邱法斌 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2000年第1期46-52,共7页
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化... 利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。 展开更多
关键词 激光退火 能量密度 多晶硅薄膜
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广州地区薄膜光伏并网电站性能研究 被引量：9
9
作者 陈菊芳 沈辉 +3 位作者 李军勇 杨灼坚 刘勇 梁学勤 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期45-48,共4页
对3个薄膜光伏并网电站(CdTe、CIGS、a-Si,以下简称电站)进行了描述,对2008年2月～2009年1月的数据进行了分析。根据设计,电站每3min采集一次数据。对一年中3个电站的年发电量、月发电量、太阳辐照、光伏阵列的功率、电站效率、电站的... 对3个薄膜光伏并网电站(CdTe、CIGS、a-Si,以下简称电站)进行了描述,对2008年2月～2009年1月的数据进行了分析。根据设计,电站每3min采集一次数据。对一年中3个电站的年发电量、月发电量、太阳辐照、光伏阵列的功率、电站效率、电站的功率损失进行了对比分析。对2008年3月21日(阴天)和24日(晴天)逆变器的工作状况进行了分析。结果表明:在2008年中,CdTe、CIGS、a-Si 3个电站每千瓦的发电量依次为994.74、954.42、936.07kWh。CdTe电站在2008年中发电量最多。通过对3个电站每个月发电量的分析发现温度对CIGS电站的发电量影响较大,适合在气温较低的地区使用。最后指出通过优化太阳电池的质量可以优化温度系数,也可以通过新颖的设计改善电站和太阳能组件(简称组件)的散热从而提高电站的效率。 展开更多
关键词 太阳能 光伏并网电站 CIGS CDTE A-SI
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取向ZnO纳米线阵列的生长机理及发光特性 被引量：12
10
作者 丁圣 李梦轲 +2 位作者 王雪红 刘俊 金红 《辽宁师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第3期305-307,共3页
用化学气相沉积法制备了取向纳米氧化锌(ZnO)阵列;用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了制备的纳米ZnO的形貌结构;用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性;以气-液-固(VLS)生长模型和Ehrlich-Schwoebel势垒理论解释讨论了ZnO纳米线的生... 用化学气相沉积法制备了取向纳米氧化锌(ZnO)阵列;用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了制备的纳米ZnO的形貌结构;用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性;以气-液-固(VLS)生长模型和Ehrlich-Schwoebel势垒理论解释讨论了ZnO纳米线的生长结构与机理. 展开更多
关键词 ZNO纳米线 化学气相沉积 光致发光
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玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱 被引量：4
11
作者 王引书 郑东 +4 位作者 孙萍 王一红 刘惠民 桑丽华 王若桢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期139-143,共5页
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃... 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。 展开更多
关键词 纳米晶体 PL光谱 精细结构 CdSeS 玻璃 室温 光致发光谱 镉硒硫三元化合物
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不同衬底上氧化锌纳米结构的水热法制备研究 被引量：6
12
作者 郑毅 孟宪权 +1 位作者 刘文军 胡明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1486-1489,共4页
采用水热方法,以氯化锌和氨水为反应溶液,在铜和硅等不同基底上制备出不同特征的ZnO纳米棒和纳米管阵列。借助SEM和XRD等手段对其结构和形貌进行了分析研究。在常温下该样品表现出很好的光致发光性能。实验表明,在水热法中ZnO纳米材料... 采用水热方法,以氯化锌和氨水为反应溶液,在铜和硅等不同基底上制备出不同特征的ZnO纳米棒和纳米管阵列。借助SEM和XRD等手段对其结构和形貌进行了分析研究。在常温下该样品表现出很好的光致发光性能。实验表明,在水热法中ZnO纳米材料的形貌、取向、排列等特征与衬底的选择有直接的关系。通过分析ZnO纳米管的形成过程,提出了一种新的由ZnO纳米棒在低温下溶解制得ZnO纳米管的生长机理。 展开更多
关键词 水热法 氧化锌 纳米棒 纳米管 光致发光
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氧化锌纳米颗粒缺陷能级发光特性研究 被引量：4
13
作者 李成斌 徐至展 +4 位作者 贾天卿 冯东海 孙海轶 李晓溪 徐世珍 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第6期431-433,共3页
报道了在室温下用荧光光谱仪和飞秒脉冲激光激发诱导光致发光,获得氧化锌纳米颗粒(平均直径约为10nm)缺陷发光光谱的实验,验证了氧化锌纳米颗粒缺陷能级的位置。锌填隙缺陷在距离导带底0.4eV处产生浅施主能级,锌空位缺陷在价带顶0.3eV... 报道了在室温下用荧光光谱仪和飞秒脉冲激光激发诱导光致发光,获得氧化锌纳米颗粒(平均直径约为10nm)缺陷发光光谱的实验,验证了氧化锌纳米颗粒缺陷能级的位置。锌填隙缺陷在距离导带底0.4eV处产生浅施主能级,锌空位缺陷在价带顶0.3eV处产生浅受主能级,氧锌替位缺陷在价带顶1.08eV处产生深受主能级,在导带底1.56eV处有氧空位缺陷引起的深杂质能级产生,氧填隙缺陷在价带顶1.35eV处产生深受主能级。 展开更多
关键词 光致发光 飞秒激光 氧化锌纳米颗粒 缺陷
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热氧化法合成ZnO纳米带及其光电特性研究 被引量：3
14
作者 任山 叶志超 +3 位作者 胡卓锋 白云帆 杜文哲 秦锡洲 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期47-50,共4页
应用低于锌熔点的低温金属固态热氧化的方法，并结合金催化作用，成功地在金属锌基底上自发生长出了氧化锌纳米带阵列。应用X射线衍射，扫描电子显微镜，高分辩电子透射显微镜等技术对产物进行了观察研究。研究结果表明，金对纳米带形... 应用低于锌熔点的低温金属固态热氧化的方法，并结合金催化作用，成功地在金属锌基底上自发生长出了氧化锌纳米带阵列。应用X射线衍射，扫描电子显微镜，高分辩电子透射显微镜等技术对产物进行了观察研究。研究结果表明，金对纳米带形成具有明显的促进作用。合成的氧化锌纳米带的长度范围为6—14μm，厚度约为40nm，宽度范围为100～150nm，其顶部没有发现明显的金颗粒。XRD结果表明纳米带晶体结构为六方结构的ZnO，合成的纳米带的相结构很接近于无催化剂合成的ZnO纳米线。高分辨透射电镜观察显示部分纳米带结晶良好。通过对生长的氧化锌纳米带进行的光致发光（PL）测试，表明在PL光谱中可以看到紫外区，绿光波段有两个主要的峰。 展开更多
关键词 ZNO 纳米带 低温热氧化法 光致发光特性
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缓冲层InxGa_(1-x)As组分对In_(0.82)Ga_(0.18)As结晶质量和表面形貌的影响 被引量：3
15
作者 张铁民 缪国庆 +4 位作者 金亿鑫 谢建春 蒋红 李志明 宋航 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期797-800,共4页
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微... 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌。实验结果表明,低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌。测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.468°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好。SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳。 展开更多
关键词 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 扫描电子显微镜
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磷化铟纳米晶的制备及光学性质研究 被引量：3
16
作者 王红理 王东 +1 位作者 陈光德 刘晖 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第2期187-190,共4页
阐述了目前国内外的磷化铟纳米晶研究状况。用有机溶剂回流退火法制备出了磷化铟纳米晶,并通过XRD谱计算出平均粒径为55 nm。喇曼光谱表明:由于纳米颗粒的量子尺寸效应,2个散射峰都向低能量方向发生了较大的移动。UV-VIS表明样品的吸收... 阐述了目前国内外的磷化铟纳米晶研究状况。用有机溶剂回流退火法制备出了磷化铟纳米晶,并通过XRD谱计算出平均粒径为55 nm。喇曼光谱表明:由于纳米颗粒的量子尺寸效应,2个散射峰都向低能量方向发生了较大的移动。UV-VIS表明样品的吸收边相对于体块InP(970 nm)发生了显著的蓝移,说明带隙变宽,表现出明显的量子尺寸效应。PLE谱在380 nm时,PL谱峰在573 nm时,相对于体块InP的红外区的荧光光谱发光峰发生了显著的蓝移,说明磷化铟纳米晶在光电子器件领域和非线性光学领域有非常好的应用前景。 展开更多
关键词 磷化铟纳米晶 喇曼光谱 荧光光谱 吸收光谱 发光光谱 非线性光学性质
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半导体超晶格属性的高分辨率X射线衍射研究 被引量：3
17
作者 张党卫 张景文 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1007-1011,共5页
详细阐述了低维半导体材料的X射线衍射的动力学理论和运动学理论 从高木 陶平 (T T)方程出发 ,基于波动光学原理 ,推导出任意结构的多层膜的X射线衍射振幅的递推关系式 并编写X射线衍射的程序 ,分别用动力学和运动学衍射理论模型模拟... 详细阐述了低维半导体材料的X射线衍射的动力学理论和运动学理论 从高木 陶平 (T T)方程出发 ,基于波动光学原理 ,推导出任意结构的多层膜的X射线衍射振幅的递推关系式 并编写X射线衍射的程序 ,分别用动力学和运动学衍射理论模型模拟了 2 0层GaAlAs/GaAs超晶格的X射线衍射结果 。 展开更多
关键词 X射线衍射 低维半导体 超晶格 动力学理论 运动学理论 计算机模拟
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LD泵浦激光晶体Nd:GGG原料制备及结构分析 被引量：2
18
作者 邵淑芳 张庆礼 +4 位作者 孙敦陆 苏静 王召兵 张霞 殷绍唐 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期565-569,共5页
采用共沉淀方法,以金属Ga和Gd2O3为起始原料,以氨水为沉淀剂,制备了GGG多晶。测量了共沉淀方法制备的GGG多晶、固相反应法制备的Nd:GGG多晶以及提拉法生长的GGG、Nd:GGG晶体的X射线衍射谱(XRD),利用图解外推法计算了晶格参数。共沉淀方... 采用共沉淀方法,以金属Ga和Gd2O3为起始原料,以氨水为沉淀剂,制备了GGG多晶。测量了共沉淀方法制备的GGG多晶、固相反应法制备的Nd:GGG多晶以及提拉法生长的GGG、Nd:GGG晶体的X射线衍射谱(XRD),利用图解外推法计算了晶格参数。共沉淀方法制备的GGG多晶原料较固相法制备的Nd:GGG晶格参数小,可能是固相制备过程中Ga组分挥发导致Gd3+取代了Ga3+位以及Nd3+占据了部分的Gd3+位,从而使晶格参数变大。同时就提拉法生长的Nd:GGG晶体和GGG晶体的晶格参数进行比较发现, Nd:GGG晶体的晶格参数较纯GGG晶体的晶格参数大,说明在Nd:GGG晶体中Nd3+占据了部分的Gd3+位。另外,晶体的晶格参数较多晶粉末的晶格参数大,分析认为这可能也是由于Ga组分的挥发导致Gd3+占据了Ga3+位所引起。这些实验结果说明Ga组分挥发在原料制备过程和晶体生长过程中都可能存在,因此应在制备原料和晶体生长等各个环节中考虑Ga组分的挥发。采用液相共沉淀方法制备有利于抑止Ga组分的挥发。 展开更多
关键词 材料 ND:GGG 晶格参数 共沉淀法 晶体生长
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纳米磷化铟的制备及其表征 被引量：2
19
作者 王红理 王东 +2 位作者 刘晖 张卫华 陈光德 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期235-238,共4页
报道了以Na、P和InCl3.4H2O为原料,以二甲苯为溶剂,用改进的常压有机溶剂回流退火法合成纳米磷化铟晶粒的方法,并与已有的其他方法进行了比较.在二甲苯溶液中合成了纳米InP,并用X射线衍射、透射电子显微镜、激光拉曼光谱和吸收光谱对合... 报道了以Na、P和InCl3.4H2O为原料,以二甲苯为溶剂,用改进的常压有机溶剂回流退火法合成纳米磷化铟晶粒的方法,并与已有的其他方法进行了比较.在二甲苯溶液中合成了纳米InP,并用X射线衍射、透射电子显微镜、激光拉曼光谱和吸收光谱对合成产物的结构和性能进行了表征和分析.研究结果表明,合成的晶粒具有立方闪锌矿结构,平均粒径为55 nm,最小粒径为3 nm,晶格常数为5.869×10-10m,具有明显的量子尺寸效应,而且晶粒的完整性好,产率高. 展开更多
关键词 InP纳米晶 透射电子显微镜 拉曼光谱 吸收光谱
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磁场对KNbO_3熔体中温度分布影响的实验研究 被引量：2
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作者 梁歆桉 金蔚青 +1 位作者 潘志雷 刘照华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期159-162,共4页
研究了磁场对ＫＮｂＯ３熔体中的温度分布的影响．利用加磁场的休仑微分干涉显微实时观察装置及一种近似的间接测温方法，对在不同磁场强度０、７０、１１７、１３５ｍＴ下，ＫＮｂＯ３熔体中的径向温度分布进行测量．发现随着磁场强度... 研究了磁场对ＫＮｂＯ３熔体中的温度分布的影响．利用加磁场的休仑微分干涉显微实时观察装置及一种近似的间接测温方法，对在不同磁场强度０、７０、１１７、１３５ｍＴ下，ＫＮｂＯ３熔体中的径向温度分布进行测量．发现随着磁场强度的增大，熔体中的径向温度梯度减小，尤其在坩埚－熔体界面附近，浮力驱动对流占主要作用的区域，温度梯度的减小更加明显．这可能是由于磁场对熔体中浮力驱动对流抑制的结果． 展开更多
关键词 磁场 KNBO3 温度分布 熔体 半导体晶体
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