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ZnS∶Cu水溶胶的光致发光研究 被引量：7
1
作者 刘昌辉 孙聆东 +1 位作者 廖春生 严纯华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期243-246,共4页
研究了硫脲和硫代硫酸钠体系中ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒的光致发光性能随Ｃｕ＋ 离子掺杂浓度及生长时间的变化． 在３２５ｎｍ 的紫外光激发下， ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒产生位于５００～５４０ｎｍ 的宽带发射， Ｃｕ＋ 掺杂浓度为０．６... 研究了硫脲和硫代硫酸钠体系中ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒的光致发光性能随Ｃｕ＋ 离子掺杂浓度及生长时间的变化． 在３２５ｎｍ 的紫外光激发下， ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒产生位于５００～５４０ｎｍ 的宽带发射， Ｃｕ＋ 掺杂浓度为０．６％ 时发射达到最强． 该发射峰随掺杂浓度的提高和微粒生长时间的延长而红移； 当Ｃｕ＋ 掺杂浓度为０．２％ 时， ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒还产生一个位于４５０ｎｍ 的蓝色发射带， 该发射在掺杂浓度更高时被猝灭． 硫脲和硫代硫酸钠体系中ＺｎＳ∶Ｃｕ 的发光性质较为相似， 但后者的发射强度明显高于前者． 展开更多
关键词 水溶胶 硫脲 光致发光 硫化锌
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镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究 被引量：1
2
作者 徐骏 陈坤基 +4 位作者 黄信凡 贺振宏 韩和相 汪兆平 李国华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期262-264,共3页
报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒；... 报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布． 展开更多
关键词 纳米锗 多层膜 光致发光 镶嵌型
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