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高性能多功能超高真空金属二次电子发射特性测试平台 被引量:20
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作者 张娜 曹猛 +1 位作者 崔万照 张海波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期554-558,共5页
介绍了一套高性能多功能的超高真空金属二次电子发射特性测试平台。该平台包含了超高真空系统、测试系统、原位表面处理系统和控制与数据处理系统四个部分,实现了在10-8Pa的超高真空下准确测试金属材料的二次电子发射特性。该平台采用... 介绍了一套高性能多功能的超高真空金属二次电子发射特性测试平台。该平台包含了超高真空系统、测试系统、原位表面处理系统和控制与数据处理系统四个部分,实现了在10-8Pa的超高真空下准确测试金属材料的二次电子发射特性。该平台采用了偏压电流法和收集极法两种测试二次电子产额的方法,配置了全自动控制的双通道筒镜型电子能谱仪测试二次电子能谱,集成了氩离子清洗和热处理部件研究表面状况对二次电子发射特性的影响。在测试原理及功能介绍的基础上,展示了二次电子发射特性的典型测试结果。 展开更多
关键词 物理电子学 二次电子发射 测试平台 超高真空系统
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微通道板噪声因子与工作电压关系研究 被引量:10
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作者 李晓峰 李金沙 +3 位作者 常乐 李娇娇 曾进能 吴永祥 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期10-16,共7页
为了解决微通道板噪声因子的测量问题,提出了一种测量像增强器光电阴极灵敏度和信噪比,从而测量出微通道板噪声因子的方法 .根据该方法,分别在不同阴极电压、微通道板电压以及阳极电压条件下测量了微通道板的噪声因子.测量结果表明,当... 为了解决微通道板噪声因子的测量问题,提出了一种测量像增强器光电阴极灵敏度和信噪比,从而测量出微通道板噪声因子的方法 .根据该方法,分别在不同阴极电压、微通道板电压以及阳极电压条件下测量了微通道板的噪声因子.测量结果表明,当阴极电压、微通道板电压以及阳极电压分别变化时,微通道板的噪声因子会随之变化.微通道板电压对噪声因子的影响最大,阳极电压的影响最小.微通道板电压每增加100 V,噪声因子大约增加0.11,而阳极电压每增加100 V,噪声因子大约增加3.3×10^-4.微通道板工作电压提高,意味着电子碰撞能量提高,同时也意味着二次电子发射系数提高,而根据现有微通道板噪声理论,微通道板的噪声因子会减小,但实测结果却相反.造成这一矛盾的原因是在现有微通道板噪声理论中,仅仅考虑了二次电子发射系数、探测率、电子碰撞几率的因数,而未考虑到电子碰撞能量的因数,因此噪声理论需要进行修正. 展开更多
关键词 像增强器 光电阴极 微通道板 信噪比 噪声因子
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Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展 被引量:11
3
作者 游检卫 张剑锋 +1 位作者 李韵 王洪广 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期3035-3039,共5页
当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模... 当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上,成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外,为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中,还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。 展开更多
关键词 二次电子发射模型 Vaughan模型 电磁粒子仿真 出射能量 出射角度
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复合阴极材料La_(1-x)Sr_xCuO_(3-δ)-SDC的制备及电学性能 被引量:11
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作者 郑敏章 刘晓梅 +3 位作者 朱成军 徐丹 孙敬姝 苏文辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2030-2033,共4页
合成具有单相正交钙钛矿结构的La1-xSrxCuO3-δ(x=0.15,0.2,0.3,0.4)系列样品,碘量滴定法实验结果表明,随着Sr掺入量的增加,Cu3+离子的含量逐渐增加.电学性能研究结果表明,La0.7Sr0.3CuO3-δ电导率最高,与La0.6Sr0.4CoO3-δ相比,La0.7Sr... 合成具有单相正交钙钛矿结构的La1-xSrxCuO3-δ(x=0.15,0.2,0.3,0.4)系列样品,碘量滴定法实验结果表明,随着Sr掺入量的增加,Cu3+离子的含量逐渐增加.电学性能研究结果表明,La0.7Sr0.3CuO3-δ电导率最高,与La0.6Sr0.4CoO3-δ相比,La0.7Sr0.3CuO3-δ具有更好的电化学性能,可作为一种新的中温固体氧化物燃料电池(IT-SOFC)阴极材料.将La0.7Sr0.3CuO3-δ与不同质量比的中温电解质Ce0.85Sm0.15O2-δ(SDC)固相混合,制备复合阴极材料,电化学性能测试结果表明,掺入适量的SDC有利于降低La0.7Sr0.3CuO3-δ电极的极化,获得性能更优越的IT-SOFC阴极材料,提高在中温区单电池的输出功率. 展开更多
关键词 TI—SOFC 复合阴极 La1-xSrxCuO3-δ SDC
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中温复合固体电解质SDC-LSGM的制备和性能 被引量:7
5
作者 徐丹 刘晓梅 +4 位作者 王德军 朱成军 严端廷 裴力 苏文辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1523-1527,共5页
采用甘氨酸-硝酸盐法分别制备了Ce0.85Sm0.15O2-δ(SDC)与La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM)两种电解质材料,并用固相混合法将两种材料按不同质量比(SDC与LSGM的质量比分别为9:1,8:2,5:5)混合制备复合电解质材料.采用交流... 采用甘氨酸-硝酸盐法分别制备了Ce0.85Sm0.15O2-δ(SDC)与La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM)两种电解质材料,并用固相混合法将两种材料按不同质量比(SDC与LSGM的质量比分别为9:1,8:2,5:5)混合制备复合电解质材料.采用交流阻抗技术对样品的电学性能进行研究.实验结果表明,SDC与LSGM的质量比为9:1(SL91)时,样品具有较高的电导率,在350~800℃温度范围内其电导率均比SDC的高.以复合电解质为支撑体,以Sm0.5Sr0.5CoO3为阴极、NiO/SDC为阳极制成单电池,测试结果显示,在800℃时以SL91为电解质的单电池的最大输出功率密度为0.25W/cm^2,最大电流密度为1.06A/cm^2.在电池的工作温度区间(600~800℃)内以复合材料为电解质的单电池的开路电压比以SDC为电解质的高. 展开更多
关键词 中温固体氧化物燃料电池 CEN 85Sm0.15O2~δ La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3—δ 复合电解质
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伴有二次电子发射的磁化等离子体鞘层结构特性 被引量:13
6
作者 赵晓云 刘金远 +1 位作者 段萍 李世刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期279-284,共6页
建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性。模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体... 建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性。模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体鞘层,鞘层中离子密度分布主要由磁场来决定。磁场的存在可以促进器壁电子的发射,磁场的增加或二次电子发射系数的增加都将使得鞘层厚度的减小,同时将导致沉积到器壁的离子动能流发生变化,从而直接影响器壁材料的性能。 展开更多
关键词 等离子体 鞘层 二次电子发射 磁场
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电子入射角度对聚酰亚胺二次电子发射系数的影响 被引量:10
7
作者 翁明 胡天存 +1 位作者 曹猛 徐伟军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第15期448-454,共7页
采用具有负偏压收集极的二次电子发射系数测试系统,对聚酰亚胺样品的二次电子发射系数与入射电子角度和入射电子能量的关系进行了测量.测量结果表明,在电子小角度入射样品的情况下,随着入射角度的增加,二次电子发射系数单调增加,并符合... 采用具有负偏压收集极的二次电子发射系数测试系统,对聚酰亚胺样品的二次电子发射系数与入射电子角度和入射电子能量的关系进行了测量.测量结果表明,在电子小角度入射样品的情况下,随着入射角度的增加,二次电子发射系数单调增加,并符合传统的规律,但是在电子大角度入射时,却与此不符合.测量显示,出现偏差时对应的临界电子入射角度随着入射电子能量的降低而减小.采用简化的电子弹性散射过程和卢瑟福弹性散射截面公式对这种偏差的出现进行了分析,并推导出修正后的二次电子发射系数的计算公式.修正后的二次电子发射系数的计算结果更加符合实验结果. 展开更多
关键词 二次电子发射系数 入射角 聚酰亚胺 电子散射
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介质面刻槽抑制二次电子倍增蒙特卡罗模拟 被引量:7
8
作者 董烨 董志伟 +2 位作者 杨温渊 周前红 周海京 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期399-406,共8页
利用蒙特卡罗方法,针对介质表面刻槽抑制二次电子倍增的实验现象,进行了数值模拟研究。给出了二次电子倍增动力学方程、刻槽边界条件、二次电子初始能量与角度分布以及发射率分布关系;讨论了槽深、槽宽对二次电子倍增的抑制效果,以及同... 利用蒙特卡罗方法,针对介质表面刻槽抑制二次电子倍增的实验现象,进行了数值模拟研究。给出了二次电子倍增动力学方程、刻槽边界条件、二次电子初始能量与角度分布以及发射率分布关系;讨论了槽深、槽宽对二次电子倍增的抑制效果,以及同一刻槽结构对不同微波场强度和频率的二次电子倍增抑制能力;分析了双边二次电子倍增区域。数值研究结果表明:增加槽深、缩短槽宽可以抑制二次电子倍增;同一刻槽结构,更易于抑制高频场、场强较低或较高下的二次电子倍增;刻槽尺寸的选择还应避开双边二次电子倍增区间。将数值模拟结果与相关实验现象进行了对比,吻合得较好。 展开更多
关键词 高功率微波 介质表面二次电子倍增 表面刻槽 蒙特卡罗模拟
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多级降压收集极CAD中的二次电子发射模型 被引量:9
9
作者 黄桃 杨中海 +3 位作者 金勇兵 金晓林 胡权 秦钰昆 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第5期1247-1250,共4页
多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率。多级降压收集极中的二次电子发射对其效率有重要影响。该文探讨了真二次电子、弹性反射电子、非弹性反射电子3种二次电子发射模型,对发射率、发射角度以及能量分布情况进行了深入分析... 多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率。多级降压收集极中的二次电子发射对其效率有重要影响。该文探讨了真二次电子、弹性反射电子、非弹性反射电子3种二次电子发射模型,对发射率、发射角度以及能量分布情况进行了深入分析,并对考虑二次电子后的收集极模拟计算收敛条件进行了讨论。上述结果在多级降压收集极CAD软件中得到应用,定量分析了其对多级降压收集极效率的影响。 展开更多
关键词 微波器件 多级降压收集极 二次电子:发射模型
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金属二次电子发射系数表达式 被引量:9
10
作者 谢爱根 张健 +1 位作者 刘斌 王铁邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期481-485,共5页
根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10keV比... 根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2~10keV的二次电子发射系数通式。 展开更多
关键词 通式 二次电子发射系数 最大二次电子发射系数 金属
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金属规则表面形貌影响二次电子产额的解析模型 被引量:6
11
作者 张娜 曹猛 +3 位作者 崔万照 胡天存 王瑞 李韵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第20期392-400,共9页
表面形貌是影响二次电子发射特性的重要因素,但目前仍缺乏刻画这一影响规律的解析模型.本文通过分析发现表面结构的遮挡作用是影响二次电子发射特性的主要因素.基于二次电子以余弦角分布出射的规律,提出了建立表面形貌参数与二次电子产... 表面形貌是影响二次电子发射特性的重要因素,但目前仍缺乏刻画这一影响规律的解析模型.本文通过分析发现表面结构的遮挡作用是影响二次电子发射特性的主要因素.基于二次电子以余弦角分布出射的规律,提出了建立表面形貌参数与二次电子产额之间定量关系的方法,并以矩形槽和三角槽为例,建立了电子正入射和斜入射时的一代二次电子产额的解析模型.将推导的解析模型与Monte Carlo模拟结果和实验结果进行了比较,结果表明本文建立的模型能够正确反映规则表面形貌的二次电子产额.本文的模型对于反映常用规则结构影响二次电子出射的规律以及指导通过表面结构调控二次电子发射特性都具有参考价值. 展开更多
关键词 二次电子发射 二次电子产额 解析模型 规则表面
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10~30keV二次电子发射系数的表达式 被引量:6
12
作者 谢爱根 王祖松 +2 位作者 刘战辉 詹煜 吴红艳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期542-546,共5页
根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(δPE)的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数(δ)之间的关系,推导出以δm、原子序数... 根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(δPE)的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数(δ)之间的关系,推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次(n)和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较,结果表明,成功地推导出金属、半金属和元素半导体10~30kev的艿通式。 展开更多
关键词 通式 二次电子发射系数 金属 半金属 元素半导体
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两种外磁场形式对介质面次级电子倍增的抑制 被引量:4
13
作者 董烨 董志伟 +2 位作者 周前红 杨温渊 周海京 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2653-2658,共6页
利用自编1D3VPIC程序,数值研究了不同外加磁场方式对次级电子倍增抑制的物理过程,给出了次级电子数目、平均能量、密度、运动轨迹、渡越时间、介质表面静电场及沉积功率等物理量时空分布关系。模拟结果表明:不同方向外加磁场抑制次级电... 利用自编1D3VPIC程序,数值研究了不同外加磁场方式对次级电子倍增抑制的物理过程,给出了次级电子数目、平均能量、密度、运动轨迹、渡越时间、介质表面静电场及沉积功率等物理量时空分布关系。模拟结果表明:不同方向外加磁场抑制次级电子倍增的机理有所不同。轴向外加磁场利用电子回旋运动干扰微波电场对电子加速过程,使其碰壁能量降低以达到抑制二次电子倍增的效果;横向外加磁场利用电子回旋漂移过程中,电子半个周期被推离介质表面(不发生次级电子倍增),半个周期被推回介质表面(降低电子碰撞能量)的作用机理,达到抑制二次电子倍增的效果。讨论了横向磁场在回旋共振下,电子回旋同步加速导致回旋半径增大,电子能量持续增加的特殊过程。两种外加磁场方式都可以通过增加磁场达到进一步抑制次级电子倍增的目的。轴向外加磁场加载容易,但对磁场要求较高;横向外加磁场需要磁场较低,但加载较为困难。 展开更多
关键词 高功率微波 介质表面 次级电子倍增 粒子模拟 外加磁场 抑制
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小型磁选态铯原子钟产品化进展 被引量:9
14
作者 陈江 马沛 +13 位作者 王骥 郭磊 马寅光 崔敬忠 杨炜 涂建辉 刘志栋 成大鹏 朱宏伟 郑宁 黄良育 杨军 高玮 董鹏玲 《宇航计测技术》 CSCD 2020年第3期12-16,45,共6页
本文介绍了磁选态铯原子钟产品化进展情况,包括人们广泛关注的产品的性能指标测试、可靠性保证及寿命评估等,提出了铯束管采用单束束光学和电路采用了数字化技术是实现性能指标的基本保证;给出了产品化初期出现的一些故障现象及解决措施... 本文介绍了磁选态铯原子钟产品化进展情况,包括人们广泛关注的产品的性能指标测试、可靠性保证及寿命评估等,提出了铯束管采用单束束光学和电路采用了数字化技术是实现性能指标的基本保证;给出了产品化初期出现的一些故障现象及解决措施,以及为进一步提高可靠性开展的环境适应性试验;并讨论了电子倍增器寿命评估方法,提出寿命评估公式,对铯钟的寿命给出了评估结果。最后提出了产品化过程中还需要进一步探索的问题,不仅对磁选态铯原子钟的产品化有帮助,而且对光抽运铯钟甚至其他种类原子钟的产品化亦有参考价值。 展开更多
关键词 磁选态铯原子钟 产品化 电子倍增器 准确度 稳定度
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激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制 被引量:6
15
作者 王丹 叶鸣 +2 位作者 冯鹏 贺永宁 崔万照 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期215-223,共9页
使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的三维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规... 使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的三维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规律.实验结果表明:激光刻蚀得到的微阵列结构能够有效抑制镀金表面二次电子产额(secondary electron yield,SEY),且抑制能力明显优于诸多其他表面处理技术;微阵列结构对SEY的抑制能力与其孔隙率及深宽比呈现正相关,且孔隙率对SEY的影响更为显著.使用蒙特卡罗模拟方法并结合二次电子发射唯象模型和电子轨迹追踪算法,仿真了各微结构表面二次电子发射特性,模拟结果从理论上验证了微阵列结构孔隙率及深宽比对表面SEY的影响规律.本文获得了能够剧烈降低镀金表面SEY的微阵列结构,理论分析了SEY对微结构特征参数的依赖规律,对开发空间微波系统中低SEY表面及提高镀金微波器件性能有重要意义. 展开更多
关键词 激光刻蚀 微结构 二次电子发射 二级粗糙结构
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金属双边二次电子倍增的理论分析与数值模拟 被引量:9
16
作者 董烨 董志伟 杨温渊 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期454-462,共9页
针对金属双边二次电子倍增现象,分析给出了电子共振方程、共振相位、相位聚焦条件以及碰撞电势;并根据二次电子发射的材料特性,研究了金属双边二次电子倍增的敏感区间。利用蒙特卡罗方法抽样选取电子初始发射能量和角度,数值研究了二次... 针对金属双边二次电子倍增现象,分析给出了电子共振方程、共振相位、相位聚焦条件以及碰撞电势;并根据二次电子发射的材料特性,研究了金属双边二次电子倍增的敏感区间。利用蒙特卡罗方法抽样选取电子初始发射能量和角度,数值研究了二次电子倍增的敏感区间,并与理论结果进行了比对,给出了二次电子数目随时间的增长关系。利用材料二次发射特性的经验公式,辅以电子碰撞角和碰撞能量计算以及对二次电子初始能量和发射角度的蒙特卡罗随机抽样算法,编制了3维全电磁粒子模拟程序NEPTUNE的金属边界二次电子发射功能模块,模拟金属双平板二次电子倍增过程,获得了二次电子倍增物理图像、二次电子数目随时间演化规律等结果。模拟结果不仅验证了理论分析,还表明在合适的条件下,空间电荷限制作用将导致二次电子倍增的饱和。 展开更多
关键词 高功率微波 金属双边二次电子倍增 蒙特卡罗方法 3维全电磁粒子模拟程序
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高功率盒形窗内次级电子倍增效应 被引量:4
17
作者 张雪 徐强 +3 位作者 王勇 楚君 王梦蛟 段斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期76-81,共6页
以S波段高功率盒型窗为对象,采用Monte Carlo模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究,探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内TE11模和TM11模共同作用下,两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在... 以S波段高功率盒型窗为对象,采用Monte Carlo模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究,探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内TE11模和TM11模共同作用下,两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在低传输功率下,次级电子仅在未镀膜窗片表面被激励,并以双面倍增的方式在金属法兰与镀膜窗片相对应的区域增长;在较高的传输功率下,窗片表面的次级电子将以单面倍增的方式活跃在窗片表面与波导口相对的区域。传输功率的升高使得镀膜窗片表面的次级电子倍增活跃区域转移到矩形波导窄边对应的区域,并加剧了未镀膜窗片表面的局部倍增效应。 展开更多
关键词 速调管 盒形窗 次级电子倍增效应 蒙特卡罗模拟
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磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射 被引量:4
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作者 何鋆 俞斌 +5 位作者 王琪 白春江 杨晶 胡天存 谢贵柏 崔万照 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期206-212,共7页
降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学... 降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在40-1500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在0-50 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值. 展开更多
关键词 二次电子产额 二次电子倍增效应 金属薄膜
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绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制 被引量:5
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作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-138,共5页
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的... 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35mm,偏置电压设置为45V。测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于2~26范围内,其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。 展开更多
关键词 测量装置 绝缘体 二次电子发射系数 氧化镁
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铝阳极氧化的多孔结构抑制二次电子发射的研究 被引量:4
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作者 白春江 封国宝 +7 位作者 崔万照 贺永宁 张雯 胡少光 叶鸣 胡天存 黄光荪 王琪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期217-224,共8页
针对空间大功率微波部件中的二次电子倍增效应影响微波部件性能的问题,基于铝阳极氧化产生大深宽比、高孔隙率均匀纳米级多孔结构的特性,结合蒸发镀银技术,提出一种有效降低表面二次电子发射系数的方法.结果表明,相比于未阳极氧化的铝样... 针对空间大功率微波部件中的二次电子倍增效应影响微波部件性能的问题,基于铝阳极氧化产生大深宽比、高孔隙率均匀纳米级多孔结构的特性,结合蒸发镀银技术,提出一种有效降低表面二次电子发射系数的方法.结果表明,相比于未阳极氧化的铝样片,在不清洗样片的情况下(实际的样片表面都会存在吸附或沾污),测试得到二次电子发射系数曲线的第一能量交叉点E1从45 eV增加到77 eV,最大二次电子发射系数SEY_(max)从2.68减小到1.52;在清洗样片的情况下(清洗是为了去除吸附或沾污,获得理想的表面),测试得到第一能量交叉点E_1从40 eV增加到211 eV,最大二次电子发射系数SEY_(max)从2.55减小到1.36.为了验证本文所提方法对抑制空间大功率微波部件二次电子倍增效应的有效性,分别将获得的未阳极氧化和阳极氧化后的二次电子发射系数数据用于一个X频段阻抗变换器设计中,结果显示,使用本文所提方法后,阻抗变换器的微放电阈值从7000 W提高到125000 W.本文研究的方法不仅对解决空间大功率微波部件的微放电问题有指导意义,而且对真空电子器件、加速器等领域的研究也具有重要参考价值. 展开更多
关键词 阳极氧化 多孔结构 二次电子发射 微放电阈值
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