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氧分压对氧化镁薄膜结构的影响 被引量：3
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作者 喻志农 胡文波 +1 位作者 郑德修 孙鉴 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期437-441,共5页
在氧气环境中电子束蒸发氧化镁制备出高结晶度的氧化镁薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、分光光度计及轮廓仪等测试手段分析了薄膜的性能。结果发现 :通氧气制备的MgO薄膜的结晶度比不通氧气时要高得多。基底温度、通氧气量和退火处理对... 在氧气环境中电子束蒸发氧化镁制备出高结晶度的氧化镁薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、分光光度计及轮廓仪等测试手段分析了薄膜的性能。结果发现 :通氧气制备的MgO薄膜的结晶度比不通氧气时要高得多。基底温度、通氧气量和退火处理对结晶度的影响较大。选择适当的基底温度和通氧气量 ,可获得高结晶度的MgO薄膜 ;通氧气制备的MgO膜呈柱状结构 ,随着基底温度升高 ,薄膜的晶粒尺寸增大 ,晶界减少 ,最大晶粒尺寸达 12 0nm以上。薄膜的平均透射比在 0 9以上 ,折射率在 1 5 5～ 1 70之间。增加通氧气量或降低基底温度 ,折射率减小。 展开更多
关键词 氧化镁薄膜 氧分压 制备 结构 等离子体显示器
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