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Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量：6
1
作者 董成军 陈青云 +3 位作者 徐明 周海平 段满益 胡志刚 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期781-785,共5页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关. 展开更多
关键词 Si掺杂InN 第一性原理 电子结构 光学性质
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Tm^(3+)/Yb^(3+)共掺杂ZBLAN玻璃的多光子紫外上转换发光 被引量：3
2
作者 何春凤 赵丹 +4 位作者 秦冠仕 揣晓红 王丽丽 郑克志 秦伟平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期61-63,共3页
利用光谱分析手段研究了熔融淬火法制备的Tm和Yb共掺杂的重金属氟化物玻璃ZrF4-BaF2-LaF3-A1F3-NaF的上转换发光性质.在980 nm连续激光的激发下,观察到了较强的363 nm(1D2→3H6),347nm(1I6→3F4)和291 nm(1I6→3H6)的紫外上转换发光,以... 利用光谱分析手段研究了熔融淬火法制备的Tm和Yb共掺杂的重金属氟化物玻璃ZrF4-BaF2-LaF3-A1F3-NaF的上转换发光性质.在980 nm连续激光的激发下,观察到了较强的363 nm(1D2→3H6),347nm(1I6→3F4)和291 nm(1I6→3H6)的紫外上转换发光,以及中心位于454 nm,475 nm,643 nm,687 nm和804 nm的上转换荧光.这些上转换发射所对应的f-f跃迁为1D2→3F4,1G4→3H6,1G4→3F4,3F3→3H6和3H4→3H6.根据上转换发光强度随泵浦光功率的双对数变化关系得到,347 nm和363 nm的发光分别属于5光子和4光子上转换过程.结果表明:Tm和Yb共掺杂的ZrF4-BaF2-LaF3-A1F3-NaF玻璃可以有效地把近红外波段的激光转化成紫外波段的光. 展开更多
关键词 紫外上转换 Tm3+/Yb3+共掺 ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF
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单相纳米永磁体剩磁的一个普适公式
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作者 张庆香 赵国平 +2 位作者 鲜承伟 杨春 徐劲松 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期495-499,共5页
利用微磁学方法,对解析模型进行适当改进,推导总结出单相纳米永磁材料剩磁的一个普适公式Mr=a+b/L,其中a=Ms/2,b=cWMs,Mr、Ms、W、L分别为剩余磁化强度、饱和磁化强度、畴壁宽度和晶粒线度,c是一无量纲常数.通过拟合实验数据得到公式中a... 利用微磁学方法,对解析模型进行适当改进,推导总结出单相纳米永磁材料剩磁的一个普适公式Mr=a+b/L,其中a=Ms/2,b=cWMs,Mr、Ms、W、L分别为剩余磁化强度、饱和磁化强度、畴壁宽度和晶粒线度,c是一无量纲常数.通过拟合实验数据得到公式中a、b值,从而得到单相纳米永磁材料剩磁、剩磁增强效应. 展开更多
关键词 微磁学 剩磁 交换耦合相互作用 单相纳米永磁体
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