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题名相变存储器驱动电路的设计与实现
被引量：2
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作者
沈菊
宋志棠
刘波
封松林
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米存储技术联合实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期431-434,共4页
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基金
国家863计划(2006AA03Z360)
国家重点基础研究发展计划(2007CB935400
+6 种基金
2006CB302700)
上海市科委资助项目(06QA14060
06XD14025
0652nm003
06DZ22017
0752nm013
07QA14065)
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文摘
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。
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关键词
相变存储器
电流驱动
基准电压
偏置电流
电流镜
互补金属氧化物半导体
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Keywords
phase-change RAM
current driving
reference voltage
bias current
current mirror
CMOS
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分类号
N432
[自然科学总论]
TN86
[电子电信—信息与通信工程]
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题名一种用于列并行ADC的改进型栅压自举开关
被引量：1
- 2
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作者
张鹤玖
余宁梅
吕楠
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机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
西安理工大学信息技术与装备工程学院
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第3期214-219,234,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61771388,61801378)
西安市科技计划项目(201805037YD15CG21(11))
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文摘
CMOS图像传感器中列并行模数转换器(ADC)的面积受到严格限制,ADC采样保持电路中的栅压自举开关也必须满足每列的面积要求。在传统单电容型栅压自举开关的基础上,利用源极跟随器在降低开关导通电阻的同时提高了电路的可靠性;通过体效应补偿电路降低输入变化对导通电阻的影响;同时,在列共用偏置电路上增加控制开关,减少不必要的功耗。提出的电路使用UMC 0.11μm CMOS工艺实现,电源电压为3.3V,仿真结果表明开关导通电阻降低了约28.6%,输入范围内电阻变化率小于1.2%,有效位数提高了1bit,而面积只增加了15%。流片后测试结果显示,以20MS/s的采样频率对1.97MHz的输入进行采样,测得信噪比(SNR)、无杂散动态范围(SFDR)和有效位数(ENOB)分别为85.8dB、71.1dB和11.5bit。
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关键词
列并行模数转换器
栅压自举开关
导通电阻
体效应补偿
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Keywords
column-parallel ADC
bootstrapped switch
on-resistance
body effect compensation
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分类号
N432
[自然科学总论]
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