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ZnO掺杂Li^+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究 被引量：5
1
作者 陈祝 张树人 +5 位作者 杜善义 杨成韬 孙明霞 郑泽渔 李波 董加和 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期583-586,590,共5页
利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10~15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材。研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数)。同时通过在不同温度烧结试验、... 利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10~15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材。研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数)。同时通过在不同温度烧结试验、不同成型压力试验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并通过所制备的ZnO-Li0.022陶瓷靶,采用RF射频磁控溅射技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向、均匀、致密的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 陶瓷靶 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 择优取向
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AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究 被引量：2
2
作者 谢自力 张荣 +7 位作者 江若琏 刘斌 龚海梅 赵红 修向前 韩平 施毅 郑有炓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期727-729,共3页
用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明... 用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率。 展开更多
关键词 MOCVD 超晶格 AlxGa1-xN/AlN
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c轴择优取向ZnO薄膜RF溅射工艺研究
3
作者 陈祝 张树人 +4 位作者 杜善义 杨成韬 陈富贵 董加和 孙明霞 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期318-320,323,共4页
通过射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,该文着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对氧化锌薄膜结晶性能、表面形貌、择优取向与微结构的影响,并对溅射工艺与取向、结构的关系进行了分析比较,... 通过射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,该文着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对氧化锌薄膜结晶性能、表面形貌、择优取向与微结构的影响,并对溅射工艺与取向、结构的关系进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 磁控溅射 氧分压 择优取向
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具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型 被引量：1
4
作者 杜江锋 赵金霞 +4 位作者 伍捷 杨月寒 武鹏 靳翀 陈卫 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期297-300,共4页
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可... 基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 解析模型 击穿电压 电场分布 场板 GAN
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