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Femtosecond Degenerate Four-Wave-Mixing in ZnO Microcrystallite Thin Films
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作者 ZHANG Wei-li WANG Qing-yue +6 位作者 CHAI Lu XING Qi-rong K.S.Wong H.Wang z.k.tang G.K.L.Wong R.Jain 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1999年第6期418-419,共2页
Transient third-order optical nonlinearityχ^(3)of ZnO microcrystallite thin films is measured at various temperatures by using femtosecond degenerate four-wave-mixing.Room-temperature excitonic enhancement of is obse... Transient third-order optical nonlinearityχ^(3)of ZnO microcrystallite thin films is measured at various temperatures by using femtosecond degenerate four-wave-mixing.Room-temperature excitonic enhancement of is observed.The magnitude ofχ^(3)ranges between 10^(-4)to 10^(-6)esu from 4.2K to room temperature.The measuredχ^(3)response time ranging from 200 to 300 fs ultrafast for temperature down to 4.2K. 展开更多
关键词 temperature. CRYSTALLITE NONLINEARITY
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CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究
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作者 张希清 徐征 +9 位作者 侯延冰 王振家 王永生 徐叙溶 z.k.tang 汪河州 李伟良 赵福利 蔡志刚 周建英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期936-940,共5页
采用MBE制备了CdSe/CdZnSe 多量子阱结构.X射线衍射谱的最高阶次是7,在77K下PL光谱的线宽是4.2nm ,表明我们的样品具有较高的质量.在变密度激发的ps 时间分辨光谱中,随着激发密度的减小发光衰减时间... 采用MBE制备了CdSe/CdZnSe 多量子阱结构.X射线衍射谱的最高阶次是7,在77K下PL光谱的线宽是4.2nm ,表明我们的样品具有较高的质量.在变密度激发的ps 时间分辨光谱中,随着激发密度的减小发光衰减时间减小,认为是由无辐射复合引起的. 展开更多
关键词 多量子阱 Ⅱ-Ⅵ族 Ⅲ-Ⅴ族 半导体异质结 结构
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ZnSe薄膜的增强吸收光双稳
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作者 张希清 范希武 +7 位作者 陈一民 杨爱华 郑著宏 z.k.tang 王永生 徐征 侯延冰 王振家 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期399-402,共4页
报道了用常压MOCVD生长的Znse薄膜的光学非线代在77K下用纳秒脉冲激光观测到ZnSe薄膜的增强吸收光双稳特性非线性机理可能是由激子Coulomb相互作用屏蔽引起的
关键词 光学非线性 薄膜 增强吸收光双稳 硒化锌 半导体
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Femtosecond Time-Resolved Exciton Recombination Dynamics in ZnO Microcrystallite Thin Films at Room Temperature
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作者 ZHANG Wei-li CHAI LU +7 位作者 XING Qi-rong WANG Qing-yue KSWong Ping Yu HWang ZKTang GKL Wong 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1999年第10期728-730,共3页
We report the femtosecond time-resolved studies of room temperature exciton recombination and ultrafast stimulated emission dynamics in ZnO microcrystallite thin films.A free exciton photoluminescence lifetime of a fe... We report the femtosecond time-resolved studies of room temperature exciton recombination and ultrafast stimulated emission dynamics in ZnO microcrystallite thin films.A free exciton photoluminescence lifetime of a few tens of picoseconds and a decay time of a few picoseconds for the stimulated emission were observed.The relatively slow rise time(3ps)for the P band as the result of exciton-exciton scattering compared with the 0.8ps rise time for the N band attributed to electron-hole plasma recombination clearly distinguished the two stimulated emission processes. 展开更多
关键词 CRYSTALLITE attributed LIFETIME
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CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究 被引量:1
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作者 张希清 梅增霞 +4 位作者 段宁 徐征 王永生 徐叙瑢 z.k.tang 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1167-1171,共5页
用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe CdMnSe多量子阱结构 .利用X射线衍射 (XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性 .讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射... 用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe CdMnSe多量子阱结构 .利用X射线衍射 (XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性 .讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .发现不同激发密度下发光衰减时间不同 ,认为它的机理可能是无辐射复合引起的 .在该材料中观测到激子 激子散射发射峰 ,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实 . 展开更多
关键词 DdSe/CdMnSe 多量子阱 光学性质 激子 分子束外延生长 X射线衍射 光谱分析 Ⅱ-Ⅵ族半导体
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