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用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文)
1
作者 WU Jun ZHAO F H +3 位作者 Ito Y yoshida s Onabe shiraki Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期1-4,共4页
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。
关键词 Si掺杂GaN MOVPE 光致发光特性
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用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文)
2
作者 WU Jun ZHAO F H +3 位作者 Ito Y yoshida s Onabe shiraki Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期1-4,共4页
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。
关键词 Si掺杂GaN MOVPE 光致发光特性
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