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Vacancy in 6H—Silicon Carbide Studied by Slow Positron Beam
1
作者
王海云
翁惠民
+6 位作者
杭德生
周先意
叶邦角
范扬眉
韩荣典
C.C.Ling
y.p.hui
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003年第7期1105-1108,共4页
原文传递
题名
Vacancy in 6H—Silicon Carbide Studied by Slow Positron Beam
1
作者
王海云
翁惠民
杭德生
周先意
叶邦角
范扬眉
韩荣典
C.C.Ling
y.p.hui
机构
DepartmentofModernPhysics
DepartmentofPhysics
DepartmentofPhysics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003年第7期1105-1108,共4页
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Vacancy in 6H—Silicon Carbide Studied by Slow Positron Beam
王海云
翁惠民
杭德生
周先意
叶邦角
范扬眉
韩荣典
C.C.Ling
y.p.hui
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003
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