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Si^(5+)+He相互作用时双活跃电子势能的计算(英文)
1
作者
王利光
李勇
+1 位作者
陈禾
wong kin-shun
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期187-191,共5页
利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在...
利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在比较了基通道电子转移势能和实验值之后,研究了主通道的电子转移势能。其结果说明了这一动力学过程中的避交叉(avoidedcrossings)性质,给出了双电子容易被捕获的不同核间距离点。
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关键词
Si^5+离子
HE原子
相互作用
势能
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题名
Si^(5+)+He相互作用时双活跃电子势能的计算(英文)
1
作者
王利光
李勇
陈禾
wong kin-shun
机构
江南大学理学院
清华大学精密仪器与机械学系
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期187-191,共5页
基金
ProjectsupportedbytheNationalKeyBasicResearchDevelopmentProjectofChina(GrantNo 2003CB716204)andsupportedinpartbyScienceandEngineeringResearchCouncilofSingapore
Grant-in-Aidfor"HighPermittivityThinFilmforOFET"
文摘
利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在比较了基通道电子转移势能和实验值之后,研究了主通道的电子转移势能。其结果说明了这一动力学过程中的避交叉(avoidedcrossings)性质,给出了双电子容易被捕获的不同核间距离点。
关键词
Si^5+离子
HE原子
相互作用
势能
Keywords
Si^(5+) ion
He atom
interaction
potential energy
分类号
O562.4 [理学—原子与分子物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si^(5+)+He相互作用时双活跃电子势能的计算(英文)
王利光
李勇
陈禾
wong kin-shun
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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