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轴向应变导致柔性电路的裂化研究
1
作者
刘虹雯
郭海明
+5 位作者
王业亮
高鸿钧
刘盛
Kamgar A
Gle
s
kova H
wagner s
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期142-144,共3页
本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si和SiNx 薄膜的裂化规律。结果表明 ,在单轴向拉力应变下 ,虽然衬底仍保持完整 ,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列。当应变大于一个临界值后 ,裂纹的密度成线性增长。
关键词
柔性电路
轴向应变
裂化
半导体薄膜
裂纹宽度
原子力显微镜
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职称材料
题名
轴向应变导致柔性电路的裂化研究
1
作者
刘虹雯
郭海明
王业亮
高鸿钧
刘盛
Kamgar A
Gle
s
kova H
wagner s
机构
中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室
[
DepartmentofPhysics
DepartmentofElectricalEngineering
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期142-144,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (No 60 0 710 0 9
No 90 2 0 60 2 8)
文摘
本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si和SiNx 薄膜的裂化规律。结果表明 ,在单轴向拉力应变下 ,虽然衬底仍保持完整 ,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列。当应变大于一个临界值后 ,裂纹的密度成线性增长。
关键词
柔性电路
轴向应变
裂化
半导体薄膜
裂纹宽度
原子力显微镜
Keywords
crack
flexible circuit
strain
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
轴向应变导致柔性电路的裂化研究
刘虹雯
郭海明
王业亮
高鸿钧
刘盛
Kamgar A
Gle
s
kova H
wagner s
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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