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非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性 被引量：5
1
作者 秦明 vincentm.c.poon 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期57-60,共4页
报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术 ,探讨了镍诱导晶化机理 .详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响 ,并用 Raman、AFM和 TEM等测试了材料的特性 .实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶 ;在晶化温度为 6 2 5℃左右时晶... 报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术 ,探讨了镍诱导晶化机理 .详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响 ,并用 Raman、AFM和 TEM等测试了材料的特性 .实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶 ;在晶化温度为 6 2 5℃左右时晶体横向晶化速率最高 .如要获得较长的晶体 。 展开更多
关键词 镍诱导 非晶硅 薄膜 横向晶化工艺
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