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几种半导体在高压下的金属化相变 被引量：1
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作者 鲍忠兴 C.-S.TU +2 位作者 J.R.ANDERSON v.h.schmidt N.J.PINTO 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期50-55,共6页
在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体ＩｎＰ０．９７Ａｓ０．０３、ＩｎＰ０．５Ａｓ０．５、Ｇａ０．７６Ｉｎ０．２４Ａｓ和Ｇａ０．２４Ｉｎ０．７６Ａｓ在室温下、１６ＧＰａ内的电阻与压力的关系。工作... 在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体ＩｎＰ０．９７Ａｓ０．０３、ＩｎＰ０．５Ａｓ０．５、Ｇａ０．７６Ｉｎ０．２４Ａｓ和Ｇａ０．２４Ｉｎ０．７６Ａｓ在室温下、１６ＧＰａ内的电阻与压力的关系。工作中，对测量技术进行了一些改进，采用微机进行测量控制和数据记录。实验结果表明，这些样品在测量的压力范围内，均发生了金属化相变。它们的相变压力分别为：１０．３、９．７、１３．５～１４．６和１０～１０．４ＧＰａ左右。 展开更多
关键词 半导体 金属化相变 电阻测量 高压
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共聚物P(VDF-TrFE)在高压下的电学性质与相变(英)
2
作者 鲍忠兴 N.J.Pinto +1 位作者 v.h.schmidt C.S.Tu 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期223-227,共5页
研究了共聚物P（VDF－TrFE）（物质的量分数分别为80％、20％）在室温下、14GPa内的电容、电阻与压力的关系。实验结果表明，它在14GPa内存在两个相交：第一个相变发生在1．1GPa左右；而第二个相变发生在5～6GPa左右。
关键词 共聚物 相变 电容测量 电压 P(VDF-TrFE)
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