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离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟 被引量：1
1
作者 施左宇 林成鲁 +3 位作者 朱文化 u.bussmann P.L.F.Hemment 邹世昌 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第3期219-222,241,共5页
以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很... 以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。 展开更多
关键词 AIN 离子注入 计算机模拟 半导体
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