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用分子层掺杂法进行硼的超浅重掺杂
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作者 J.Nishizawa K.Aoki +1 位作者 t.akamine 钟煌煌 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1992年第8期48-48,F003,共2页
本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即在5V反问偏置下,漏电流小于2.5×10^(-16)A/μm^2。MLD法... 本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即在5V反问偏置下,漏电流小于2.5×10^(-16)A/μm^2。MLD法是快速提供高浓度、浅结、无损伤、选择掺杂的颇具吸引力的方法。 展开更多
关键词 分子层掺杂法 超浅硼
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