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集成肖特基二极管的沟槽功率HOSFET和DC-DC转换器的性能优势
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作者 Donald He Jason Zhang +3 位作者 Ritu Sodhi Dan Kinzer stuart edwards Paul Harvey 《电力电子》 2005年第6期30-33,29,共5页
发展单片集成MOSFET和肖特基二极管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件,这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29% 的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片... 发展单片集成MOSFET和肖特基二极管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件,这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29% 的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高 1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。 展开更多
关键词 集成肖特基二极管 MOSFET DC-DC转换器 性能
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