期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅各向异性腐蚀<110>条补偿图形腐蚀前沿控制
被引量:
11
1
作者
鲍敏杭
沈绍群
+5 位作者
胡澄宇
马青华
Chr.Burrer
J.Esteve
J.Bausells
s.marco
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第11期768-773,共6页
本文报道了一种由<110>条组成的,用于(100)硅KOH各向异性腐蚀的凸角补偿图形.该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小.文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和...
本文报道了一种由<110>条组成的,用于(100)硅KOH各向异性腐蚀的凸角补偿图形.该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小.文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和临界补偿时的削角比.该方法已应用于微机械硅加速度传感器的掩模设计.
展开更多
关键词
硅
各向异性
腐蚀
补偿图形
前沿控制
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
硅各向异性腐蚀<110>条补偿图形腐蚀前沿控制
被引量:
11
1
作者
鲍敏杭
沈绍群
胡澄宇
马青华
Chr.Burrer
J.Esteve
J.Bausells
s.marco
机构
复旦大学电子工程系传感器研究室
西班牙国家微电子中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第11期768-773,共6页
基金
国家八五科技攻关和国家自然科学基金
西班牙外交部中国一西班牙科技合作计划和西班牙教育部国外专家基金
文摘
本文报道了一种由<110>条组成的,用于(100)硅KOH各向异性腐蚀的凸角补偿图形.该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小.文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和临界补偿时的削角比.该方法已应用于微机械硅加速度传感器的掩模设计.
关键词
硅
各向异性
腐蚀
补偿图形
前沿控制
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅各向异性腐蚀<110>条补偿图形腐蚀前沿控制
鲍敏杭
沈绍群
胡澄宇
马青华
Chr.Burrer
J.Esteve
J.Bausells
s.marco
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
11
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部