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题名HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)
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作者
s.j.c.irvine
高国龙
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机构
美国洛克韦尔国际科学中心
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出处
《红外》
CAS
1994年第6期25-30,共6页
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文摘
4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低温度下热解的DiPTe用作DETe的替换物。
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关键词
HGCDTE
有机处延
生长
探测器
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分类号
TN204
[电子电信—物理电子学]
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)
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作者
s.j.c.irvine
高国龙
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机构
美国洛克韦尔国际科学中心
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出处
《红外》
CAS
1994年第5期1-5,共5页
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文摘
概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10^(14)cm^(-3)的程度,同时还允许用施主或受主控制反向掺杂。用内部扩散多层方法(IMP)有可能获得合金的大面积均匀性。然而,为了避免在混成结构上出现热应力,必须将焦平面列阵生长在Si衬底上。介绍了从一个256×256元中波红外列阵上获得的初步结果,还介绍了有关光学现场监视的结果。这些结果将形成今后改进外延控制方法的基础。
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关键词
碲镉汞
汽相外延生长
红外探测器
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
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