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在超高真空系统中对硅表面进行电子束退火的L_(23)VV Auger能谱精细结构分析
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作者 卢志恒 王大椿 +2 位作者 罗晏 苏颖 r.pfandzelter 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期695-701,共7页
本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引... 本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引起争议。本文根据实验认为它与C在Si表面的吸附有关。 展开更多
关键词 硅 真空系统 电子束 能谱结构 退火
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