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脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
1
作者
Y.Zhao
C.D.Young
+1 位作者
r.choi
B.H.Lee
《集成电路应用》
2006年第6期24-27,共4页
由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。
关键词
高K材料
测量技术
电荷
脉冲
高介电常数
电路结构
量测技术
电流-电压
晶体管
本征
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职称材料
题名
脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
1
作者
Y.Zhao
C.D.Young
r.choi
B.H.Lee
机构
Keithley Instruments Inc.
Sematech
出处
《集成电路应用》
2006年第6期24-27,共4页
文摘
由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。
关键词
高K材料
测量技术
电荷
脉冲
高介电常数
电路结构
量测技术
电流-电压
晶体管
本征
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
O441.1 [理学—电磁学]
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作者
出处
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1
脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
Y.Zhao
C.D.Young
r.choi
B.H.Lee
《集成电路应用》
2006
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