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用原位腔内清洗提高Al刻蚀的MTBC
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作者 F.Chen Y.Huang +1 位作者 q.ge H.Ng 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期252-254,共3页
优化原位腔清洗工艺可延长清洗之间Al刻蚀腔加工时间(MTBC),不损伤清洗腔内部,同时也保持了合理的产额。Cl/O2能非常有效地去除碳基聚合物,而BCl3/Cl最有利于去除Al副产品。通过提高压力得到了顶盖/侧壁清洗均匀性方面最好的改进。实行... 优化原位腔清洗工艺可延长清洗之间Al刻蚀腔加工时间(MTBC),不损伤清洗腔内部,同时也保持了合理的产额。Cl/O2能非常有效地去除碳基聚合物,而BCl3/Cl最有利于去除Al副产品。通过提高压力得到了顶盖/侧壁清洗均匀性方面最好的改进。实行最佳清洗工艺后,MTBC提高了4倍。 展开更多
关键词 Al MTBC 清洗工艺 均匀性 聚合物薄膜 产额 碳基 半导体器件 淀积 逻辑器件
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