期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术
1
作者 pramod c.karulkar 李秉忠 《微电子学》 CAS CSCD 1991年第1期69-74,共6页
用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_... 用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。 展开更多
关键词 多晶硅 离子注入 等离子腐蚀 VLSI
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部