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基于两种不同工艺的CMOS APS成像器的设计与特性 被引量：1
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作者 C.Cavadore J.Solhusvik +1 位作者 p.magnan 郑克隆 《控制工程（北京）》 2002年第5期42-50,共9页
本文介绍由CIMI-SUPAERO公司根据两种不同工艺设计的CMOS APS(有源像元敏感器Active Pixel Sensor的缩写——译注)成像器的实验结果。无论采用光电MOS(金属-氧化物-半导体)构成像元,还是采用光电二极管构成像元,两种设计都已完成。第一... 本文介绍由CIMI-SUPAERO公司根据两种不同工艺设计的CMOS APS(有源像元敏感器Active Pixel Sensor的缩写——译注)成像器的实验结果。无论采用光电MOS(金属-氧化物-半导体)构成像元,还是采用光电二极管构成像元,两种设计都已完成。第一种电路采用标准的CMOSDLP/DLM(互补型金氧半导体晶体管-双层多晶硅/双层金属)1.2μm工艺设计。这种工艺源于奥地利微系统公司。探测器阵列包括32×32个方形像元,像元间距为50μm。光电二极管(PD)结构,填充系数为75%;光电MOS(PM)结构,填充系数为50%。电路包括行与列地址译码器,还带有读出电路,以便在芯片上完成相关双增量采样,减小列与列之间的固定图案噪声。另外两种芯片采用标准的CMOSSLP(单层多晶硅)/DLM工艺制作,这种工艺源于MIETEC公司,设计的特征尺寸为0.7μm,它包括一个128×128像元阵列,像元间距为21μm,带有模拟读出电路。利用这两种工艺的10个不同阵列器件中没有发现一个不合格品。本文中我们根据暗电流、量子效率、转换增益、动态范围、线性度及空间均匀性等特性,比较了 32×32像元与128×128像元的性能。 展开更多
关键词 有源像元敏感器 图像敏感器 设计 特性 CMOSAPS CIMI-SUPAERO公司
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