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IGCT——带串联关断器件的低成本、高可靠性大功率变流器的关键技术
1
作者 p.k.steimer 戴小平 《大功率变流技术》 1998年第Z1期51-55,共5页
以硬驱动GTO概念为基础的IGCT(集成门极换流晶闸管)技术,将关断器件的存储时间缩短至1μs,使得大功率关断器件能可靠地串联。由于其能平稳运行(尤其是关断时),因而可减小甚至取消dv/dt吸收电路。此外,由于改进了器件的设计(缓冲层、透... 以硬驱动GTO概念为基础的IGCT(集成门极换流晶闸管)技术,将关断器件的存储时间缩短至1μs,使得大功率关断器件能可靠地串联。由于其能平稳运行(尤其是关断时),因而可减小甚至取消dv/dt吸收电路。此外,由于改进了器件的设计(缓冲层、透明阳极),而使交流器的损耗和成本明显下降。这种技术以申联IGCT的第1代产品为基础,最初应用在100MVA的交流器上,本文将对其进行讨论,并介绍相应的运行经验。 展开更多
关键词 GCT IGCT 串联 硬驱动GTO 交流器
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IGCT——一种新的大功率、低成本逆变器技术
2
作者 p.k.steimer 黄建伟 《大功率变流技术》 1998年第Z1期56-60,共5页
GTO硬驱动的方案大大改善了GTO的关断特性。该方案使器件、门极驱动和应用实现了新的技术突破,构成了新型集成门极换流晶闸管(IGCT)的基础。硬驱动具有的同步开关将IGCT的安全工作区扩大至动态雪崩的极限,即硅的物理极限。因无需dv/dt... GTO硬驱动的方案大大改善了GTO的关断特性。该方案使器件、门极驱动和应用实现了新的技术突破,构成了新型集成门极换流晶闸管(IGCT)的基础。硬驱动具有的同步开关将IGCT的安全工作区扩大至动态雪崩的极限,即硅的物理极限。因无需dv/dt吸收电路,再加上改善后的低耗特性,实现了IGCT在高达数kHz频率下的应用。采用透明阳极设计,使门极驱动功率较标准型GTO下降了80％。现已开发出适于0.5MVA～6MVA功率范围,且集成有大功率二极管的新型IGCT产品系列。IGCT器件固有的串并联特性使装置的功率范围扩充至数百MVA。首台以IGCT技术制造的10OMVA变流器已运行一年多,展示了人们对这种新技术所期望的极高可靠性。 展开更多
关键词 IGCT 逆变器 变流器
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100MVA变流器用硬驱动GTO逆变器最新的开发验证
3
作者 p.k.steimer 刘国友 《大功率变流技术》 1998年第Z1期79-84,共6页
100MVA变流器有如下四大创新:采用带新型外壳的硬驱动GTO(HD-GTO)技术,硬驱动GTO的串联,低感大功率HD-GTO逆变阀和无快熔大功率HD-GTO逆变器。 本文介绍的HD-GTO技术用于将可靠耐用及具有高性价比的GTO串联。文中分析了以HD-GTO技术为... 100MVA变流器有如下四大创新:采用带新型外壳的硬驱动GTO(HD-GTO)技术,硬驱动GTO的串联,低感大功率HD-GTO逆变阀和无快熔大功率HD-GTO逆变器。 本文介绍的HD-GTO技术用于将可靠耐用及具有高性价比的GTO串联。文中分析了以HD-GTO技术为基础的100MVA变流器的基本原理,介绍了最新研制的大功率HD-GTO逆变器模块。利用带精确功率半导体物理模型的电路模拟装置,保障了其原理设计、开发及验证阶段的需要。 展开更多
关键词 交流器 硬驱动GTO 逆变器
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