期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
新的用于微系统的硅微机械加工技术(上)
1
作者 p.j.french 贡树行 《红外》 CAS 2000年第5期27-34,共8页
微机械加工按传统习惯可分为两种类型,即块体的微机械加工和表面的微机械加工。新近对块体微机械加工技术的一个改进已经引起人们密切的关注,这个改进方法就是在衬底材料顶部的几个微米内进行微机械加工。许多人也把这类技术叫做外延微... 微机械加工按传统习惯可分为两种类型,即块体的微机械加工和表面的微机械加工。新近对块体微机械加工技术的一个改进已经引起人们密切的关注,这个改进方法就是在衬底材料顶部的几个微米内进行微机械加工。许多人也把这类技术叫做外延微机械加工,因为这种微机械加工的器件常常是在外延层上形成的。这类技术具有块体和表面两种微机械加工技术的许多优点而没有什么缺点。使用这类新技术所制造的器件结构,不仅在水平方向可以加工成所需的尺寸,类似于表面微机械加工所达到的尺寸那样,而且在垂直方向上大大地增加了打字所需尺寸的能力。本文对这些硅微机械加工技术及其兼容性问题进行了详细的讨论。 展开更多
关键词 外延-微机械加工 微结构 集成电路 腐蚀
在线阅读 下载PDF
新的用于微系统的硅微机械加工技术(下)
2
作者 p.j.french 贡树行 《红外》 CAS 2000年第6期34-40,共7页
2.5 MELO(合并外延横向过度生长法) 标准的外延沉积将在单晶和非单晶的两种衬底上形成一层硅膜。附加的沉积气体HCl对沉积生长的硅有腐蚀作用。如果一块晶片包含硅和氧化物两个区域,那么沉积的硅在硅片区域将生长成一层单晶硅,而在氧化... 2.5 MELO(合并外延横向过度生长法) 标准的外延沉积将在单晶和非单晶的两种衬底上形成一层硅膜。附加的沉积气体HCl对沉积生长的硅有腐蚀作用。如果一块晶片包含硅和氧化物两个区域,那么沉积的硅在硅片区域将生长成一层单晶硅,而在氧化物上将生长成非均匀的多晶硅晶粒。由于氧化物上的这种多晶晶粒的表面积很大,因此它们很容易被HCl腐蚀而去除掉。 展开更多
关键词 微系统 硅微机械加工技术 MELO 多孔硅
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部