期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
ISSCC 2001年年会开始展示生物元件制品和更智能化的分子器件
1
作者 Christina nickolas +2 位作者 Rodney Myrvaagnes 王正华 《今日电子》 2001年第3期3-4,共2页
国际固态电路会议(ISSCC)上发表的论文,一直都是以介绍最新的微处理器,存储器,和数据转换器等方面的技术为主.这些论文所介绍的芯片,大多数在当年就可以面市.可是现在已经成为定例,每年都有一个分会,作为探讨技术方向的分会场,在此分会... 国际固态电路会议(ISSCC)上发表的论文,一直都是以介绍最新的微处理器,存储器,和数据转换器等方面的技术为主.这些论文所介绍的芯片,大多数在当年就可以面市.可是现在已经成为定例,每年都有一个分会,作为探讨技术方向的分会场,在此分会上探索电子技术的边缘技术. 展开更多
关键词 国际固态电路会议 2001年 分子器件 微处理器 生物元件制品 存储器 垂直集成 模拟电路 ISSCC 智能化
在线阅读 下载PDF
结直肠癌患者MLH1和MSH2基因突变的转变分析
2
作者 Graham Casey +6 位作者 Noralane M. Lindor nickolas Papadopoulos 许峰(译) 祝学光(校) 《美国医学会杂志(中文版)》 2006年第2期83-83,共1页
背景:准确发现、解释结直肠癌患者错配修复基因的种系突变对临床治疗至关重要。近来的资料表明,错配修复突变具有高度的异质性,仅凭常规DNA测序无法检测到许多突变。
关键词 直肠癌患者 基因突变 MSH2 MLH1 错配修复基因 DNA测序 临床治疗 种系突变 异质性
暂未订购
1.0μm InP工艺技术为达到OC-768的性能创造了条件
3
作者 Christina nickolas 王正华 《今日电子》 2001年第9期3-3,共1页
以制造先进IC著名的Vitesse Semiconductor公司(位于加州的Camarillo),成功地开发了一项新技术。采用这项新技术,可以以超过40Gb/s的速度传输数据。这项技术采用1.0μm工艺技术制造铟磷(InP)异质结双极晶体管(HBT),并以此为基础制造网... 以制造先进IC著名的Vitesse Semiconductor公司(位于加州的Camarillo),成功地开发了一项新技术。采用这项新技术,可以以超过40Gb/s的速度传输数据。这项技术采用1.0μm工艺技术制造铟磷(InP)异质结双极晶体管(HBT),并以此为基础制造网络物理层所需要的IC。这些IC可以应用于SONET OC-768。 展开更多
关键词 磷化铟 集成电路 工艺技术 异质结双极晶体管
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部