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二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用 被引量：1
1
作者 张发荣 张晓丹 +2 位作者 Amanatides E matras d 赵颖 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期208-212,共5页
建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实... 建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。 展开更多
关键词 甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCD) 微晶硅 二维流体模型
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