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超宽禁带半导体NaYO_(2)的光电性质的第性原理研究 被引量：1
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作者 Nisar Muhammad m.u.muzaffar +1 位作者 李会民 丁泽军 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第2期186-192,I0055,共8页
超宽禁带半导体在发展电子器件的性能方面具有巨大潜力.本文利用密度泛函理论和精确的屏蔽杂化泛函计算了两种不同相的NaYO_(2)的电子和光学性质.电子结构计算结果表明,NaYO_(2)的单斜相和三方相都表现为直接带隙,大小分别5.6 eV和5.4 ... 超宽禁带半导体在发展电子器件的性能方面具有巨大潜力.本文利用密度泛函理论和精确的屏蔽杂化泛函计算了两种不同相的NaYO_(2)的电子和光学性质.电子结构计算结果表明,NaYO_(2)的单斜相和三方相都表现为直接带隙,大小分别5.6 eV和5.4 eV,超越了公认的金刚石和GaN半导体材料,为半导体行业提供了一个物理上现实的材料平台.研究了NaYO_(2)两相的光学性质,发现它们在红外和可见光区都是透明的.因此,NaYO_(2)可被用作红外窗口材料. 展开更多
关键词 NaYO_(2) 第一性原理计算 电子结构 光学性质
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