期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
用横向固相外延在低温下形成SOI结构
1
作者 m.miyao 蔡永才 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期78-83,共6页
本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产... 本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产生的各种影响。结果表明,在绝缘区上可获得一个相当大的L-SPE区域,这个区域从引晶区开始可向外延伸14μm。通过使用μ-拉曼能谱分析和场效应晶体管的制作研究了L-SPE层的晶体质量和电特性。其应力场(2.5×10~9达因/cm^2)和高电子迁移率(720cm^2/Vs)可与体硅相比。 展开更多
关键词 SOI结构 固相外延 低温
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部