期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
反应溅射TiW_yN_x薄膜扩散势垒特性研究
1
作者 张国炳 武国英 +7 位作者 徐立 郝一龙 隋小平 A.P.Clarke P.J.Clarke m.d.strathman T.Gates S.Baumann 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期702-707,T001,共7页
本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效... 本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了Al/TiW_yN_x/CoSi_2/Si浅结接触的热稳定性。 展开更多
关键词 TiWN薄膜 扩散 反应溅射 集成电路
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部