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高温存储下键合界面演化行为及寿命研究 被引量:3
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作者 王潮洋 林鹏荣 +2 位作者 戴晨毅 唐睿 李金月 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第10期1268-1275,共8页
功率VDMOS已经广泛应用于航天领域,但其在空间长期高温环境下存在键合可靠性下降甚至脱键失效的问题。为评估功率VDMOS高温条件下长期服役能力,需要对相应温度条件下键合强度演化规律、失效机理、寿命评估等方面展开研究。设计150,300... 功率VDMOS已经广泛应用于航天领域,但其在空间长期高温环境下存在键合可靠性下降甚至脱键失效的问题。为评估功率VDMOS高温条件下长期服役能力,需要对相应温度条件下键合强度演化规律、失效机理、寿命评估等方面展开研究。设计150,300℃两组高温存储试验,研究不同高温存储条件下键合强度演化规律及界面IMC演化行为,分析键合失效机理,对键合寿命进行预测。结果表明:键合强度随高温存储时间增加而下降,界面IMC由Au2 Al逐步转变为AuAl2;脱键断面裂纹源为键合点前部Al丝,裂纹沿相界面扩展;基于Arrhenius加速寿命模型得到键合点理论寿命计算公式,外推出常温(25℃)下键合点理论寿命约为3×10^(7)h。 展开更多
关键词 键合强度 Au-Al 键合界面 高温存储 寿命
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陶瓷表面状态对底部填充胶流动性影响研究 被引量:8
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作者 李菁萱 刘沛 +2 位作者 练滨浩 林鹏荣 黄颖卓 《电子与封装》 2018年第3期1-4,共4页
由于陶瓷外壳表面会做氧化铝涂层,这种处理会对底部填充胶的扩散性能造成影响。研究了底部填充胶在不同表面状态的陶瓷外壳上的扩散状态。这对底部填充工艺的发展具有重要的意义。
关键词 底部填充胶 扩散机理 等离子清洗 陶瓷封装
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陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估 被引量:5
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作者 文惠东 黄颖卓 +1 位作者 林鹏荣 练滨浩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期723-727,共5页
陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估。以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(HAST)、高温存储等考核试验,并通... 陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估。以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(HAST)、高温存储等考核试验,并通过超声扫描(C-SAM)、电子扫描显微镜(SEM)检测等手段对器件底部填充胶以及焊点界面生长情况进行分析。结果表明:未经底部填充的器件在经历200次温度循环后发生失效;底部填充器件在经历3 000次温度循环、792 h HAST以及1 000 h高温存储后,电通断测试以及超声扫描合格。实验结果对于促进国产陶瓷封装倒装焊器件的实际应用具有重要意义。 展开更多
关键词 倒装焊 可靠性评估 温度循环 强加速稳态湿热(HAST) 高温存储
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高温存储对Sn-Pb-Ni凸点界面金属间化合物生长的影响 被引量:2
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作者 文惠东 黄颖卓 +1 位作者 林鹏荣 练滨浩 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第S01期33-37,共5页
倒装焊工艺由于具有信号处理速度快、封装密度高、可靠性高等特点,已广泛应用于高密度集成电路封装工艺中。高可靠倒装焊器件的互连焊点通常采用10Sn90Pb等高铅焊料,该焊料具有剪切强度高、可靠性高等优点,但其熔点高、回流工艺窗口窄... 倒装焊工艺由于具有信号处理速度快、封装密度高、可靠性高等特点,已广泛应用于高密度集成电路封装工艺中。高可靠倒装焊器件的互连焊点通常采用10Sn90Pb等高铅焊料,该焊料具有剪切强度高、可靠性高等优点,但其熔点高、回流工艺窗口窄等特性给封装工艺带来一定难度,此外该焊料在高温存储环境的可靠性有待进一步提高。本文采用Ni元素对10Sn90Pb焊料进行改性,研究高温存储下Sn-Pb-Ni体系凸点的力学性能以及金属间化合物(Intermetallic compound,IMC)的生长演变规律,以此评估Ni元素对10Sn90Pb凸点可靠性的影响。主要结果如下:适量添加Ni元素可以细化10Sn90Pb焊点界面处IMC晶粒,降低高温存储条件下的IMC生长速度,但在一定程度上会降低凸点的剪切强度。0.05%~0.1%含量的Ni元素添加对10Sn90Pb凸点综合性能提升较为显著。 展开更多
关键词 倒装焊 Sn-Pb-Ni 高温存储 金属间化合物生长
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Drop impact analysis of TSV-based 3D packaging structure by PSO-BP and GA-BP neural networks 被引量:2
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作者 Mao Minghui Liu Jiansong +2 位作者 Tian Mengke lin pengrong Long Xu 《China Welding》 CAS 2022年第1期37-46,共10页
Particle swarm algorithm(PSO) and genetic algorithm(GA) were used to optimize the back propagation(BP) artificial neural network for predicting the dynamic responses of the through silicon via(TSV) based three-dimensi... Particle swarm algorithm(PSO) and genetic algorithm(GA) were used to optimize the back propagation(BP) artificial neural network for predicting the dynamic responses of the through silicon via(TSV) based three-dimensional packaging structures.A finite element model of the TSV packaging structure with a strain-rate dependent constitutive model for solder joints was created to simulate the drop impact due to a free fall of 0.8 m to the rigid ground to investigate the structural dynamic responses during the whole impact process.The spatial coordinates of the solder joints were used as the input parameters of the hybrid neural network model for the drop impact responses,while the maximum Von Mises stress and PEEQ(plastic strain) values are identified the output parameters.The correlation coefficient(R),the mean absolute percentage error(MAPE) and the training time were used as the measures to validate and compare the proposed PSO-BP and GA-BP neural networks.The results show that both the PSO-BP model and the GA-BP model can achieve high accuracy predictions with strong generalization capability.Apparently,both optimized algorithms outperform the original BP model,but the PSO-BP model is slightly more superior than the GA-BP model.It is also demonstrated that the proposed optimized algorithms efficiently predict the drop impact responses of TSV packaging structures by greatly saving the computational and experimental cost of drop impact tests. 展开更多
关键词 drop impact through silicon via particle swarm algorithm genetic algorithm dynamic response
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陶瓷柱栅阵列封装电路器件级热学环境可靠性评估 被引量:8
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作者 李菁萱 谢晓辰 +2 位作者 王胜杰 林鹏荣 王勇 《电子与封装》 2021年第5期5-11,共7页
陶瓷柱栅阵列(Ceramic Column Grid Array,CCGA)封装器件在宇航型号中已大量使用,在地面高温贮存及空间极冷极热等热应力载荷作用下,极易出现焊点开裂等失效问题,进而引发器件故障。针对外引出端为增强型焊柱的CCGA封装电路,开展器件级... 陶瓷柱栅阵列(Ceramic Column Grid Array,CCGA)封装器件在宇航型号中已大量使用,在地面高温贮存及空间极冷极热等热应力载荷作用下,极易出现焊点开裂等失效问题,进而引发器件故障。针对外引出端为增强型焊柱的CCGA封装电路,开展器件级高温存储、温度循环及多次返工可靠性考核,评估外引出端为增强型焊柱的CCGA封装电路的热学可靠性。结果表明,器件在2000 h高温存储考核后焊点未发生失效,但经历2000次温度循环考核后焊点内部开裂,返工3次后焊点形貌及界面互连未发生明显变化。 展开更多
关键词 陶瓷柱栅阵列封装电路 器件级可靠性评估 返工 高温存储 温度循环
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助焊剂残留对底部填充粘接强度的影响 被引量:9
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作者 李菁萱 林鹏荣 +1 位作者 黄颖卓 练滨浩 《电子与封装》 2019年第1期1-3,共3页
随着封装工艺的不断发展,芯片I/O数越来越多,高密度芯片封装必须采用倒装焊的形式。底部填充作为芯片倒装焊封装后的加固工艺,填充胶与倒装焊使用的助焊剂的兼容性对于研究倒装焊电路的长期可靠性至关重要。分析了底部填充胶与助焊剂的... 随着封装工艺的不断发展,芯片I/O数越来越多,高密度芯片封装必须采用倒装焊的形式。底部填充作为芯片倒装焊封装后的加固工艺,填充胶与倒装焊使用的助焊剂的兼容性对于研究倒装焊电路的长期可靠性至关重要。分析了底部填充胶与助焊剂的兼容性,以及助焊剂的残留对底部填充胶加固效果的影响。若助焊剂清洗不干净,会导致底部填充胶的粘接力下降,影响器件的质量。 展开更多
关键词 底部填充胶 助焊剂 陶瓷封装 芯片倒装
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电子元器件低温焊接技术的研究进展 被引量:6
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作者 王佳星 姚全斌 +3 位作者 林鹏荣 黄颖卓 樊帆 谢晓辰 《电子与封装》 2022年第9期9-16,共8页
低温焊接技术是实现电子元器件多级封装和高温服役的关键技术之一。针对高可靠电子元器件封装对于低温连接、高温服役的焊接技术的需求,从材料制备工艺、焊料熔点变化和焊接工艺技术等方面对纳米金属颗粒低温烧结、瞬时液相低温烧结和... 低温焊接技术是实现电子元器件多级封装和高温服役的关键技术之一。针对高可靠电子元器件封装对于低温连接、高温服役的焊接技术的需求,从材料制备工艺、焊料熔点变化和焊接工艺技术等方面对纳米金属颗粒低温烧结、瞬时液相低温烧结和颗粒增强低温焊接(烧结)工艺进行了综述。纳米金属颗粒低温烧结工艺形成的焊点稳定服役温度高于300℃,其制备复杂,烧结工艺对焊膏的依赖性较强,进一步优化焊料配方及其烧结工艺为其主流研究方向。瞬时液相低温烧结工艺,通过形成高熔点金属间化合物焊点提高其耐高温性能,其内部组分及耐高温性能对焊接工艺依赖性较强,明确焊点组分以及耐高温性能、焊接工艺为其主流研究方向。颗粒增强低温焊接(烧结)工艺,通过形成高温富集相与金属间化合物提升熔点,回流焊后熔点提升较小,明确其熔点与组分的变化规律为其研究重点。 展开更多
关键词 低温焊接技术 纳米金属颗粒低温烧结 瞬时液相低温烧结 颗粒增强低温焊接
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铜带缠绕型焊柱装联结构的板级热-机械可靠性研究 被引量:5
9
作者 吕晓瑞 林鹏荣 +2 位作者 王勇 刘建松 杨俊 《电子与封装》 2021年第3期24-31,共8页
陶瓷基板与印制电路板之间的热膨胀系数差异较大导致的热失配,和大尺寸、高质量带来的抗振动性能下降,是这类器件板级装联失效的主要原因。针对铜带缠绕型焊柱CCGA板级装联结构在温度循环和随机振动载荷下焊点的失效模式和失效机理进行... 陶瓷基板与印制电路板之间的热膨胀系数差异较大导致的热失配,和大尺寸、高质量带来的抗振动性能下降,是这类器件板级装联失效的主要原因。针对铜带缠绕型焊柱CCGA板级装联结构在温度循环和随机振动载荷下焊点的失效模式和失效机理进行研究。结果表明,最大应力应变点出现在铜带与焊柱接触界面铜带边缘处,裂纹沿铜带缠绕方向的焊柱横截面向内扩展最终导致开裂。由于铜带和焊柱材料弹性模量性能差异较大,铜带与柱芯接触界面存在应力突变现象,器件长期使用过程中会出现焊柱与铜带剥离进而导致互连失效。铜带材质的选择、铜带与柱芯缠绕质量是影响铜带缠绕型焊柱高可靠应用的关键,铜带与焊柱间良好的冶金互连、铜带间隙充分的焊料填充是有效提高铜带缠绕型焊柱的抗热/机械性能的主要途径。 展开更多
关键词 铜带缠绕型焊柱 温度循环 随机振动 装联结构可靠性
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2.5D器件中硅通孔结构设计 被引量:4
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作者 赵文中 樊帆 +2 位作者 林鹏荣 谢晓辰 杨俊 《电子与封装》 2020年第12期26-31,共6页
通过ANSYS有限元仿真技术对2.5D器件中的硅通孔结构进行结构设计、仿真分析。通过对比仿真结果,得出更适用于宇航用高低温循环场景下的硅通孔结构。首先通过对比热循环载荷条件下不同2.5D器件中硅通孔结构的热力学性能;其次选取不同的... 通过ANSYS有限元仿真技术对2.5D器件中的硅通孔结构进行结构设计、仿真分析。通过对比仿真结果,得出更适用于宇航用高低温循环场景下的硅通孔结构。首先通过对比热循环载荷条件下不同2.5D器件中硅通孔结构的热力学性能;其次选取不同的封装材料对硅通孔结构进行建模,研究不同硅通孔模型中的应力集中行为,并对其长期可靠性进行分析;最终得到更适用于宇航环境的2.5D器件的硅通孔结构。 展开更多
关键词 2.5D器件 硅通孔 ANSYS仿真 结构设计
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2.5D硅转接板TSV结构研究
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作者 刘建松 林鹏荣 +1 位作者 黄颖卓 练滨浩 《电子科技》 2020年第1期46-50,共5页
针对结构参数对TSV可靠性影响不明确的问题,文中采用有限元分析和模型简化的方法,分析了TSV结构在温度循环条件下的应力应变分布,并进一步研究了铜柱直径、SiO 2层厚度以及TSV节距等结构参数对TSV结构可靠性的影响。结果表明,采用文中... 针对结构参数对TSV可靠性影响不明确的问题,文中采用有限元分析和模型简化的方法,分析了TSV结构在温度循环条件下的应力应变分布,并进一步研究了铜柱直径、SiO 2层厚度以及TSV节距等结构参数对TSV结构可靠性的影响。结果表明,采用文中的方法简化模型后得出的结果拟合度在0.95以上;在TSV结构上施加温度循环载荷时,在SiO 2界面会出现应力集中,而在钝化层中会出现应变增大;改变铜柱直径、绝缘层厚度和TSV节距将显著影响TSV结构的可靠性;减小填充铜的直径、增加SiO 2层的厚度、增加TSV节距,都将有助于减小TSV结构的最大应力。 展开更多
关键词 TSV 有限元分析 模型简化 温度循环 结构参数 应力集中
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